本发明专利技术提供一种衬底处理装置，能够缩短处理后的晶片的冷却时间，并提高吞吐能力。热遮蔽板（５０）具有向被保持在舟皿（３８）上的晶片（１４）吹出冷却气体（６８）的冷却气体吹出部（７０），在该冷却气体吹出部（７０）上，设有作为冷却气体（６８）的吹出口的多个吹出孔（７０ａ）。当晶片（１４）在晶片移载装置（３６ａ）和舟皿（３８）之间进行交接时，热遮蔽板（５０）退避到与其不发生干涉的位置（退避位置），当对晶片（１４）（以及舟皿（３８））进行冷却时，为了吸收并阻断来自晶片（１４）（以及舟皿（３８））的放热，热遮蔽板（５０）在晶片移载装置（３６ａ）与舟皿（３８）之间移动（冷却位置）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衬底处理装置。
技术介绍
若将在晶片处理室被实施了高温处理的晶片直接向移载室卸载，则由于来自晶片 的放热，而引起晶片移载室内的耐热性低的零件熔融、故障、有机成分等的脱气等，由此，产 生装置停止或晶片污染等问题。因此，在现有的纵型半导体制造装置中，将处理完毕的晶片 在晶片处理室内放置到其下降至某一程度的温度，然后，向移载室卸载。由于晶片的放置时 间对吞吐能力产生影响，因此，为了缩短该放置时间，设置用于从晶片处理室整体除去热量 而排出大量的空气的机构、或者采取向晶片处理室内流通惰性气体等对策。但是，为了除去热容量微小的晶片的热量，而从热容量绝对大的晶片处理室整体 将热量除去很不容易，在设备和能量方面浪费也很多。另外，在晶片处理室内，因大量地流 通惰性气体而产生的成膜颗粒或副产物颗粒的飞散成为成品率低下的原因。专利文献1中公开了一种半导体制造装置，在该半导体制造装置中，为了提高处 理后的舟皿、晶片与升降驱动部之间的热遮蔽性，而使升降驱动部的臂支承部成为在热遮 蔽板旁迂回并在水平方向上延伸的形状，热遮蔽板成为非接触地在臂支承部的内部的上下 贯通的状态。专利文献1 日本特开2005-285926号公报然而，在现有的技术中，存在处理后的晶片的冷却时间较长，吞吐能力低下的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够缩短处理后的晶片的冷却时间，提高吞吐能力的衬 底处理装置。为了实现上述目的，本专利技术的衬底处理装置具有处理室，对衬底进行处理；衬底 支承部件，支承衬底，并将支承的衬底向所述处理室内搬运；移载机，将衬底搬运到所述衬 底支承部件上；以及非密闭型的遮蔽部，其设在所述衬底支承部件与所述移载机之间。由 此，能够缩短处理后的晶片的冷却时间。优选地，所述遮蔽部具有吹出清洁气体的吹出部。优选地，所述遮蔽部被设置为能够在对由所述衬底支承部件支承的衬底进行冷却 的冷却位置和从该冷却位置退避的退避位置之间移动，所述遮蔽部在所述衬底支承部件将 搬入到所述处理室内的衬底从所述处理室内搬出之前移动到冷却位置，从处于冷却位置上 的所述遮蔽部的所述吹出部吹出的清洁气体的流量，比处于退避位置时的流量大。由此，能 够防止颗粒飞散。优选地，从所述吹出部向由所述衬底支承部件支承的衬底吹出的清洁气体的流量 逐渐增大。由此，能够防止衬底因急剧冷却而发生破损。优选地，从所述吹出部向由所述衬底支承部件支承的衬底吹出的清洁气体的温度逐渐降低。由此，能够防止衬底因急剧冷却而发生破损。优选地，在与所述遮蔽部相对的位置上设置排气装置。优选地，总是从所述吹出部吹出清洁气体。由此，能够防止吹出部被灰尘等阻塞。优选地，所述遮蔽部对由所述衬底支承部件支承的衬底周边的环境气体进行吸 引。优选地，所述遮蔽部具有向所述衬底支承部件的整个衬底载置区域吹出清洁气体的供给部。由此，能够同时对整个所述衬底支承部件进行冷却。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种使处理后的晶片的冷却时间缩短，并提高吞吐能力的衬底处理装置。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的立体透视图。图2是本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的侧剖视图。图3是本专利技术的一个实施方式中使用的热遮蔽板的后视图。图4是本专利技术的一个实施方式中使用的热遮蔽板的主视图。图5是本专利技术的一个实施方式中使用的热遮蔽板的说明图，图5(a)是热遮蔽板位 于退避位置时的俯视图，图5(b)是热遮蔽板位于冷却位置时的俯视图。