【技术实现步骤摘要】
用于存内计算操作的位线电压钳位读取电路
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年5月25日提交的美国专利临时申请No.63/345,518的优先权,该申请的公开内容通过引用并入本文。
[0003]实施例涉及一种利用静态随机存取存储器(SRAM)阵列的存内计算电路,并且具体地涉及一种在SRAM阵列的多行的同时访问期间对位线电压进行钳位以用于存内计算操作的读取电路。
技术介绍
[0004]参考图1,图1示出了存内计算电路10的示意图。电路10利用静态随机存取存储器(SRAM)阵列12,该SRAM阵列12由以具有N行和M列的矩阵格式布置的标准6T SRAM存储器单元14形成。作为替代,可以使用具有类似功能和拓扑结构的标准8T存储器单元或SRAM。每个存储器单元14被编程为存储用于存内计算操作的内核数据(kernel data)或计算权重的比特。在该上下文中,存内计算操作被理解为一种形式的高维矩阵向量乘法(MVM),该MVM支持存储在存储器的多位单元中的多位权重。该组位单元(在多位权重的情况下)可以被认为是虚拟突触元件(virtual synaptic element)。计算权重的每个位具有逻辑“1”或逻辑“0”值。
[0005]每个SRAM单元14包括字线WL以及一对互补位线BLT和BLC。8T型SRAM单元将另外包括读取字线RWL和读取位线BLR。矩阵的公共行中的单元14通过公共字线WL(并且在8T型实现方式中通过公共读取字线RWL)彼此连接。矩阵的公共列中的单元14通过 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存内计算电路,包括:存储器阵列,包括以具有多行和多列的矩阵布置的多个存储器单元,每行包括连接到所述行的所述存储器单元的字线,并且每列包括连接到所述列的所述存储器单元的第一位线;用于每行的字线驱动器电路,具有被连接以驱动所述行的所述字线的输出;行控制器电路,被配置为通过响应于用于存内计算操作的特征数据而将脉冲通过所述字线驱动器电路施加到所述字线,来同时致动所述多个字线;以及列处理电路,包括耦合到每个第一位线的第一读取电路,其中每个第一读取电路包括:第一差分放大器,具有耦合到所述第一位线的第一输入、被配置为接收参考电压的第二输入、和输出;其中在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,所述参考电压处于大于所述存储器单元的位翻转电压的电平;第一MOS晶体管,具有耦合到所述第一位线以接收所述第一读取电流的漏极和耦合到所述第一差分放大器的所述输出的栅极;第二MOS晶体管,具有耦合到所述第一差分放大器的所述输出的栅极和被配置为输出第一镜像读取电流的漏极;以及第一积分电容器,被配置为对所述第一镜像读取电流进行积分以生成第一输出电压。2.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一差分放大器和所述第一MOS晶体管用于将所述第一位线上的电压钳位到所述参考电压。3.根据权利要求1所述的电路,其中所述列处理电路还包括被配置为将所述第一输出电压转换为数字输出的模数转换器ADC电路。4.根据权利要求1所述的电路,还包括与所述第二MOS晶体管串联耦合的开关,其中所述开关由积分控制信号致动,以在所述存内计算操作期间控制所述第一积分电容器对所述第一镜像读取电流的积分。5.根据权利要求1所述的电路,其中在所述存内计算操作开始时,所述第一积分电容器响应于复位控制信号的断言而被放电。6.根据权利要求1所述的电路,其中每列还包括连接到所述列的所述存储器单元的第二位线,并且其中所述列处理电路还包括耦合到每个第二位线的第二读取电路,其中每个第二读取电路包括:第二差分放大器,具有耦合到所述第二位线的第一输入、被配置为接收所述参考电压的第二输入,和输出;第三MOS晶体管,具有耦合到所述第二位线以接收所述第二读取电流的漏极和耦合到所述第二差分放大器的所述输出的栅极;以及第四MOS晶体管,具有耦合到所述第二差分放大器的所述输出的栅极和被配置为输出第二镜像读取电流的漏极;以及第二积分电容器,被配置为对所述第二镜像读取电流进行积分以生成第二输出电压。7.根据权利要求6所述的电路:其中所述第一差分放大器和所述第一MOS晶体管用于将所述第一位线上的电压钳位到所述参考电压;并且
