突发读取数据存储制造技术

本文中描述的实施方案涉及突发数据读取存储

【技术实现步骤摘要】
突发读取数据存储


[0001]本公开大体上涉及存储器装置
、
由存储器装置执行的方法及突发读取数据存储
。

技术介绍

[0002]也可称为“NAND”或“NAND
存储器装置”的
NAND
快闪存储器是非易失性类型的存储器装置，其使用与
NAND
逻辑门类似或相似的电路系统来即使在没有供应电源的情况下也实现数据的电编程
、
擦除及存储
。NAND
可用于各种类型的电子装置中，例如计算机
、
移动电话或汽车计算系统以及其它实例
。
[0003]NAND
存储器装置可包含快闪存储器单元阵列
、
页面缓冲器及列解码器
。
另外，
NAND
存储器装置可包含控制逻辑单元
(
例如控制器
)、
行解码器或地址缓冲器以及其它实例
。
存储器单元阵列可包含连接到在列方向上延伸的位线的存储器单元串
。
[0004]NAND
存储器装置的可称为“单元”或“数据单元”的快闪存储器单元可包含形成于半导体衬底上的源极与漏极之间的电流路径
。
快闪存储器单元可进一步包含形成于半导体衬底上的绝缘层之间的浮动栅极及控制栅极
。
快闪存储器单元的编程操作
(
有时称为写入操作
)
通常通过将存储器单元的源极及漏极区域及块状区域的半导体衬底接地及将可称为“编程电压”、“编程电力电压”或“VPP”的高正电压施加到控制栅极以在浮动栅极与半导体衬底之间产生福勒
‑
诺德海姆
(Fowler
‑
Nordheim)
隧穿
(
称为“F
‑
N
隧穿”)
来完成
。
当
F
‑
N
隧穿发生时，块状区域的电子通过施加到控制栅极的
VPP
的电场积累于浮动栅极上以增加存储器单元的阈值电压
。
[0005]快闪存储器单元的擦除操作通过将可称为“擦除电压”或“V
era”的高负电压施加到控制栅极及将经配置电压施加到块状区域来产生
F
‑
N
隧穿来在共享块状区域的扇区单元
(
称为“块”)
中并发执行
。
在此情况中，积累于浮动栅极上的电子放电到源极区域，使得快闪存储器单元具有擦除阈值电压分布
。
[0006]每一存储器单元串可具有彼此串联连接的多个浮动栅极类型存储器单元
。
存取线
(
有时称为“字线”)
在行方向上延伸，且每一存储器单元的控制栅极连接到对应存取线
。
存储器装置可包含连接于位线与列解码器之间的多个页面缓冲器
。
列解码器连接于页面缓冲器与数据线之间
。