图6是本专利技术的一个实施方式中使用的热遮蔽板的说明图，图6 (a)是热遮蔽板位 于退避位置时的俯视图，图6(b)是热遮蔽板位于冷却位置时的俯视图。附图标记说明10衬底处理装置12框体14曰t±" 日日/T16盒体36晶片移载机构38舟皿40处理炉50热遮蔽板52排气装置68冷却气体70冷却气体吹出部70a吹出孔具体实施例方式参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。本专利技术的实施方式的衬底处理装置10 例如构成为实施半导体装置的制造方法中的处理工序的半导体制造装置。图1表示作为本 专利技术的一个实施方式的衬底处理装置10的立体透视图。图2表示衬底处理装置10的侧视透视图。该衬底处理装置10是分批式纵型半导体制造装置，具有配置了主要部分的框体 12。在衬底处理装置10中，作为晶片载体而使用盒体16，该盒体16例如收纳有作为由硅形 成的衬底的晶片14。在框体12的正面壁12a的下方，配置有以能够进行维护的方式设置的 开口部即维护口 18，在该维护口 18上，设有能够开闭的维护门20。在该维护门20上，用于 搬入搬出盒体16的盒体搬入搬出口 22以连通框体12内外的方式设置，该盒体搬入搬出口 22通过前闸门24开闭。在盒体搬入搬出口 22的框体12内侧，设置有盒体载台26。盒体16在未图示的工序内搬运装置和盒体载台26之间被交接。通过工序内搬运 装置，盒体16以盒体16内的晶片14成为垂直姿态、并且盒体16的晶片出入口朝上的方式 载置在盒体载台26上。盒体载台26构成为以如下方式进行动作，使盒体16向框体12后 方侧绕右侧纵向旋转90度，使盒体16内的晶片14成为水平姿态，盒体16的晶片出入口朝 向框体12后方。在框体12内的前后方向大致中央部设置有盒体架28，该盒体架28以多层多列对 多个盒体16进行保管。在该盒体架28上设有移载架30，该移载架30收纳有成为后述的晶 片移载机构36的搬运对象的盒体16。在盒体载台26的上方设置有预备盒体架32，预备性地保管盒体16。在盒体载台26和盒体架28之间，设置有盒体搬运装置34。盒体搬运装置34由能 够在保持着盒体16的状态下升降的盒体升降机34a和搬运盒体16的盒体搬运机构34b构 成。盒体搬运装置34构成为通过盒体升降机34a和盒体搬运机构34b的连动动作，在盒体 载台26、盒体架28以及预备盒体架32之间搬运盒体16。在盒体架28的后方设置有晶片移载机构36，该晶片移载机构36由能够使晶片14 在水平方向上旋转或者直动的晶片移载装置36a和用于使晶片移载装置36a升降的晶片移 载装置升降机36b构成。晶片移载装置升降机36b设置在框体12的右侧端部。该晶片移 载机构36构成为，通过这些晶片移载装置36a以及晶片移载装置升降机36b的连动动作， 将晶片移载装置36a的夹钳36c作为晶片14的载置部，并将晶片14向作为以水平姿态多 层地保持晶片14的衬底支承部件的舟皿38进行装填或卸载。在框体12的后部上方，设有作为处理室的处理炉40。处理炉40的下端部构成为 能够通过炉口闸门42进行开闭。在处理炉40的下方，设有使舟皿38在处理炉40内升降 的作为升降机构的舟皿升降机44，在与该舟皿升降机44的升降台连结的作为连结部的臂 46上，水平地安装有作为盖体的密封盖48，该密封盖48构成为垂直地支承舟皿38，并能够 封闭处理炉40的下端部。舟皿38构成为具有多根保持部件，分别对多张(例如50张 150张左右)晶片 14以其中心对齐并在垂直方向上排列的状态水平地进行保持。在晶片移载机构36和舟皿38的升降位置之间，设有作为非密闭型的遮蔽部的可 动的热遮蔽板50。当晶片14在晶片移载装置36a和舟皿38之间进行交接时，热遮蔽板50 退避到与其不发生干涉的位置。此外，在框体1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，对衬底进行处理；衬底支承部件，支承衬底，并将支承的衬底向所述处理室内搬运；移载机，将衬底搬运到所述衬底支承部件上；以及非密闭型的遮蔽部，其设在所述衬底支承部件与所述移载机之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：油谷幸则，中岛诚世，岛田真一，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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