磁传感器制造技术

本发明专利技术提供一种能够在远离磁场源的位置检测微弱的磁场的磁传感器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器


[0001]本专利技术涉及磁传感器，特别涉及能够从远离磁场源的位置检测微弱的磁场的磁传感器
。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种磁传感器，其通过使用棒状的磁性体使磁通集中于传感器芯片，从而提高了检测灵敏度
。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利
6610178
号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]然而，专利文献1所记载的磁传感器需要通过使集磁体靠近磁场源来进行测量，不容易在远离磁场源的位置检测微弱的磁场
。
[0008]因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够在远离磁场源的位置检测微弱的磁场的磁传感器
。
[0009]用于解决技术问题的手段
[0010]本专利技术的磁传感器的特征在于，具备：第一磁性体和第二磁性体，其以集磁面相互朝向相反侧的方式配置；和磁检测部，其检测通过第一磁性体与第二磁性体之间的磁通
。
[0011]根据本专利技术，从第一磁性体的集磁面集磁的磁通经由磁检测部而通过第二磁性体的集磁面，因此能够高效地对在空间中扩散的磁场进行集磁
。
由此，即使与磁场源的距离远，也能够在磁场的均匀性高的条件下进行集磁
。
[0012]在本专利技术中，第一磁性体的集磁面和第二磁性体的集磁面可以相互平行
。
由此，通过使第一磁性体和第二磁性体的集磁面相对于磁通垂直，从而能够灵敏度良好地检测微弱的磁场
。
[0013]在这种情况下，可以是，集磁面沿第一方向和与第一方向垂直的第二方向延伸，第一磁性体和第二磁性体分别包含：与磁检测部磁耦合的磁耦合部
、
和从磁耦合部沿第一方向延伸并构成集磁面的集磁部
。
由此，能够通过调整集磁部的尺寸来调整集磁效率
。
进一步地，在这种情况下，第一磁性体和第二磁性体的集磁部可以从磁耦合部向第一方向的两侧延伸
。
由此，能够进一步提高集磁效率
。
此外，第一磁性体和第二磁性体的集磁部可以具有从磁耦合部沿第二方向延伸的部分
。
在这种情况下，也能够进一步提高集磁效率
。
[0014]专利技术效果
[0015]这样，根据本专利技术，能够提供一种能够在远离磁场源的位置检测微弱的磁场的磁传感器
。
附图说明
[0016]图1是用于说明本专利技术的第一实施方式的磁传感器1的构造的示意图，
(a)
是
xy
平面图，
(b)
是
yz
平面图
。
[0017]图2的
(a)
是用于说明使用磁传感器1的磁场的检测方法的示意图，图2的
(b)
是其放大图
。
[0018]图3是用于说明本专利技术的第二实施方式的磁传感器2的构造的大致立体图
。
[0019]图4是用于说明本专利技术的第二实施方式的磁传感器2的构造的大致立体图
。
[0020]图5是表示将构成磁检测部
30
的传感器芯片与磁性体
10、20
分离的状态的大致分解立体图
。
[0021]图6是构成磁检测部
30
的传感器芯片的大致俯视图
。
[0022]图7是沿着图6的
B
‑
B
线的大致截面图
。
[0023]图8是用于说明本专利技术的第三实施方式的磁传感器3的构造的大致立体图
。
[0024]图9是用于说明本专利技术的第四实施方式的磁传感器4的构造的大致立体图
。
[0025]符号说明
[0026]1～4磁传感器
[0027]10、20
磁性体
[0028]11、21
集磁部
[0029]11a、21a
集磁面
[0030]11b、21b
背面
[0031]12、22、22a、22b
磁耦合部
[0032]23
区域
[0033]30
磁检测部
[0034]31
元件形成面
[0035]32
背面
[0036]33
～
36
侧面
[0037]37、38
绝缘层
[0038]40
基板
[0039]50
支承体
[0040]A
磁场源
[0041]G1
～
G4
磁隙
[0042]M1
～
M3、M11、M21、M31、M12、M22、M32
磁性体层
[0043]R1
～
R4
磁敏元件
[0044]φ
磁通
具体实施方式
[0045]以下，参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细说明
。
[0046]<
第一实施方式
>
[0047]图1是用于说明本专利技术的第一实施方式的磁传感器1的构造的示意图，
(a)
是
xy
平面图，
(b)
是
yz
平面图
。
[0048]如图1所示，第一实施方式的磁传感器1具备磁性体
10、20
和磁检测部
30。
磁性体
10、20
由铁氧体等高磁导率材料构成，分别具有：对成为检测对象的磁场进行集磁的集磁部
11、21
；和与磁检测部
30
磁耦合，将集磁后的磁通施加于磁检测部
30
的磁耦合部
12、22。
[0049]集磁部
11
具有构成
yz
平面的集磁面
11a
和位于其相反侧的背面
11b
，集磁部
12
具有构成
yz
平面的集磁面
21a
和位于其相反侧的背面
21b。
集磁面
11a、21a
相互朝向相反侧，背面
11b、21b
相互面对面
。
这样，集磁面
11a、21a
相互平行
。
磁检测部
30
以在
x
方向上被夹在磁性体
10
的磁耦合部
12
与磁性体
20
的磁耦合部
22
之间的方式配置，由此检测通过磁性体
10
的磁耦合部
12
与磁性体
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种磁传感器，其特征在于：具备：第一磁性体和第二磁性体，以集磁面相互朝向相反侧的方式配置；和磁检测部，检测通过所述第一磁性体与所述第二磁性体之间的磁通
。2.
根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述第一磁性体的所述集磁面与所述第二磁性体的所述集磁面相互平行
。3.
根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于：所述集磁面沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述第一磁性体和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：恶七泰树，笠岛多闻，
申请(专利权)人：TDK，
类型：发明
国别省市：