技术实现思路

[0007]根据本申请案的一方面，提供一种存储系统
。
所述存储系统包括：存储器装置；及控制器，其经配置以：接收写入请求；确定包含于所述写入命令中的突发读取旗标是否被设置；及基于所述突发读取旗标是否被设置将与所述写入命令相关联的主机数据写入到所述存储器装置的第一类型的存储块或所述存储器装置的第二类型的存储块
。
[0008]根据本申请案的另一方面，提供一种方法
。
所述方法包括：由控制器且从主机装置接收从与所述控制器相关联的存储器装置读取主机数据的读取命令；基于所述读取命令识别突发读取数据映射表，其中与所述存储器装置相关联的所述突发读取数据映射表及标准
读取映射表是不同映射表；基于所述突发读取数据映射表识别所述主机数据存储于其中的突发读取数据存储块；从所述突发读取数据存储块读取所述主机数据；及将所述主机数据提供到所述主机装置以满足所述读取命令
。
[0009]根据本申请案的又一方面，提供一种存储器控制器
。
所述存储器控制器包括：一或多个组件，其经配置以：将一或多个第一类型的主机数据存储于存储器装置的存储器分区的多个突发读取数据存储块中；及将一或多个第二类型的主机数据存储于所述存储器分区的多个标准读取数据存储块中
。
[0010]根据本申请案的另一方面，提供一种设备
。
所述设备包括：用于从存储器装置的存储器分区的第一多个存储块读取一或多个第一类型的主机数据的构件，其中所述第一多个存储块经配置为突发读取数据存储块；用于将所述一或多个第一类型的主机数据提供到主机装置的构件；用于从所述存储器分区的第二多个存储块读取一或多个第二类型的主机数据的构件，其中所述第二多个存储块经配置为标准读取数据存储块；及用于将所述一或多个第二类型的主机数据提供到所述主机装置的构件
。
附图说明
[0011]图1是说明与存储系统通信的主机装置的实例的图
。
[0012]图2是说明经配置用于突发读取数据存储的存储系统的实例的图
。
[0013]图3及4是说明突发读取数据存储的实例的图
。
[0014]图5是说明写入命令的实例的图
。
[0015]图6到9是说明突发读取数据存储的实例的图
。
[0016]图
10
到
13
是与突发读取数据存储相关联的实例方法的流程图
。
[0017]图
14
是说明包含存储器装置的实例环境的图
。
[0018]图
15
是说明包含于存储器装置中的组件的实例的图
。
[0019]图
16
是说明存储器阵列的实例的图
。
[0020]图
17
及
18
是与突发数据管理相关联的实例方法的流程图
。
具体实施方式
[0021]车辆可包含支持车辆的各种功能特征的各种电子装置，例如传感器
、
控制器及存储器装置
。
传感器可产生传感器数据，其可由控制器用于支持车辆的功能特征
。
存储器装置可存储传感器数据，其可在车载通信网络
(
例如控制器区域网络
(CAN)
总线以及其它实例
)
上由控制器存取及
/
或提供到控制器
。
[0022]车辆的功能特征可包含依赖于车辆的电子装置的低延时通信及操作的时间敏感及
/
或实时功能特征
。
这些功能特征可包含安全特征及自主驾驶特征，例如自动制动
、
盲点监测
、
自主转向
、
巡航控制及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种存储系统，其包括：存储器装置；及控制器，其经配置以：接收写入请求；确定包含于所述写入命令中的突发读取旗标是否被设置；及基于所述突发读取旗标是否被设置将与所述写入命令相关联的主机数据写入到所述存储器装置的第一类型的存储块或所述存储器装置的第二类型的存储块
。2.
根据权利要求1所述的存储系统，其中所述第一类型的存储块及所述第二类型的存储块包含于所述存储器装置的相同逻辑单元中，其中所述逻辑单元通过单个逻辑单元号
LUN
来识别
。3.
根据权利要求1所述的存储系统，其中所述第一类型的存储块是单电平单元
SLC
存储块；且其中所述第二类型的存储块是多电平单元
MLC
存储块
。4.
根据权利要求1所述的存储系统，其进一步包括随机存取存储器
RAM
装置其中所述控制器经配置以：在所述存储系统的操作期间存储与所述第一类型的存储块相关联的第一映射表；在所述存储系统的操作期间将所述第一映射表维持于所述
RAM
装置中；及将与所述第二类型的存储块相关联的第二映射表存储于非易失性存储器装置中
。5.
根据权利要求1所述的存储系统，其中所述控制器经配置以：确定所述突发读取旗标被设置；及基于确定所述突发读取旗标被设置将所述主机数据写入到所述第一类型的存储块
。6.
根据权利要求5所述的存储系统，其中所述控制器经配置以：从主机装置接收所述写入命令；及将写入成功响应提供到所述主机装置，其中所述写入成功响应指示所述主机数据被成功写入到所述第一类型的存储块
。7.
根据权利要求1所述的存储系统，其中所述控制器经配置以：确定所述突发读取旗标未被设置；及基于确定所述突发读取旗标未被设置将所述主机数据写入到所述第二类型的存储块
。8.
根据权利要求1所述的存储系统，其中所述控制器经配置以：接收读取命令；及基于所述读取命令从所述存储器装置的所述第一类型的存储块读取所述主机数据
。9.
一种方法，其包括：由控制器且从主机装置接收从与所述控制器相关联的存储器装置读取主机数据的读取命令；基于所述读取命令识别突发读取数据映射表，其中与所述存储器装置相关联的所述突发读取数据映射表及标准读取映射表是不同映射表；基于所述突发读取数据映射表识别所述主机数据存储于其中的突发读取数据存储块；从所述突发读取数据存储块读取所述主机数据；及
将所述主机数据提供到所述主机装置以满足所述读取命令
。10.
根据权利要求9所述的方法，其中识别所述突发读取数据映射表包括：识别与所述控制器相关联的随机存取存储器
RAM
装置中的所述突发读取数据映射表
。11.
根据权利要求9所述的方法，其中从所述突发读取数据存储块读取所述主机数据包括：从所述突发读取数据存储块读取所述主机数据，其中所述主机数据使用一或多个第一修整参数写入到所述突发读取数据存储块，其中经配置用于所述突发读取数据存储块的所述一或多个第一修整参数不同于经配置用于所述存储器装置的标准读取数据存储块的一或多个第二修整参数
。12.
根据权利要求
11
所述的方法，其中所述一或多个第一修整参数经配置以相对于所述标准读取数据存储块的读取速度为所述突发读取数据存储块提供提高的读取速度
。13.
根据权利要求
11
所述的方法，其中所述一或多个第一修整参数包括一或多个读取增强修整参数
。14.
一种存储器控制器，其包括：一或多个组件，其经配置以：将一或多个第一类型的主机数据存储于存储器装置的存储器分区的多个突发读取数据存储块中；及...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：