【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提高开关速度的旁路电路系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年3月15日提交的标题为“BYPASS CIRCUITRY TO IMPROVE SWITCHING SPEED”的第17/202,003号美国专利申请的优先权,该美国专利申请通过引用整体并入本文。
[0003]本公开内容涉及射频(RF)开关,更特别地涉及用于提高RF开关的开关速度的旁路电路系统。
技术介绍
[0004]图1A示出了现有技术的FET开关堆叠(100A),其包括:晶体管(T1,
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,Tm1,Tm2,
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,Tn);漏极
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源极电阻器(Rd1,
……
,Rdm1,Rdm2,
……
,Rdn);公共栅极旁路开关(140),该公共栅极旁路开关(140)包括耦接在对应的栅极旁路开关(Sg1,
……
,Sgk)两端的栅极电阻器(Rg1,
……
,Rgk)。公共栅极旁路开关(140)经由栅极电阻网络(130)耦接至晶体管(T1,
……
,Tm1,Tm2,
……
,Tn)。晶体管(Tm1,Ym2)是相邻的晶体管。本领域技术人员公知的是,在FET开关堆叠中使用较大的栅极电阻器具有若干优势,例如提高的线性度和改善的插入损耗。然而,较大的栅极电阻器与晶体管器件栅极电容相结合的组合会导致FET开关堆叠内的晶体管从一个状态(例如,接通或关断)到另一状态的转变减慢。这样, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种射频(RF)场效应晶体管(FET)开关堆叠,包括:以堆叠配置布置的多个FET晶体管;耦接在所述多个FET晶体管中的FET晶体管的对应的漏极
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源极端子两端的一个或更多个第一漏极
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源极电阻器;以及耦接在对应的一个或更多个第一漏极
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源极电阻器两端的一个或更多个漏极
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源极旁路开关。2.根据权利要求1所述的RF FET开关堆叠,其中,所述一个或更多个漏极
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源极旁路开关被配置成:在所述多个FET晶体管处于关断状态或接通状态时处于关断状态,以及在所述多个FET晶体管从所述接通状态转变到所述关断状态时处于接通状态,从而绕过所述一个或更多个第一漏极
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源极电阻器。3.根据权利要求2所述的RF FET开关堆叠,还包括被配置成控制所述一个或更多个漏极
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源极旁路开关的开关控制块。4.根据权利要求3所述的RF FET开关堆叠,其中:所述开关控制块包括串联电阻器,并且所述控制块被配置成:在所述多个FET晶体管从所述接通状态转变到所述关断状态时,生成第一控制信号,以将所述一个或更多个漏极
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源极旁路开关从所述关断状态转变到所述接通状态,以及通过所述串联电阻器将所述第一控制信号馈送至所述一个或更多个漏极
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源极旁路开关。5.根据权利要求3所述的RF FET开关堆叠,其中:i)所述开关控制块包括:堆叠配置下的一个或更多个FET控制开关,以及耦接在对应的一个或更多个FET控制开关两端的一个或更多个第二漏极
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源极电阻器;ii)所述一个或更多个FET控制开关被配置成在所述多个FET晶体管处于所述关断状态或所述接通状态时处于关断状态,以及在所述多个FET晶体管从所述接通状态转变到所述关断状态时处于接通状态,从而绕过所述一个或更多个第二漏极
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源极电阻器;以及iii)所述开关控制块被配置成:生成第一控制信号,以在所述多个FET晶体管从所述接通状态转变到所述关断状态时,将所述一个或更多个漏极
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源极旁路开关从所述关断状态转变到所述接通状态,以及通过所述多个FET控制开关将所述第一控制信号耦接至所述一个或更多个漏极
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源极旁路开关。6.根据权利要求5所述的RF FET开关堆叠,其中,所述开关控制块被配置成:生成第二控制信号,以及在所述多个FET晶体管从所述接通状态转变到所述关断状态时,将所述第二控制信号耦接至所述一个或更多个FET控制开关的栅极端子,从而将所述一个或更多个FET控制开关从所述关断状态转变到所述接通状态。7.根据权利要求6所述的RF FET开关堆叠,其中,所述第一控制信号具有基于所述FET开关堆叠的期望开关速度选择的第一控制信号持续时间。
8.根据权利要求7所述的RF FET开关堆叠,其中,所述第一控制信号和所述第二控制信号在时间上交错,并且其中,所述第二控制信号的第二控制信号持续时间短于所述第一控制信号持续时间。9.根据权利要求7所述的RF FET开关堆叠,其中,所述第一控制信号和所述第二控制信号同时开始,并且其中,所述第二控制信号的第二控制信号持续时间长于所述第一控制信号持续时间。10.根据权利要求8所述的RF FET开关堆叠,其中:所述开关控制块还包括第一电平转换器和第二电平转换器;所述第一电平转换器被配置成接收第一输入信号并进行电平转换,以生成所述第一控制信号,以及所述第二电平转换器被配置成接收第二输入信号并进行电平转换,以生成所述第二控制信号。11.根据权利要求9所述的RF FET开关堆叠,其中:所述开关控制块还包括与单个电平转换器串联的延迟元件,所述单个电平转换器包括第一电平转换器输出和第二电平转换器输出,...
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