【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有对衬底进行处理的工序的衬底处理装置。
技术介绍
以往，作为例如DRAM等半导体装置的制造工序的一个工序，实施在衬底上形成薄 膜的衬底处理工序。所述衬底处理工序通过如下的衬底处理装置实施，该衬底处理装置具 有收纳以水平姿态多层层叠的衬底并对衬底进行处理的处理室；向处理室内供给处理气 体的处理气体供给喷嘴；对处理室内进行排气的排气管线。而且，将支承了多个衬底的衬底 保持构件搬入处理室内，通过排气管线对处理室内进行排气，并从处理气体供给喷嘴向处 理室内供给气体，由此，使气体在各衬底间通过从而在衬底上形成薄膜。但是，在上述衬底处理工序中，存在被供给到处理室内的处理气体不通过各衬底 间而流入未层叠有衬底的区域(例如，比层叠有衬底的区域高的区域，或比层叠有衬底的 区域低的区域)的情况。其结果，存在被供给到衬底的处理气体的流量减少，成膜速度降 低，或衬底面内或衬底间的衬底处理的均勻性降低的情况。另外，处理气体流入未层叠有衬底的区域时，存在处理气体附着在所述区域中的 处理室内壁上等，并生成成为异物发生要因的薄膜的情况。尤其，若未层叠有衬底的区域中的处理室内壁...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：收纳以水平姿态多层层叠的衬底并对所述衬底进行处理的处理室；向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给单元；向所述处理室内供给惰性气体的惰性气体供给单元；对所述处理室内进行排气的排气单元，所述处理气体供给单元具有以沿所述处理室的内壁的方式在所述衬底的层叠方向上延伸并向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给喷嘴，所述惰性气体供给单元具有向所述处理室内供给惰性气体的惰性气体供给喷嘴，该惰性气体供给喷嘴以沿所述处理室的内壁的方式在所述衬底的层叠方向上延伸并沿所述衬底的圆周方向从两侧夹着所述处理气体供给喷嘴，所述惰性气体供给喷嘴分别具有向所述衬底层叠...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈田格，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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