一种平面紧凑型制造技术

本发明专利技术公开一种平面紧凑型

【技术实现步骤摘要】
一种平面紧凑型L波段波导功率合成系统和方法


[0001]本专利技术涉及雷达

。
更具体地，涉及一种平面紧凑型
L
波段波导功率合成系统和方法
。

技术介绍

[0002]超宽带雷达是雷达技术的一个重要的发展方向，超宽带发射机作为超宽带雷达的核心部件其工作带宽决定着雷达的距离分辨力
、
目标识别能力和抗干扰性能
。
然而，现有固态超宽带发射机多为分体式，并存在体积大
、
热容量低的问题，且受限于自身半导体物理特性以及加工工艺等的影响，工作带宽受限，输出功率有限
。
[0003]因此，需要提供一种平面紧凑型
L
波段波导功率合成系统和方法
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种平面紧凑型
L
波段波导功率合成系统和方法，以解决现有技术存在的问题中的至少一个
。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]本专利技术第一方面提供一种平面紧凑型
L
波段波导功率合成系统，该系统包括平面带状线散热模块
、
层叠式魔
T
功率合成电路模块和平面功率合成模块，其中，
[0007]所述平面带状线散热模块包括陶瓷导热结构，用于接收末级功率放大电路模块输出的
kW
级别的第一微波功率信号并进行平面合成，并输出平面合成后的第二微波功率信号，所述陶瓷导热结构用于传输平面合成损耗产生的热量；
[0008]所述层叠式魔
T
功率合成电路模块，用于对所述合成后的第二微波功率信号进行合成处理，并将所述合成后的第三微波信号输出至所述平面功率合成模块；
[0009]所述平面功率合成模块，用于接收所述第三微波功率信号并进行平面合成，输出平面合成后的第四微波功率信号
。
[0010]可选地，所述平面带状线散热模块包括
N
型同轴连接器
、
射频电路基板
、
微波传输线和输出过渡波导接口，其中，
[0011]所述
N
型同轴连接器，用于接收末级功率放大电路模块输出的
kW
级别的第一微波功率信号；
[0012]所述射频电路基板与所述微波传输线，用于对所述
N
行同轴连接器输出的第一微波功率信号进行合成并输出至所述输出过渡波导接口；
[0013]所述输出过渡波导接口，用于接收所述第二微波功率信号，并将所述第二微波功率信号进行转换并输出至所述层叠式魔
T
功率合成电路模块
。
[0014]可选地，所述层叠式魔
T
功率合成电路模块包括第一波导结构和结晶硅吸收体，
[0015]所述第一波导结构包括波导壳体和波导壳体盖板，用于对所述第二微波功率信号进行合成并将合成后的第三微波功率信号进行传输；
[0016]所述结晶硅吸收体，用于消除所述平面带状线散热模块输出的第二微波功率信号
之间不匹配造成的功率反射
。
[0017]可选地，所述平面功率合成模块包括第二波导结构和减高波导过渡结构，其中，
[0018]所述第二波导结构包括波导壳体和波导壳体盖板，用于对所述第三微波功率信号进行平面合成并将合成后的第四微波功率信号传输至隔离器；
[0019]所述减高波导过渡结构，用于将所述平面功率合成模块中的减高波导过渡为当前频段的标准波导
。
[0020]可选地，所述系统还包括隔离器和功率耦合器，所述隔离器，用于将所述第四微波功率信号经功率耦合器后发送至收发天馈系统，所述隔离器还用于保护收发天馈系统因不匹配造成的反射信号对发射机功率放大组件造成破坏，所述隔离器包括微波直通电路和微波隔离电路，其中，
[0021]所述微波直通电路，用于将所述第四微波功率信号输出至所述系统的收发天馈系统进行辐射；
[0022]所述微波隔离电路，用于对有源器件进行保护；
[0023]所述功率耦合器，用于对输出的第四微波放大信号进行实时功率监测，监测其运行状态
。
[0024]可选地，所述系统还包括供电控制保护电路模块，所述供电控制保护电路模块包括温度控制保护电路和风机，其中，
[0025]所述温度控制保护电路，用于接收散热系统的控制信号，将温度信号反馈至温度控制保护电路，还用于控制风机工作；
[0026]所述风机，与所述温度控制保护电路连接，用于散热
。
[0027]本专利技术第二方面提供一种平面紧凑型
L
波段波导功率合成方法，该方法包括
[0028]通过所述平面带状线散热模块将末级功率放大电路模块输出的
kW
级别的第一微波功率信号进行平面合成，并输出平面合成后的第二微波功率信号，平面带状线散热模块中的陶瓷导热结构将平面合成损耗产生的热量传输至壳体；
[0029]通过所述层叠式魔
T
功率合成电路模块将所述第二微波功率信号进行合成处理，并将合成后的第三微波信号输出至所述平面功率合成模块；
