一种硅片表面离子采集装置及方法制造方法及图纸

本公开提供一种硅片表面离子采集装置及方法，该装置包括：承载台，承载台用于承载硅片，硅片表面包括第一区域和第二区域；扫描单元，包括位于承载台上方的扫描头，扫描头与承载台之间可相对运动，以向第一区域涂布扫描液；吹扫单元，包括位于承载台上方的吹气头，吹气头能够吹送从第一区域扫向第二区域的气体，以使第一区域的扫描液被吹扫移动且聚集至第二区域；收集单元，包括位于承载台上方的收集头，收集头能够收集聚集于第二区域的扫描液

【技术实现步骤摘要】
一种硅片表面离子采集装置及方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种硅片表面离子采集装置及方法
。

技术介绍

[0002]在相关技术中，对硅片表面测试时，阴阳离子或金属离子测试等，样品可通过手动方式收集测试或者采用测试设备收集测试
。
手动收集测试方式存在定量不准
、
污染水平较高
、
化学品使用存在危险性等问题
。
测试设备进行样品收集过程如下：由注射器或真空管吸取一定量的扫描液，并聚集在扫描头的顶端，扫描头与硅片表面接触，旋转硅片及扫描头在硅片上的径向移动，扫描头从硅片表面扫描，在扫描过程中完成硅片表面离子的采集
。
然而，测试设备收集样品时，对于一些亲水性较强的硅片，很容易将扫描液吸附在硅片表面，从而难以回收
。
为了避免这种情况，目前是将扫描速度降低，以极低的扫描速率完成整个扫描过程，从而导致测试效率较低
。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种硅片表面离子采集装置及方法，能够有效地完成硅片表面离子采集
。
[0004]本公开所提供的技术方案如下：
[0005]一种硅片表面离子采集装置，包括：
[0006]承载台，所述承载台用于承载硅片，所述硅片表面包括第一区域和第二区域；
[0007]扫描单元，包括位于所述承载台上方的扫描头，所述扫描头与所述承载台之间可相对运动，以向所述第一区域涂布扫描液；
[0008]吹扫单元，包括位于所述承载台上方的吹气头，所述吹气头能够吹送从所述第一区域扫向所述第二区域的气体，以使所述第一区域的扫描液被吹扫移动且聚集至所述第二区域；及
[0009]收集单元，包括位于所述承载台上方的收集头，所述收集头能够收集聚集于所述第二区域的扫描液
。
[0010]在本公开的一个实施例中，所述第一区域为所述硅片表面的边缘区域，所述第二区域为所述硅片表面的中心区域，所述吹气头的吹气方向被配置为沿硅片径向
、
从硅片边缘向中心吹气，且吹气方向平行于所述硅片表面
。
[0011]在本公开的一个实施例中，所述吹气头能够沿着所述承载台周向移动；和
/
或，所述承载台能够绕其中心旋转
。
[0012]在本公开的一个实施例中，所述扫描头能够沿着所述承载台周向移动；和
/
或，所述承载台能够绕该承载台自身中心旋转
。
[0013]在本公开的一个实施例中，所述吹扫单元包括多个所述吹气头，且多个所述吹气头关于所述承载台的中心呈对称分布
。
[0014]在本公开的一个实施例中，所述吹气头被配置为沿硅片径向可伸缩和
/
或沿硅片
径向可移动
。
[0015]在本公开的一个实施例中，所述扫描单元还包括连通至所述扫描头的液体管路组件
、
及用于控制所述液体管路组件切换工作模式的控制组件，所述液体管路组件的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，其中，
[0016]在所述第一工作模式下，所述液体管路组件向所述扫描头输送扫描液，
[0017]在所述第二工作模式下，所述液体管路组件为所述扫描头提供抽吸负压，以使所述扫描头被复用为所述收集头
。
[0018]第二方面，本公开实施例中提供了一种硅片表面离子采集方法，所述方法包括如下步骤：
[0019]将硅片承载于所述承载台上；
[0020]控制所述扫描头与所述承载台之间相对运动，并向硅片表面的第一区域涂布扫描液；
[0021]控制所述吹气头吹送从所述第一区域扫向所述第二区域的气体，以使所述第一区域的扫描液被吹送且聚集于所述第二区域；
[0022]控制所述收集头收集聚集于所述第二区域的扫描液
。
[0023]在本公开的一个实施例中，所述第一区域为所述硅片的边缘区域，所述第二区域为所述硅片的中心区域时，所述控制所述吹气头吹送从所述第一区域扫向所述第二区域的气体，以使所述第一区域的扫描液被吹送且聚集于所述第二区域，具体包括：