其中所述第二差分放大器和所述第三MOS晶体管用于将所述第二位线上的电压钳位到所述参考电压。8.根据权利要求6所述的电路,其中所述列处理电路还包括被配置为将所述第一输出电压与所述第二输出电压之间的差转换为数字输出的模数转换器ADC电路。9.根据权利要求6所述的电路,还包括与所述第二MOS晶体管和所述第四MOS晶体管中的每个晶体管串联耦合的开关,其中在所述存内计算操作期间,所述开关由积分控制信号致动,以控制所述第一积分电容器和所述第二积分电容器分别对所述第一镜像读取电流和所述第二镜像读取电流的积分。10.根据权利要求6所述的电路,其中在所述存内计算操作开始时,所述第一积分电容器和所述第二积分电容器响应于复位控制信号的断言而被放电。11.根据权利要求1所述的电路,其中每列还包括连接到所述列的所述存储器单元的第二位线,并且其中所述列处理电路还包括耦合到每个第二位线的第二读取电路,其中每个第二读取电路包括:第二差分放大器,具有耦合到所述第二位线的第一输入、被配置为接收所述参考电压的第二输入,和输出;第三MOS晶体管,具有耦合到所述第二位线以接收所述第二读取电流的漏极和耦合到所述第二差分放大器的所述输出的栅极;以及第四MOS晶体管,具有耦合到所述第二差分放大器的所述输出的栅极和被配置为输出第二镜像读取电流的漏极;其中所述第一积分电容器被配置为对所述第一镜像读取电流与所述第二镜像读取电流之间的差进行积分以生成所述第一输出电压。12.根据权利要求11所述的电路,其特征在于:其中所述第一差分放大器和所述第一MOS晶体管用于将所述第一位线上的电压钳位到所述参考电压;并且其中所述第二差分放大器和所述第三MOS晶体管用于将所述第二位线上的电压钳位到所述参考电压。13.根据权利要求11所述的电路,其中所述列处理电路还包括被配置为将所述第一输出电压转换为数字输出的模数转换器ADC电路。14.根据权利要求11所述的电路,还包括与所述第二MOS晶体管和所述第四MOS晶体管中的至少一个晶体管串联耦合的开关,其中在所述存内计算操作期间,所述开关由积分控制信号致动,以控制所述第一积分电容器对所述第一镜像读取电流与所述第二镜像读取电流之间的差的积分。15.根据权利要求11所述的电路,其中在所述存内计算操作开始时,所述第一积分电容器响应于复位控制信号的断言而被放电。16.根据权利要求1所述的电路,其中所述字线驱动器电路由自适应电源电压供电,并且所述电路还包括:电压发生器电路,被配置为在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,生成用于向所述字线驱动器电路供电的所述自适应电源电压,所述自适应电源电压具有根据集成电路工艺和/或温度条件的电平。
17.根据权利要求16所述的电路,其中所述电压发生器电路包括:电流源,被配置为生成施加到第一节点的电流;以及第一晶体管和第二晶体管的串联连接,在所述第一节点与参考节点之间;其中所述自适应电源电压在所述第一节点处生成;其中所述第一晶体管是所述存储器单元内的通栅晶体管的副本;其中所述第二晶体管是所述存储器单元内的下拉晶体管的副本。18.根据权利要求17所述的电路,其中:由所述电流源生成的所述电流具有被设置为取决于参考电流的大小,所述参考电流表示针对适用的集成电路工艺角流过所述通栅晶体管和所述下拉晶体管的电流;并且由所述电流源生成的所述电流的所述大小以施加到所述参考电流的因子被缩放;其中所述第一晶体管以所述因子被缩放为所述通栅晶体管的所述副本;并且其中所述第二晶体管以所述因子被缩放为所述下拉晶体管的所述副本。19.根据权利要求18所述的电路,其中所述列处理电路还包括被配置为将所述第一输出电压转换为数字输出的逐次逼近寄存器SAR型模数转换器ADC电路,所述SAR型ADC电路包括反馈电流数模转换器DAC电路,所述反馈DAC电路具有参考所述参考电流的选择性被致动的电流源。20.根据权利要求17所述的电路,还包括放大器电路,所述放大器电路具有耦合到所述第一节点的输入和被耦合以为所述字线驱动器电路供电的输出。21.根据权利要求17所述的电路,其中所述电流源被控制以生成对所述电流的调节,并且所述电路还包括控制电路,所述控制电路被配置为:响应于用于所述存储器单元的晶体管器件的适用的集成电路工艺角,而生成用以施加到所述电流源的控制信号,以将所述电流的电平调制远离标称电平。22.根据权利要求21所述的电路,其中所述适用的集成电路工艺角由存储在所述控制电路中的编程代码指示。23.根据权利要求22所述的电路,其中所述控制电路包括将所述编程代码与所述控制信号的值相关联的查找表LUT。24.根据权利要求21所述的电路,其中所述控制电路还包括温度传感器,并且其中所述控制信号被配置为:引起对响应于适用的集成电路工艺角设置的所述电流的所述电平的温度相关调谐。25.根据权利要求24所述的电路,其中所述控制电路包括将感测到的集成电路温度与所述控制信号的所述值的调谐电平相关的查找表LUT。26.根据权利要求1所述的电路,其中每个存储器单元是6TSRAM单元。27.一种存内计算电路,包括:存储器阵列,包括以具有多行以及第一列和第二列的矩阵布置的多个存储器单元,每行包括连接到所述行的所述存储器单元的字线,并且所述第一列和所述第二列中的每列包括连接到所述列的所述存储器单元的第一位线;用于每行的字线驱动器电路,具有被连接以驱动所述行的所述字线的输出;行控制器电路,被配置为通过响应于用于存内计算操作的特征数据而将脉冲通过所述字线驱动器电路施加到所述字线,来同时致动所述多个字线;以及
