移位寄存器制造技术

本公开提供一种移位寄存器，属于显示技术领域

【技术实现步骤摘要】
移位寄存器、像素驱动电路及显示装置


[0001]本公开属于显示
，具体涉及一种移位寄存器
、
像素驱动电路及显示装置
。

技术介绍

[0002]随着增强现实技术
(Augmented Deality
，
AR)
和虚拟现实技术
(Virtual Reality)
的发展，显示产品的像素密度单位
(Pixels Per Inch,PPI)
有了很大的提升
。
为了更好地适应高
PPI
和极窄边框的显示产品，需要
GOA
电路面积进一步减小，而现有的
GOA
电路中的薄膜晶体管
(Thin Film Transistor,TFT)
的宽长比比较大，信号数量多，降噪复杂
。
[0003]基于上述问题，专利技术人提出了一种新型
GOA
电路，其包括的
TFT
数量少，且采用相同的宽长比设计，可以大幅降低
TFT
的占用面积，从而减小
GOA
面积，除此之外，本公开中的
GOA
电路仅需上一行触发本行输出，不需要进行复位及复杂的降噪设计，简化了制作工艺，降低了不良率，增加了稳定性
。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移位寄存器
、
像素驱动电路及显示装置
。r/>[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种移位寄存器，其包括：预充子电路
、
存储子电路
、
占空比调节子电路
、
非门
、
输出子电路；
[0006]所述预充子电路，被配置为响应于输入信号，将第一电平信号传输至第一节点；所述第一节点为所述预充子电路
、
所述存储子电路和所述占空比调节子电路的连接节点；
[0007]所述占空比调节子电路，被配置为响应于所述第一节点电压，将第一时钟信号传输至所述第一节点；
[0008]所述存储子电路，被配置为根据信号输出端电压和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长；所述非门，被配置为响应于所述第一节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号传输至第二节点；所述输出子电路，被配置为响应于所述第一节点电压和所述输入信号电压，将第二时钟信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端；或者，所述输出子电路，被配置为响应于所述第二节点电压和第三节点电压，将所述第二电平信号输出至信号输出端；所述第二节点为所述非门与所述输出子电路的连接节点；所述第三节点为所述信号输入端与所述输出子电路的连接节点；
[0009]或者，所述存储子电路，被配置为根据信号输出端电压和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长；所述非门，被配置为被配置为响应于输入信号，将所述第二电平信号或者第五电平信号传输至第三节点；所述输出子电路，被配置为响应于第二节点电压和所述第三节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端；所述第二节点为所述占空比调节子电路与所述输出子电路的连接节点；所述第三节点为所述非门与所述输出子电路的连接节点；
[0010]或者，所述存储子电路，被配置为根据第二电平信号和所述第一节点电压，控制所
述占空比调节子电路的工作时长；所述非门，被配置为响应于所述第一节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号传输至第二节点；所述输出子电路，被配置为响应于所述第二节点电压和第三节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端；所述第二节点为所述非门与所述输出子电路的连接节点；所述第三节点为所述信号输入端与所述输出子电路的连接节点
。
[0011]优选的是，所述预充子电路包括：第三晶体管；所述第三晶体管的控制极连接信号输入端，第一极连接第一节点，第二极连接第一电平信号端
。
[0012]优选的是，所述占空比调节子电路包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制极连接所述第一节点，第一极连接所述第一时钟信号端，第二极连接所述第二晶体管的第一极；
[0013]所述第二晶体管的控制极连接所述第一节点，第一极连接所述第一晶体管的第二极，第二极连接所述第一节点
。
[0014]优选的是，所述存储子电路包括：第一存储电容
。
[0015]优选的是，当所述存储子电路被配置为根据信号输出端电压和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长时，所述第一存储电容的一极连接所述信号输出端，另一极连接所述第一节点
。
[0016]优选的是，当所述存储子电路被配置为根据第二电平信号和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长时，所述第一存储电容的一极连接所述第二电平信号端，另一极连接所述第一节点
。
[0017]优选的是，所述非门包括：第四晶体管
、
第五晶体管
、
第六晶体管和第七晶体管
。
[0018]优选的是，当所述非门被配置为响应第一节点电压时，
[0019]所述第四晶体管的控制极连接所述第一节点，第一极连接所述第二电平信号端，第二极连接第四节点；所述第四节点为所述第四晶体管的第二极和所述第五晶体管的第一极的连接节点；
[0020]所述第五晶体管的控制极连接所述第一电平信号端，第一极连接所述第四节点，第二极链接所述第一电平信号端；
