具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路制造技术

本申请实施例提供了一种具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路

【技术实现步骤摘要】
具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路


[0001]本申请涉及射频元器件
，具体地，涉及一种具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路
。

技术介绍

[0002]射频开关和
Tuner
（调谐器）是最常用的射频元器件
。
在射频链路中用作通道切换
、
收发状态切换，大量应用于物联网
、
通信基站
、
小基站
、
直放站
、
测试仪器
、
雷达
、WiFi、RFID
等多个领域
。
射频天线开关，接在天线与射频处理电路之间，用于切换天线工作状态，用于切换频段以及接收
、
发射信号
。
通过开关，可以将不同频段
、
不同制式的信号分离，进而输出至手机的不同系统中进行处理，以减少不同信号之间的互相干扰，帮助提高信号接受灵敏度
。
射频开关是手机射频前端必不可少的关键器件，性能的优劣直接决定手机终端信号质量
。
由于
SOI
工艺具有的高速
、
高隔离度特性和优良的抗辐射特性，有着
GaAs
工艺无法媲美的优势
。
近年来，在无线通讯领域里，
SOI
工艺已逐渐成为射频开关的首选工艺
。
射频开关和
Tuner
（调谐器）需要驱动大尺寸的半导体开关，该大尺寸的半导体开关存在大的寄生电容，因此射频开关和
Tuner
（调谐器）往往在电源下电后再次启动时候，需要等待非常长的时间
。
[0003]其中，
SOI
工艺的中文全称是“硅上绝缘体工艺”，也称为“SOI CMOS
工艺”。GaAs
工艺的中文全称是“砷化镓工艺”，也称为“GaAs MMIC
工艺”，是一种制备微波和毫米波器件的重要工艺
。
[0004]因此，传统的射频开关和
Tuner
（调谐器）在电源下电后再次启动时候，需要等待非常长的时间，是本领域技术人员急需要解决的技术问题
。
[0005]在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息
。