[0030]通过所述平面功率合成模块将所述第三微波功率信号并进行平面合成，输出平面合成后的第四微波功率信号
。
[0031]可选地，所述平面带状线散热模块包括
N
型同轴连接器
、
射频电路基板
、
微波传输线和输出过渡波导接口，其中，
[0032]将所述末级功率放大电路模块输出的
kW
级别的第一微波功率信号发送至
N
型同轴连接器；
[0033]通过所述射频电路基板与所述微波传输线，对所述
N
行同轴连接器输出的第一微波功率信号进行平面合成，获得第二微波功率信号，并输出至所述输出过渡波导接口；
[0034]通过所述输出过渡波导接口将所述第二微波功率信号由带状线形式转换成为波导形式，并输出至所述层叠式魔
T
功率合成电路模块
。
[0035]可选地，所述层叠式魔
T
功率合成电路模块包括第一波导结构和结晶硅吸收体，所述第一波导结构包括波导壳体和波导壳体盖板，
[0036]通过第一波导结构对所述第二微波功率信号进行合成并将合成后的第三微波功
率信号传输至所述平面功率合成模块；
[0037]通过结晶硅吸收体消除所述第二微波功率信号之间不匹配造成的功率反射
。
[0038]可选地，所述平面功率合成模块包括第二波导结构和减高波导过渡结构，所述第二波导结构包括波导壳体和波导壳体盖板，
[0039]通过所述第二波导结构对所述第三微波功率信号进行平面合成并将合成后的第四微波功率信号传输至隔离器；
[0040]根据减高波导过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种平面紧凑型
L
波段波导功率合成系统，其特征在于，该系统包括：平面带状线散热模块
、
层叠式魔
T
功率合成电路模块和平面功率合成模块，其中，所述平面带状线散热模块包括陶瓷导热结构，用于接收末级功率放大电路模块输出的
kW
级别的第一微波功率信号并进行平面合成，并输出平面合成后的第二微波功率信号，所述陶瓷导热结构用于传输平面合成损耗产生的热量；所述层叠式魔
T
功率合成电路模块，用于对所述合成后的第二微波功率信号进行合成处理，并将所述合成后的第三微波信号输出至所述平面功率合成模块；所述平面功率合成模块，用于接收所述第三微波功率信号并进行平面合成，输出平面合成后的第四微波功率信号
。2.
根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述平面带状线散热模块包括
N
型同轴连接器
、
射频电路基板
、
微波传输线和输出过渡波导接口，其中，所述
N
型同轴连接器，用于接收末级功率放大电路模块输出的
kW
级别的第一微波功率信号；所述射频电路基板与所述微波传输线，用于对所述
N
行同轴连接器输出的第一微波功率信号进行合成并输出至所述输出过渡波导接口；所述输出过渡波导接口，用于接收所述第二微波功率信号，并将所述第二微波功率信号进行转换并输出至所述层叠式魔
T
功率合成电路模块
。3.
根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述层叠式魔
T
功率合成电路模块包括第一波导结构和结晶硅吸收体，所述第一波导结构包括波导壳体和波导壳体盖板，用于对所述第二微波功率信号进行合成并将合成后的第三微波功率信号进行传输；所述结晶硅吸收体，用于消除所述平面带状线散热模块输出的第二微波功率信号之间不匹配造成的功率反射
。4.
根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述平面功率合成模块包括第二波导结构和减高波导过渡结构，其中，所述第二波导结构包括波导壳体和波导壳体盖板，用于对所述第三微波功率信号进行平面合成并将合成后的第四微波功率信号传输至隔离器；所述减高波导过渡结构，用于将所述平面功率合成模块中的减高波导过渡为当前频段的标准波导
。5.
根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括隔离器和功率耦合器，其中，所述隔离器，用于将所述第四微波功率信号经功率耦合器后发送至收发天馈系统；所述隔离器还用于保护收发天馈系统因不匹配造成的反射信号对发射机功率放大组件造成破坏，所述隔离器包括微波直通电路和微波隔离电路，所述微波直通电路，用于将所述第四微波功率信号输出至所述系统的收发天馈系统进行辐射；所述微波隔离电路，用于对有源器件进行保护；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奕，张萧，张颖，孙飞，苏卓楠，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：