存储芯片品质检测方法技术

本申请涉及数据处理领域，尤其涉及一种存储芯片品质检测方法

【技术实现步骤摘要】
存储芯片品质检测方法、装置、电子设备和介质


[0001]本申请涉及数据处理的
，尤其是涉及一种存储芯片品质检测方法
、
装置
、
电子设备和介质
。

技术介绍

[0002]湿热检测可以用来确定存储芯片的可靠性
。
首先，确定目标温度
、
目标湿度和目标持续时长，其中，不同型号的存储芯片需要在不同目标参数下满足功能要求，目标参数包括目标温度
、
目标湿度和目标持续时长；然后，将待检测存储芯片放置在目标温度和目标湿度的环境中，并放置目标持续时长的过程中，对待检测芯片进行读取
、
写入和擦除等功能测试；最后，待到达目标持续时长后得到测试结果，若测试结果符合测试要求，则确定该待检测存储芯片合格
。
[0003]一般的，设定目标参数是为了模拟存储芯片的工作环境，以在目标参数对应的环境中，对存储芯片进行功能测试，从而确定存储芯片在上述环境中运行时是否合格
。
具体的，对于大量存储芯片，会从上述大量存储芯片中抽取样本芯片，并对样本芯片进行上述功能测试，当样本芯片的测试结果为符合测试要求时，确定样本芯片合格，从而认定上述大量存储芯片中每一存储芯片均为合格产品
。
[0004]但是，在存储芯片的实际工作环境中，参数组中的温度
、
湿度和持续时长都是不断变化的，仅使用目标参数来模拟实际工作环境，从而确定存储芯片是否合格是不准确的
。
[0005]故，如何更加准确地确定存储芯片是否合格是本领域技术人员亟待解决的技术问题
。

