【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法及半导体器件
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件
。
技术介绍
[0002]现有典型滤波器通常包括串联在输入端口和输出端口之间的至少一个串联谐振器
、
以及并联在输入端口和输出端口之间的至少一个并联谐振器，其中，串联谐振器和并联谐振器具有不同的频率
。
下面以串联谐振器和并联谐振器均采用薄膜体声波谐振器实现
、
且串联谐振器的频率高于并联谐振器的频率为例对现有滤波器的制造过程进行说明
。
[0003]具体地，首先提供衬底；接着刻蚀衬底以在待形成串联谐振器和并联谐振器的区域上分别形成凹槽，并利用牺牲材料填充该凹槽
(
为了便于描述，下文将与串联谐振器对应的凹槽称为凹槽
A
以及将填充在凹槽
A
内的牺牲材料称为牺牲材料
A
，将与并联谐振器对应的凹槽称为凹槽
B
以及将填充在凹槽内的牺牲材料称为牺牲材料
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供衬底；在所述衬底的上表面的第一区域内形成凹槽和填充该凹槽的第一牺牲层，以及在所述衬底的上表面的第二区域之上形成第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层的厚度小于待沉积的上电极材料的厚度；在所述衬底上沉积下电极层材料并对其进行图形化操作，以形成覆盖所述第一牺牲层的第一下电极以及覆盖所述第二牺牲层的第二下电极；沉积覆盖所述第一下电极和所述第二下电极的压电层，所述压电层包括堆叠在所述第一下电极之上的第一压电层和堆叠在所述第二下电极之上的第二压电层；在所述压电层上沉积上电极层材料并对其进行平坦化操作和图形化操作，以形成堆叠在所述第一压电层之上的第一上电极和堆叠在所述第二压电层之上的第二上电极，所述第一上电极的厚度大于所述第二上电极的厚度；移除所述第一牺牲层和第二牺牲层，以在所述第一下电极之下形成第一空腔，以及在所述第二下电极之下形成第二空腔
。2.
根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述衬底的上表面的第一区域内形成凹槽和填充该凹槽的第一牺牲层，以及在所述衬底的上表面的第二区域之上形成第二牺牲层的步骤包括：刻蚀所述衬底的上表面以在所述第一区域内形成凹槽，在所述衬底的上表面上沉积厚度大于所述凹槽的深度的第一牺牲材料；对所述第一牺牲材料进行平坦化操作，使所述第一牺牲材料的上表面与所述衬底的上表面齐平，填充在所述凹槽内的第一牺牲材料形成所述第一牺牲层；在所述衬底的上表面上沉积第二牺牲材料并对其进行图形化操作，以在所述衬底的上表面的所述第二区域之上形成第二牺牲层
。3.
根据权利要求1所述的制造方法，在形成所述第一上电极和所述第二上电极之后，该制造方法还包括：形成覆盖所述第一上电极和所述第二上电极的钝化层
。4.
根据权利要求1‑3中任一项所述的制造方法，在形成所述第一上电极和所述第二上电极之后，该制造方法还包括：形成贯穿所述压电层的通孔；在所述通孔中填充导电材料，所述导电材料分别接触所述第二上电极和所述第一下电极，使所述第二上电极和所述第一下电极形成电连接
。5.
一种半导体器件，该半导体器件至少包括第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器，其中：所述第一薄膜体声波谐振器包括衬底
、
第一空腔
、
依次堆叠在所述空腔之上的第一下电极
、
第一压电层和第一上电极，所述第一空腔位于所述衬底和所述第一下电极之间，在所述第一薄膜体声波谐振器的有效谐振区内，所述第一空腔向所述衬底的方向延伸；所述第二薄膜体声波谐振器包括所述衬底
、
第二空腔
、
依次堆叠在所述衬底之上的第二下电极
、
第二压电层和第二上电极，所述第二空腔位于所述衬底和所述第二下电极之间，在所述第二薄膜体声波谐振器的有效谐振区内，所述第二空腔向所述第二下电极的方向延
伸；在所述第一薄膜体声波谐振器和所述第二薄膜体声波谐振器的有效谐振区内，所述第一上电极的厚度大于所述第二上电极的厚度，所述第一压电层的厚度与所述第二压电层的厚度相等，所述第一下电极与所述第二下电极的厚度相等
。6.
根据权利要求5所述的半导体器件，其中：所述第一压电层与所述第二压电层相连
。7.
根据权利要求5所述的半导体器件，该半导体器件还包括：覆盖所述第一上电极和所述第二上电极的钝化层
。8.
根据权利要求5‑7中任一项所述的半导体器件，该半导体器件还包括：分别接触所述第二上电极和所述第一下电极的导电材料
。9.
一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供衬底；在所述衬底的上表面的...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏青云，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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