[0024]控制所述吹气头沿硅片径向
、
从所述硅片边缘向硅片中心吹送气体，其中，
[0025]在吹气过程中，控制所述吹气头和所述承载台中一者相对另一者转动，以使所述吹气头相对所述承载台绕所述承载台的中心转动；和
/
或，在吹气过程中，控制所述吹气头随扫描液的移动而沿硅片径向伸缩或移动
。
[0026]在本公开的一个实施例中，所述扫描单元还包括连通至所述扫描头的液体管路组件，所述方法中，
[0027]在所述控制所述扫描头与所述承载台之间相对运动，并向硅片表面的第一区域涂布扫描液的过程中，控制所述液体管路组件切换至第一工作模式，以向所述扫描头输送扫描液；
[0028]在所述控制所述收集头收集聚集于所述第二区域的扫描液时，控制所述液体管路组件切换至第二工作模式，以向所述扫描头提供抽吸负压以收集扫描液
。
[0029]本公开的有益效果如下：
[0030]本公开实施例所提供的硅片表面离子采集装置及方法中，通过扫描头可向硅片表面的第一区域涂布扫描液，扫描液在第一区域涂布完成之后，可通过吹气头沿着从第一区域指向第二区域的方向向硅片的表面来吹扫气体，目的是，将第一区域的扫描液吹扫至第二区域，并在第二区域聚集扫描液，之后可通过收集头收集第二区域的扫描液
。
如此，针对一些亲水性较强的硅片，可对扫描液进行吹扫，使扫描液更均匀扫描硅片表面；并且，通过吹扫扫描液，使扫描液从第一区域逐渐聚集于第二区域，这样，可避免扫描液吸附在硅片表面而难以回收的问题，从而提高硅片表面离子收集效率，及提升表面离子测试准确率
。
附图说明
[0031]图1表示本公开实施例中的硅片表面离子采集装置的主视图；
[0032]图2表示本公开实施例中的硅片表面离子采集装置的俯视图之一；
[0033]图3表示本公开实施例中的硅片表面离子采集装置的俯视图之二
。
具体实施方式
[0034]为使本公开实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围
。
[0035]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义
。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序
、
数量或者重要性，而只本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅片表面离子采集装置，其特征在于，包括：承载台，所述承载台用于承载硅片，所述硅片表面包括第一区域和第二区域；扫描单元，包括位于所述承载台上方的扫描头，所述扫描头与所述承载台之间可相对运动，以向所述第一区域涂布扫描液；吹扫单元，包括位于所述承载台上方的吹气头，所述吹气头能够吹送从所述第一区域扫向所述第二区域的气体，以使所述第一区域的扫描液被吹扫移动且聚集至所述第二区域；及收集单元，包括位于所述承载台上方的收集头，所述收集头能够收集聚集于所述第二区域的扫描液
。2.
根据权利要求1所述的硅片表面离子采集装置，其特征在于，所述第一区域为所述硅片表面的边缘区域，所述第二区域为所述硅片表面的中心区域，所述吹气头的吹气方向被配置为沿硅片径向
、
从硅片边缘向中心吹气，且吹气方向平行于所述硅片表面
。3.
根据权利要求1所述的硅片表面离子采集装置，其特征在于，所述吹气头能够沿着所述承载台周向移动；和
/
或，所述承载台能够绕该承载台自身中心旋转
。4.
根据权利要求1所述的硅片表面离子采集装置，其特征在于，所述扫描头能够沿着所述承载台周向移动；和
/
或，所述承载台能够绕其中心旋转
。5.
根据权利要求1所述的硅片表面离子采集装置，其特征在于，所述吹扫单元包括多个所述吹气头，且多个所述吹气头关于所述承载台的中心呈对称分布
。6.
根据权利要求1所述的硅片表面离子采集装置，其特征在于，所述吹气头被配置为沿硅片径向可伸缩和
/
或沿硅片径向可移动
。7.
根据权利要求1所述的硅片表面离子采集装置，其特征在于，所述扫描单元还包括连通至所述扫描头的液体管路组件
、
及用于控制所述液...

【专利技术属性】
技术研发人员：何刚，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：