数据织构时钟切换制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器控制器，该存储器控制器耦接至数据织构时钟域并且耦接至物理层接口电路

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】数据织构时钟切换

技术介绍

[0001]计算机系统通常使用廉价且高密度的动态随机存取存储器
(DRAM)
芯片作为主存储器
。
现今销售的大多数
DRAM
芯片与由联合电子设备工程委员会
(JEDEC)
发布的各种双倍数据速率
(DDR)DRAM
标准兼容
。
[0002]存储器控制器是管理通过存储器总线去往和来自
DRAM
的数据流的数字电路
。
已知的存储器控制器从主机系统接收存储器访问请求，将其存储在队列中，并且以由仲裁器选择的次序将其分派给
DRAM。
存储器控制器通常用于根据一组定义的功率状态而改变其功率状态，以便满足计算机系统的存储器使用需求，同时在可能的情况下节省功率
。
通常，根据规范
(
诸如高级配置和电源接口
(ACPI)
规范
)
来控制功率状态，该规范是用于计算机
(
诸如个人计算机
(PC)/>和服务器
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种存储器控制器，包括：存储器通道控制器，所述存储器通道控制器具有适于耦接至在第一时钟域中操作的数据织构的第一接口电路以及适于耦接至在第三时钟域中操作的物理层接口电路
(PHY)
的第二接口电路，其中所述存储器通道控制器根据一组定时参数而在第二时钟域中操作，其中所述第一接口电路包括用于调节所述第一时钟域与所述第二时钟域之间的传送的时钟接口电路；和功率控制器，所述功率控制器耦接至所述存储器通道控制器并且响应于功率状态改变请求用于将命令发送到所述第二接口电路以改变存储器系统的参数，并且用于根据多个功率状态中的所选择的功率状态而更新所述存储器通道控制器的所述一组定时参数，其中所述功率控制器还响应于使所述第一接口电路与所述第一时钟域的仅第一时钟信号的新频率同步的请求而改变所述时钟接口电路的一组定时参数，而不改变所述存储器系统的一组定时参数或所选择的功率状态
。2.
根据权利要求1所述的存储器控制器，其中与所述第一时钟域的仅第一时钟信号的新频率同步的所述请求包括功率状态覆写信号和后续功率状态命令，所述功率状态覆写信号使得所述功率控制器当响应于与所述第一时钟域的改变相关联的后续功率状态命令时禁用所选择的存储器控制器时钟域状态改变电路和存储器时钟域状态改变电路
。3.
根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述功率控制器还能够操作为：当在没有先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，从所述存储器控制器上的包含针对所述存储器控制器的操作参数的多组功率状态寄存器当中选择新的一组功率状态控制寄存器；以及当在存在先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，不选择新的一组功率状态控制寄存器
。4.
根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述功率控制器还能够操作为：当在没有先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，从所述
PHY
上的包含针对所述
PHY
的操作参数的多组功率状态控制寄存器当中选择所述
PHY
上的新的一组功率状态控制寄存器；以及当在存在先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，不选择所述
PHY
上的新的一组功率状态控制寄存器
。5.
根据权利要求4所述的存储器控制器，其中所述
PHY
上的所述多组功率状态控制寄存器各自对应于连接至所述
PHY
并且与所述存储器控制器相关联的动态随机存取存储器
(DRAM)
的所支持的功率状态
。6.
根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括锁相环路
(PLL)
，所述
PLL
向所述第二时钟域供给时钟信号并且耦接至所述功率控制器
。7.
一种方法，包括：在存储器控制器处接收功率状态命令，并且作为响应，改变存储器控制器时钟域和存储器时钟域中的至少一者的操作频率，使存储器控制器总线接口与数据织构时钟域重新同步，以及使物理层接口
(PHY)
与所述存储器控制器重新同步；以及接收使所述存储器控制器与所述数据织构时钟域的仅第一时钟信号的频率重新同步的请求，并且作为响应，在不使所述
PHY
与所述存储器控制器重新同步的情况下改变所述数
据织构时钟域与所述存储器控制器时钟域之间的时钟接口电路的一组定时参数，改变所述存储器或所述存储器控制器的一组定时参数
。8.
根据权利要求7所述的方法，其中使所述存储器控制器重新同步的所述请求包括功率状态覆写信号和后续功率状态命令，所述方法还包括当响应于与所述数据织构时钟域的改变相关联的后续功率状态命令时禁用所选择的存储器控制器时钟域状态改变电路和存储器时钟域状态改变电路
。9.
根据权利要求7所述的方法，还包括：当在没有先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，从所述存储器控制器上的包含针对所述存储器控制器的操作参数的多组功率状态控制寄存器当中选择新的一组功率状态控制寄存器；以及当在存在先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，不选择新的一组功率状态控制寄存器
。10.
根据权利要求7所述的方法，还包括：当在没有先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，从所述
PHY
上的包含针对所述
PHY
的操作参数的多组功率状态控制寄存器当中选择所述
PHY
上的新的一组功率状态控制寄存器；以及当在存在先前功率状态命令覆写信号的情况下响应于功率状态命令时，不选择所述
PHY
上的新的一组功率状态控制寄存器
。11.
根据权利要求
10
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯，
申请(专利权)人：超威半导体公司，
类型：发明
国别省市：