[0021]所述第六晶体管的控制极连接所述第一节点，第一极连接所述第二电平信号端，第二极连接所述第二节点；
[0022]所述第七晶体管的控制极连接所述第四节点，第一极连接所述第二节点，第二极连接所述第一电平信号端
。
[0023]优选的是，当所述非门被配置为响应于输入信号时，
[0024]所述第四晶体管的控制极连接第五电平信号端，第一极连接所述第五电平信号端，第二极连接所述第四节点；
[0025]所述第五晶体管的控制极连接所述信号输入端，第一极连接所述第四节点，第二极连接所述第二电平信号端；
[0026]所述第六晶体管的控制极连接所述第四节点，第一极连接所述第五电平信号端，第二极连接第三节点；
[0027]所述第七晶体管的控制极连接所述信号输入端，第一极连接所述第三节点，第二极连接所述第二电平信号端
。
[0028]优选的是，所述输出子电路包括：第八晶体管
、
第九晶体管
、
第十晶体管
。
[0029]优选的是，当所述输出子电路被配置为响应于所述第一节点电压和所述输入信号电压，将第二时钟信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端，或者，所述输出子电路被配置为响应于所述第二节点电压和第三节点电压，将所述第二电平信号输出至信号输出端时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种移位寄存器，其包括：预充子电路
、
存储子电路
、
占空比调节子电路
、
非门
、
输出子电路；所述预充子电路，被配置为响应于输入信号，将第一电平信号传输至第一节点；所述第一节点为所述预充子电路
、
所述存储子电路和所述占空比调节子电路的连接节点；所述占空比调节子电路，被配置为响应于所述第一节点电压，将第一时钟信号传输至所述第一节点；所述存储子电路，被配置为根据信号输出端电压和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长；所述非门，被配置为响应于所述第一节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号传输至第二节点；所述输出子电路，被配置为响应于所述第一节点电压和所述输入信号电压，将第二时钟信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端；或者，所述输出子电路，被配置为响应于所述第二节点电压和第三节点电压，将所述第二电平信号输出至信号输出端；所述第二节点为所述非门与所述输出子电路的连接节点；所述第三节点为所述信号输入端与所述输出子电路的连接节点；或者，所述存储子电路，被配置为根据信号输出端电压和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长；所述非门，被配置为被配置为响应于输入信号，将所述第二电平信号或者第五电平信号传输至第三节点；所述输出子电路，被配置为响应于第二节点电压和所述第三节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端；所述第二节点为所述占空比调节子电路与所述输出子电路的连接节点；所述第三节点为所述非门与所述输出子电路的连接节点；或者，所述存储子电路，被配置为根据第二电平信号和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长；所述非门，被配置为响应于所述第一节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号传输至第二节点；所述输出子电路，被配置为响应于所述第二节点电压和第三节点电压，将所述第一电平信号或者所述第二电平信号输出至信号输出端；所述第二节点为所述非门与所述输出子电路的连接节点；所述第三节点为所述信号输入端与所述输出子电路的连接节点
。2.
根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述预充子电路包括：第三晶体管；所述第三晶体管的控制极连接信号输入端，第一极连接第一节点，第二极连接第一电平信号端
。3.
根据权利要求2所述的移位寄存器，其中，所述占空比调节子电路包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制极连接所述第一节点，第一极连接所述第一时钟信号端，第二极连接所述第二晶体管的第一极；所述第二晶体管的控制极连接所述第一节点，第一极连接所述第一晶体管的第二极，第二极连接所述第一节点
。4.
根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述存储子电路包括：第一存储电容
。5.
根据权利要求4所述的移位寄存器，其中，当所述存储子电路被配置为根据信号输出端电压和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长时，所述第一存储电
容的一极连接所述信号输出端，另一极连接所述第一节点
。6.
根据权利要求4所述的移位寄存器，其中，当所述存储子电路被配置为根据第二电平信号和所述第一节点电压，控制所述占空比调节子电路的工作时长时，所述第一存储电容的一极连接所述第二电平信号端，另一极连接所述第一节点
。7.
根据权利要求1所述的移位寄存器，其中，所述非门包括：第四晶体管
、
第五晶体管
、
第六晶体管和第七晶体管
。8.
根据权利要求7所述的移位寄存器...

【专利技术属性】
技术研发人员：任锦宇，张方振，王新星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：