一种制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种ZnSe(Te)量子点及其制备方法、电致发光器件


[0001]本专利技术属于量子点领域，尤其涉及一种
ZnSe(Te)
量子点及其制备方法
、
电致发光器件
。

技术介绍

[0002]现有技术中，常见的基于
ZnSe
的量子点的发射波长一般小于
430nm
，限制了其在
430nm
以上波长范围的应用
。
有科研人员通过引入
Te
元素构建出
ZnSeTe
量子点，可以将该类量子点的发射波长延伸至
532nm
，但这种方法获得的量子点的量子产率并不高，影响了该类量子点的进一步应用
。
[0003]基于上述问题，需要研究出一种新型的基于
ZnSe
的量子点及其制备方法，以扩充当前无铅无镉量子点的类型，并同时扩大基于
ZnSe
的量子点的使用范围
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种发射波长范围在
430nm
‑
580nm
的
ZnSe(Te)
量子点及其制备方法，其量子产率高，扩大了现有技术中基于
ZnSe
的量子点的使用范围
。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0006]本专利技术的第一个目的在于提供一种
ZnSe(Te)
量子点，包括量子点核，所述量子点核包括掺杂在所述量子点核中的卤素离子
X
‑
，所述量子点核包括阳离子和阴离子，所述卤素离子
X
‑
与所述阳离子相结合
。
[0007]具体的，所述卤素离子为选自
F
‑
、Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的至少一种
。
[0008]具体的，所述量子点还包括包覆在所述量子点核外的壳层，所述壳层为选自
ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnSe/ZnS
和
ZnSeS/ZnS
中的一种
。
[0009]优选地，所述量子点核为
ZnSe
，所述量子点的发射波长为
430
‑
480nm。
[0010]优选地，所述量子点核为
ZnSeTe
，所述量子点的发射波长为
480
‑
580nm。
[0011]本专利技术的第二个目的在于提供一种
ZnSe(Te)
量子点的制备方法，包括如下步骤：
[0012]S1.
获得如上所述量子点核；
[0013]S2.
在第一温度下，将金属卤化物的配位溶液与所述量子点核混合，反应得到含有所述量子点核的第一混合溶液；
[0014]S3.
向所述第一混合溶液中加入锌前体
、
硫前体，第二温度下，在所述量子点核外包覆壳层，得到所述量子点
。
[0015]具体的，所述量子点核与所述金属卤化物的配位溶液的投料摩尔比为
1:(1
‑
10)。
[0016]具体的，所述金属卤化物的配位溶液为金属卤化物的胺类
、
膦类或者羧酸类溶液中的至少一种；
[0017]优选地，所述金属卤化物的配位溶液为金属卤化物的三辛基膦或油胺溶液，所述金属卤化物为选自卤化锌
、
卤化镁
、
卤化钙
、
卤化铁或卤化锰中的至少一种
。
[0018]具体的，
S2
中，所述第一温度为
180
‑
320℃
，所述金属卤化物的配位溶液的浓度为
(0.04
‑
0.4)mol/L。
[0019]具体的，所述锌前体
、
硫前体与所述量子点核之间的投料摩尔比为
(1.8
‑
3):(1.8
‑
3):1
；
[0020]所述锌前体为选自羧酸锌
、
卤化锌或者有机锌中的至少一种；
[0021]所述硫前体为选自硫的有机磷配合物
、
硫的脂肪胺化合物
、
硫的长链烯溶液中的至少一种；
[0022]所述第二温度为
230
‑
320℃。
[0023]本专利技术的第三个目的在于提供一种电致发光器件，包括发光层，所述发光层包括如上所述
ZnSe(Te)
量子点或如上所述制备方法制备得到的
ZnSe(Te)
量子点
。
[0024]与现有技术相比，本专利技术至少具有如下优点：
[0025]本申请通过在
ZnSe(Te)
量子点的核中掺杂卤素
X
，获得了荧光发射波长在
430nm
以上的
ZnSe
量子点
、
荧光发射波长在
480nm
以上的
ZnSeTe
量子点，量子点的量子效率高
(≥75
％
)
，可以在多领域进行应用
。
此外，本申请的制备方法操作简便
、
反应所需时间短
、
效率高，满足量子点规模化生产的需要
。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0027]附图1为实施例2和实施例3的荧光发射光谱对比图；
[0028]附图2为实施例9和实施例
15
的荧光发射光谱对比图
。
具体实施方式
[0029]下面将结合本申请的实施方式，对实施例中的技术方案进行详细地描述
。
应注意的是，该实施方式仅仅是部分方式，而不是全部
。
[0030]如本文中表述例如“的至少一种
(
个
)”当在要素列表之前或之后时修饰整个要素列表而不修饰列表的单独要素
。
如果未另外定义，说明书中的所有术语
(
包括技术和科学术语
)
可如本领域技术人员通常理解的那样定义
。
常用字典中定义的术语应被解释为与它们在相关领域的背景和本公开内容中的含义一致，并且不可以理想方式或者过宽地解释，除非清楚地定义
。
此外，除非明确地相反描述，措辞“包括”和措本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
ZnSe(Te)
量子点，包括量子点核，其特征在于：所述量子点核包括掺杂在所述量子点核中的卤素离子
X
‑
，所述量子点核包括阳离子和阴离子，所述卤素离子
X
‑
与所述阳离子相结合
。2.
根据权利要求1所述
ZnSe(Te)
量子点，其特征在于：所述量子点还包括包覆在所述量子点核外的壳层，所述壳层为选自
ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnSe/ZnS
和
ZnSeS/ZnS
中的一种
。3.
根据权利要求2所述
ZnSe(Te)
量子点，其特征在于：所述量子点核为
ZnSe
，所述量子点的发射波长为
430
‑
480nm。4.
根据权利要求2所述
ZnSe(Te)
量子点，其特征在于：所述量子点核为
ZnSeTe
，所述量子点的发射波长为
480
‑
580nm。5.
一种
ZnSe(Te)
量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1. 获得如权利要求1‑4中任一所述量子点核；
S2. 在第一温度下，将金属卤化物的配位溶液与所述量子点核混合，反应得到含有所述量子点核的第一混合溶液；
S3. 向所述第一混合溶液中加入锌前体
、
硫前体，第二温度下，在所述量子点核外包覆壳层，得到所述量子点
。6.
根据权利要求5所述
ZnSe(Te)
量子点的制备方法，其特征在于：所述量子点核与所述金属卤化物的配位溶液的投料摩尔比为
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林进，陈钦越，乔登清，王允军，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：