技术实现思路

[0006]为了更加准确地确定存储芯片是否合格，本申请提供一种存储芯片品质检测方法
、
装置
、
电子设备和介质
。
[0007]第一方面，本申请提供一种存储芯片品质检测方法，采用如下的技术方案：一种存储芯片品质检测方法，包括：获取待检测存储芯片的目标芯片型号，并确定所述目标芯片型号对应的目标参数组；根据所述目标参数组中的目标温度范围和目标湿度范围，确定多个湿热参数组，其中，所述湿热参数组为湿度和温度的组合；针对每一所述湿热参数组，获取所述湿热参数组对应的多个循环冗余校验值，其中，所述循环冗余校验值是通过对所述目标芯片型号对应的存储芯片进行功能测试得到的；并对所述多个循环冗余校验值进行计算，得到所述湿热参数组对应的校验值相同频率，其中，所述校验值相同频率表征数值相同的所述循环冗余校验值在所述多个循环冗余校验值中的出现频率；根据全部所述湿热参数组和全部所述校验值相同频率，得到所述待检测存储芯片的实际合格概率；并根据所述实际合格概率和预设合格概率阈值，得到所述待检
测存储芯片的功能检测结果
。
[0008]本申请在一较佳示例中可以进一步配置为：所述对所述多个循环冗余校验值进行计算，得到所述湿热参数组对应的校验值相同频率，包括：获取所述湿热参数组对应的第一数量的循环冗余校验值；在所述第一数量的循环冗余校验值中，确定数值相同的所述循环冗余校验值的第二数量；根据所述第一数量和所述第二数量通过计算，得到所述湿热参数组对应的校验值相同频率，其中，所述校验值相同频率表征数值相同的所述循环冗余校验值在所述第一数量的循环冗余校验值中的出现频率
。
[0009]本申请在一较佳示例中可以进一步配置为：所述根据全部所述湿热参数组和全部所述校验值相同频率，得到所述待检测存储芯片的实际合格概率，包括：根据全部所述湿热参数组和全部所述校验值相同频率进行建模，得到以温度
、
湿度和校验值相同频率为坐标轴的芯片校验模型，其中，所述芯片校验模型为以校验值相同频率为因变量
、
以温度和湿度为自变量的有边界的曲面；根据所述芯片校验模型，确定第一闭合曲面，其中，所述第一有边界曲面为所述芯片校验模型对应的有边界曲面；根据所述第一有边界曲面，确定第一投影面积，其中，所述第一投影面积为所述第一有边界曲面在参考平面上的投影面积，所述参考平面为温度对应坐标轴和湿度对应坐标轴所在的平面；确定所述芯片校验模型与预设阈值平面相交的第二有边界曲面集合，其中，所述预设阈值平面中每一点的校验值相同频率均为1；根据所述第二有边界曲面集合，确定第二投影面积，其中，所述第二投影面积为所述第二有边界曲面集合在所述参考平面上的投影面积；对所述第一投影面积和所述第二投影面积进行计算，得到所述实际合格概率
。
[0010]本申请在一较佳示例中可以进一步配置为：在所述根据所述实际合格概率和预设合格概率阈值，得到所述待检测存储芯片的功能检测结果之后，还包括：当所述功能检测结果为不合格时，确定所述第一有边界曲面在所述参考平面上的投影的第一几何中心；确定所述第二有边界曲面集合在所述参考平面上的投影的第二几何中心；计算所述第一几何中心与第二几何中心之间的欧式距离；并判断所述欧式距离是否大于预设偏移阈值；若是，则生成制造工艺报警指令，其中，所述制造工艺报警指令用于提示存储芯片的制造工艺不合格；若否，则生成工艺参数报警指令，其中，所述工艺参数报警指令用于提示存储芯片的设置的工艺参数不合格
。
[0011]本申请在一较佳示例中可以进一步配置为：所述根据所述目标参数组中的目标温度范围和目标湿度范围，确定多个湿热参数
组，包括：在所述目标温度范围中确定预设选择数量的模拟温度，其中，数值相邻的所述模拟温度之间差值不变；在所述目标湿度范围中确定所述预设选择数量的模拟湿度，其中，数值相邻的所述模拟湿度之间差值不变；针对每一所述模拟温度，将所述模拟温度与每一所述模拟湿度进行组合，得到每一所述湿热参数组
。
[0012]本申请在一较佳示例中可以进一步配置为：所述在所述目标温度范围中确定预设选择数量的模拟温度，包括：确定所述目标温度范围的温度区间长度；利用相邻差值计算公式，对所述温度区间长度和预设选择数量进行计算，得到相邻差值，其中，所述相邻差值计算公式为：相邻差值＝温度区间长度
÷
预设选择数量；根据所述目标温度范围中的最小目标温度和所述相邻差值，确定第一温度选定区间；并在所述第一温度选定区间中选定任一点作为第一温度；利用第二温度计算公式，对所述第一温度
、
所述预设选择数量和所述相邻差值进行计算，得到至少一个第二温度，其中，所述第二温度计算公式为：
T
2i
＝
(i
‑
1)
×
Δ
t+T1，
i
＝
1,2,
…
,n
，
n
为所述预设选择数量，
T
2i
为第
i
个所述第二温度，
Δ
t
为所述相邻差值，
T1为所述第一温度；将所述第一温度和全部所述第二温度均作为模拟温度
。
[0013]本申请在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种存储芯片品质检测方法，其特征在于，包括：获取待检测存储芯片的目标芯片型号，并确定所述目标芯片型号对应的目标参数组；根据所述目标参数组中的目标温度范围和目标湿度范围，确定多个湿热参数组，其中，所述湿热参数组为湿度和温度的组合；针对每一所述湿热参数组，获取所述湿热参数组对应的多个循环冗余校验值，其中，所述循环冗余校验值是通过对所述目标芯片型号对应的存储芯片进行功能测试得到的；并对所述多个循环冗余校验值进行计算，得到所述湿热参数组对应的校验值相同频率，其中，所述校验值相同频率表征数值相同的所述循环冗余校验值在所述多个循环冗余校验值中的出现频率；根据全部所述湿热参数组和全部所述校验值相同频率，得到所述待检测存储芯片的实际合格概率；并根据所述实际合格概率和预设合格概率阈值，得到所述待检测存储芯片的功能检测结果
。2.
根据权利要求1所述的存储芯片品质检测方法，其特征在于，所述对所述多个循环冗余校验值进行计算，得到所述湿热参数组对应的校验值相同频率，包括：获取所述湿热参数组对应的第一数量的循环冗余校验值；在所述第一数量的循环冗余校验值中，确定数值相同的所述循环冗余校验值的第二数量；根据所述第一数量和所述第二数量通过计算，得到所述湿热参数组对应的校验值相同频率，其中，所述校验值相同频率表征数值相同的所述循环冗余校验值在所述第一数量的循环冗余校验值中的出现频率
。3.
根据权利要求1所述的存储芯片品质检测方法，其特征在于，所述根据全部所述湿热参数组和全部所述校验值相同频率，得到所述待检测存储芯片的实际合格概率，包括：根据全部所述湿热参数组和全部所述校验值相同频率进行建模，得到以温度
、
湿度和校验值相同频率为坐标轴的芯片校验模型，其中，所述芯片校验模型为以校验值相同频率为因变量
、
以温度和湿度为自变量的有边界的曲面；根据所述芯片校验模型，确定第一闭合曲面，其中，所述第一有边界曲面为所述芯片校验模型对应的有边界曲面；根据所述第一有边界曲面，确定第一投影面积，其中，所述第一投影面积为所述第一有边界曲面在参考平面上的投影面积，所述参考平面为温度对应坐标轴和湿度对应坐标轴所在的平面；确定所述芯片校验模型与预设阈值平面相交的第二有边界曲面集合，其中，所述预设阈值平面中每一点的校验值相同频率均为1；根据所述第二有边界曲面集合，确定第二投影面积，其中，所述第二投影面积为所述第二有边界曲面集合在所述参考平面上的投影面积；对所述第一投影面积和所述第二投影面积进行计算，得到所述实际合格概率
。4.
根据权利要求3所述的存储芯片品质检测方法，其特征在于，在所述根据所述实际合格概率和预设合格概率阈值，得到所述待检测存储芯片的功能检测结果之后，还包括：当所述功能检测结果为不合格时，确定所述第一有边界曲面在所述参考平面上的投影的第一几何中心；确定所述第二有边界曲面集合在所述参考平面上的投影的第二几何中心；
计算所述第一几何中心与第二几何中心之间的欧式距离；并判断所述欧式距离是否大于预设偏移阈值；若是，则生成制造工艺报警指令，其中，所述制造工艺报警指令用于提示存储芯片的制造工艺不合格；若否，则生成工艺参数报警指令，其中，所述工艺参数报警指令用于提示存储芯片的设置的工艺参数不合格
。5.
根据权利要求1所述的存储芯片品质检测方法，其特征在于，所述根据所述目标参数组中的目标温度范围和目标湿度范围，确定多个湿热参数组，包括：在所述目标温度范围中确定预设选择数量的模拟温度，其中，数值相邻的所述模拟温度之间差值不变；在所述目标湿...

【专利技术属性】
技术研发人员：付万福，
申请(专利权)人：深圳市威科伟业电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：