列处理电路,包括:第一读取电路,包括:第一电压钳位电路,被配置为在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,将所述第一列的所述第一位线上的电压钳位到参考电压;以及第一电流镜像电路,连接到所述第一电压钳位电路并且耦合到所述第一列的所述第一位线,所述第一电流镜像电路具有第一电流镜像比率,并且被配置为对所述第一列的所述第一位线上的第一读取电流进行镜像以生成第一镜像读取电流;第二读取电路,包括:第二电压钳位电路,被配置为在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,将所述第二列的所述第一位线上的电压钳位到所述参考电压;以及第二电流镜像电路,连接到所述第二电压钳位电路并且耦合到所述第二列的所述第一位线,所述第二电流镜像电路具有第二电流镜像比率,并且被配置为镜对述第二列的所述第一位线上的第二读取电流进行镜像以生成第二镜像读取电流;以及第一积分电容器,被配置为对所述第一镜像读取电流和所述第二镜像读取电流的总和进行积分以生成第一输出电压;其中在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,所述参考电压处于大于所述存储器单元的位翻转电压的电平。28.根据权利要求27所述的电路,其中所述第一镜像比率和所述第二镜像比率不同并且具有二进制权重。29.根据权利要求27所述的电路,其中所述列处理电路还包括被配置为将所述第一输出电压转换为数字输出的模数转换器ADC电路。30.根据权利要求27所述的电路,其中所述第一电流镜像电路和所述第二电流镜像电路中的每个电流镜像电路包括:差分放大器,具有耦合到所述第一位线的第一输入、被配置为接收所述参考电压的第二输入,和输出;第一MOS晶体管,具有耦合到所述第一位线以接收所述第一读取电流或所述第二读取电流的漏极和耦合到所述差分放大器的所述输出的栅极;以及第二MOS晶体管,具有耦合到所述差分放大器的所述输出的栅极和被配置为输出所述第一镜像读取电流或所述第二镜像读取电流的漏极。31.根据权利要求27所述的电路,其中所述第一电流镜像电路和所述第二电流镜像电路中的每个电流镜像电路被可切换地控制,以在所述存内计算操作期间响应于积分控制信号的断言而分别输出所述第一镜像读取电流和所述第二镜像读取电流。32.根据权利要求27所述的电路,其中在所述存内计算操作开始时,所述第一积分电容器响应于复位控制信号的断言而被放电。33.根据权利要求27所述的电路,其中每列还包括连接到所述列的所述存储器单元的第二位线,并且其中所述列处理电路还包括:第三读取电路,包括:第三电压钳位电路,被配置为在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,将所述第一列的所述第二位线上的电压钳位到所述参考电压;以及
第三电流镜像电路,连接到所述第三电压钳位电路并且耦合到所述第一列的所述第二位线,所述第三电流镜像电路具有所述第一电流镜像比率,并且被配置为对所述第一列的所述第二位线上的第三读取电流进行镜像以生成第三镜像读取电流;第四读取电路,包括:第四电压钳位电路,被配置为在用于所述存内计算操作的对所述多个字线进行的所述同时致动期间,将所述第二列的所述第二位线上的电压钳位到所述参考电压;以及第四电流镜像电路,连接到所述第四电压钳位电路并且耦合到所述第二列的所述第二位线,所述第四电流镜像电路具有所述第二电流镜像比率,并且被配置为对所述第二列的所述第二位线上的第四读取电流进行镜像以生成第四镜像读取电流;以及第二积分电容器,被配置为对所述第三镜像读取电流和所述第四镜像读取电流的总和进行积分以生成第二输出电压。34.根据权利要求33所述的电路,其中所述第一镜像比率和所述第二镜像比率不同并且具有二进制权重。35.根据权利要求33所述的电路,其中所述列处理电路还包括被配置为将所述第一输出电压与所述第二输出电压之间的差转换为数字输出的...
【专利技术属性】
技术研发人员:K,
申请(专利权)人:意法半导体国际有限公司,
类型:发明
国别省市:
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