技术实现思路

[0006]本申请实施例提供了一种具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路，以解决传统的器件在电源下电后再次启动时候，需要等待非常长的时间的技术问题
。
[0007]本申请实施例提供了一种具有下电快速稳定电路的器件，包括下电快速稳定电路
、
驱动电路和器件电路本体；所述驱动电路的正压端连接正压
PVDD
且负压端连接负压
NVDD
，所述驱动电路与所述器件电路本体连接为所述器件电路本体供电；所述下电快速稳定电路包括负压第一释放电路，负压第一释放电路包括：第一
NMOS
管
MN1
，第一
NMOS
管
MN1
的控制端接地，且所述第一
NMOS
管
MN1
的源端接所述驱动电路的负压端；第二
PMOS
管
MP2
，所述第一
NMOS
管
MN1
的漏端和所述第二
PMOS
管
MP2
的漏端连接；第一
PMOS
管
MP1
，所述第二
PMOS
管
MP2
的源端和所述第一
PMOS
管
MP1
的漏端连接，所述第一
PMOS
管
MP1
的源端接地；当器件进入关闭状态时，第一
NMOS
管
MN1
保持导通，控制第二
PMOS
管
MP2
导通，控制
第一
PMOS
管
MP1
导通，使得负压第一释放电路放电
。
[0008]实施中，当器件正常工作时，第一
NMOS
管
MN1
导通，控制第二
PMOS
管
MP2
关闭，控制第一
PMOS
管
MP1
关闭，使得负压第一释放电路关闭
。
[0009]实施中，具有下电快速稳定电路的器件还包括：第一偏置电路，所述第一偏置电路包括在正压
PVDD
和负压
NVDD
之间顺序串联的第一电阻
R1
和第二电阻
R2
，其中，所述第一电阻
R1
和第二电阻
R2
连接处的电压作为第一偏置电压
VB1
；所述第一
PMOS
管
MP1
的控制端连接第一偏置电压
VB1
；第二偏置电路，所述第二偏置电路包括在输入电压
VDDIN
和负压
NVDD
之间顺序串联的第三电阻
R3
和第四电阻
R4
，其中，所述第三电阻
R3
和第四电阻
R4
连接处的电压作为第二偏置电压
VB2
；第二
PMOS
管
MP2
的控制端连接第二偏置电压
VB2。
[0010]实施中，第一电阻
R1
的阻值等于第二电阻
R2
的阻值，第三电阻
R3
的阻值等于第四电阻
R4
的阻值；正压
PVDD=
‑
负压
NVDD
，输入电压
VDDIN<
正压
PVDD。
[0011]实施中，具有下电快速稳定电路的器件还包括负压第二释放电路，所述负压第二释放电路包括：第三
NMOS
管
MN3
和第四
PMOS
管
MP4
，所述第三
NMOS
管
MN3
的漏端和所述第四
PMOS
管
MP4
的漏端连接，所述第三
NMOS
管
MN3
的源端连接所述驱动电路的负压端，第三
NMOS
管
MN3
和第四
PMOS
管
MP4
的控制端接地；第三
PMOS
管
MP3
和第二
NMOS
管
MN2
，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，包括下电快速稳定电路
、
驱动电路和器件电路本体；所述驱动电路的正压端连接正压
PVDD
且负压端连接负压
NVDD
，所述驱动电路与所述器件电路本体连接为所述器件电路本体供电；所述下电快速稳定电路包括负压第一释放电路，负压第一释放电路包括：第一
NMOS
管
MN1
，第一
NMOS
管
MN1
的控制端接地，且所述第一
NMOS
管
MN1
的源端接所述驱动电路的负压端；第二
PMOS
管
MP2
，所述第一
NMOS
管
MN1
的漏端和所述第二
PMOS
管
MP2
的漏端连接；第一
PMOS
管
MP1
，所述第二
PMOS
管
MP2
的源端和所述第一
PMOS
管
MP1
的漏端连接，所述第一
PMOS
管
MP1
的源端接地；当器件进入关闭状态时，第一
NMOS
管
MN1
保持导通，控制第二
PMOS
管
MP2
导通，控制第一
PMOS
管
MP1
导通，使得负压第一释放电路放电
。2.
根据权利要求1所述的具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，当器件正常工作时，第一
NMOS
管
MN1
导通，控制第二
PMOS
管
MP2
关闭，控制第一
PMOS
管
MP1
关闭，使得负压第一释放电路关闭
。3.
根据权利要求2所述的具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，所述下电快速稳定电路还包括：第一偏置电路，所述第一偏置电路包括在正压
PVDD
和负压
NVDD
之间顺序串联的第一电阻
R1
和第二电阻
R2
，其中，所述第一电阻
R1
和第二电阻
R2
连接处的电压作为第一偏置电压
VB1
；所述第一
PMOS
管
MP1
的控制端连接第一偏置电压
VB1
；第二偏置电路，所述第二偏置电路包括在输入电压
VDDIN
和负压
NVDD
之间顺序串联的第三电阻
R3
和第四电阻
R4
，其中，所述第三电阻
R3
和第四电阻
R4
连接处的电压作为第二偏置电压
VB2
；第二
PMOS
管
MP2
的控制端连接第二偏置电压
VB2。4.
根据权利要求3所述的具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，第一电阻
R1
的阻值等于第二电阻
R2
的阻值，第三电阻
R3
的阻值等于第四电阻
R4
的阻值；正压
PVDD=
‑
负压
NVDD
，输入电压
VDDIN<
正压
PVDD。5.
根据权利要求4所述的具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，所述下电快速稳定电路还包括负压第二释放电路，所述负压第二释放电路包括：第三
NMOS
管
MN3
和第四
PMOS
管
MP4
，所述第三
NMOS
管
MN3
的漏端和所述第四
PMOS
管
MP4
的漏端连接，所述第三
NMOS
管
MN3
的源端连接所述驱动电路的负压端，第三
NMOS
管
MN3
和第四
PMOS
管
MP4
的控制端接地；第三
PMOS
管
MP3
和第二
NMOS
管
MN2
，所述第三
PMOS
管
MP3
的漏端和第二
NMOS
管
MN2
的漏端连接，第三
PMOS
管
MP3
的源端
、
所述第三
PMOS
管
MP3
的控制端和第二
NMOS
管
MN2
的控制端连接输入电压
VDDIN
，所述第二
NMOS
管
MN2
的源端接地；其中，所述第三
PMOS
管
MP3
的漏端和所述第四
PMOS
管
MP4
的源端连接
。6.
根据权利要求5所述的具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，所述下电快速稳定电路还包括正压释放电路，所述正压释放电路包括：反相器
INV1
；第五
PMOS
管
MP5
，所述第五
PMOS
管
MP5
的源端接正压
PVDD
，所述第五
PMOS
管
MP5
的控制端和漏端连接所述反相器
INV1
的电源；
第四
NMOS
管
MN4
，所述第四
NMOS
管
MN4
的漏端接正压
PVDD
，所述第四
NMOS
管
MN4
的源端接地；其中，所述反相器
INV1
的输入端连接使能信号
EN
，所述反相器
INV1
的输出端连接第四
NMOS
管
MN4
的控制端
。7.
根据权利要求1至6任一所述的具有下电快速稳定电路的器件，其特征在于，还包括：输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，
申请(专利权)人：芯睿微电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：