【技术实现步骤摘要】
一种晶片喷淋刻蚀装置
[0001]本技术涉及半导体晶片领域,尤其涉及一种晶片喷淋刻蚀装置
。
技术介绍
[0002]晶片加工过程中会带来各种金属杂质沾污,进而导致后道器件的失效,轻金属会导致器件击穿电压降低,重金属会导致器件寿命降低
。
因此晶片作为器件的原材料,其表面金属含量会直接影响器件的合格率
。
目前进行硅晶片表面金属污染的检测,由于晶片必然需要与空气发生接触,因此在其表面会形成氧化层,因此需要去除氧化硅薄膜,方可进行取样检测
。
[0003]常见的做法是将晶片表面暴露于强酸雾化气中,以溶解晶片表面的氧化硅薄膜,得到含有金属元素的提取液,再进行提取液金属元素分析
。
但是现有的刻蚀装置中存在如下缺点:体积大,结构多操作复杂,且造价昂贵,因此需要一种晶片喷淋刻蚀装置
。
技术实现思路
[0004]本技术旨在提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种晶片喷淋刻蚀装置,以解决现有的刻蚀装置体积大,结构多操作复杂,且造价昂贵的问题
。
[0005]为达到上述目的,本技术的技术方案具体是这样实现的:
[0006]本技术的提供了一种晶片喷淋刻蚀装置,包括:操作台,所述操作台的顶面开设有刻蚀操作槽,所述操作台的一侧开设有放料口,所述操作台的顶端设有遮蔽盖,所述遮蔽盖为透明材料,所述刻蚀操作槽的内底部设有驱动部件,所述驱动部件用于驱动晶片旋转;
[0007]刻蚀组件,所述刻蚀组件设置在刻蚀操作 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种晶片喷淋刻蚀装置,其特征在于,包括:操作台(1),所述操作台(1)的顶面开设有刻蚀操作槽(5),所述操作台(1)的一侧开设有放料口(2),所述操作台(1)的顶端设有遮蔽盖(8),所述遮蔽盖(8)为透明材料,所述刻蚀操作槽(5)的内底部设有驱动部件,所述驱动部件用于驱动晶片旋转;刻蚀组件,所述刻蚀组件设置在刻蚀操作槽(5)的内部,用于对晶片进行刻蚀操作
。2.
根据权利要求1所述的一种晶片喷淋刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀组件包括:输料管(9),所述输料管(9)设置在操作台(1)的一侧,所述输料管(9)的一端穿过所述操作台(1)的一侧并延伸至所述刻蚀操作槽(5)的内部,所述输料管(9)的一端固定安装有喷头(
10
)
。3.
根据权利要求1所述的一种晶片喷淋刻蚀装置,其特征在于,所述驱动部件包括驱动电机(4)和转盘(6),所述驱动电机(4)固定安装在操作台(1)的底面上,所述驱动电机(4)的驱动轴穿过所述操作台(1)的底面并延伸至所述刻蚀操作槽(5)的内部底面,所述转盘(6)固定安装在驱动电机(4)的驱动轴的顶端上
。4.
根据权利要求3所述的一种晶片喷淋刻蚀装置,其特征在于,所述转盘(6)的顶面上设有夹持部件,所述夹持部件用于稳定夹持住晶片,所述夹持部件包括若干个固定块(
11
),所述固定块(
11
)设置在转盘(6)的顶面的延伸杆的外端上,所述固定块(
11
)的一侧设置有活动块(
13
),所述活动块(
13
【专利技术属性】
技术研发人员:陆城燕,鉏晨涛,肖滋兰,朱琪,
申请(专利权)人:浙江埃纳检测技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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