发光电子装置与发光面板制造方法及图纸

一种发光电子装置与发光面板，发光电子装置包括第一电子元件

【技术实现步骤摘要】
发光电子装置与发光面板


[0001]本公开涉及一种发光电子装置与发光面板
。

技术介绍

[0002]相较于液晶显示器，微发光二极管显示器具有低功率消耗
、
高色彩饱和度和高反应速度等优点
。
目前常见微发光二极管显示面板中的各个微发光二极管具有对应的驱动电路，使得每个驱动电路能够驱动对应的微发光二极管
。
然而，当显示面板需要较高的像素密度
(pixels per inch
，
PPI)
的需求时，过多的驱动晶体管将会限制显示面板的布局空间
。
[0003]此外，受限于布局空间，微发光二极管之间的间隔
、
驱动晶体管的尺寸与布线亦会受到限制，难以提高巨量转移的良率
。
[0004]因此，如何提出一种可解决上述问题的发光电子装置与发光面板，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一
。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开的一目的在于提出一种可有解决上述问题的发光电子装置与发光面板
。
[0006]本公开的一方面涉及一种发光电子装置包括第一电子元件
、
第二电子元件
、
绝缘层
、
导电层
、
锚结构以及系链
。
第一电子元件包括垂直堆叠的多个半导体层
、
第一电极以及第二电极
。
第二电子元件包括垂直堆叠的多个半导体层
、
第一电极以及第二电极
。
绝缘层沿着第一电子元件的下表面与多个侧壁与第二电子元件的下表面与多个侧壁延伸
。
导电层至少部分位于绝缘层中，并电连接第一电子元件的第二电极与第二电子元件的第一电极
。
锚结构侧向地与第一电子元件与第二电子元件分开，且锚结构包括垂直堆叠的多个半导体层
。
系链连接第一电子元件
、
第二电子元件以及锚结构
。
[0007]在一些实施方式中，第一电子元件与第二电子元件具有连续的未掺杂半导体层
。
[0008]在一些实施方式中，第一电子元件为发光二极管
。
第一电子元件的半导体层包括第一半导体层
、
第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层
。
第一电子元件的第一电极电连接于第一半导体层
。
第一电子元件的第二电极电连接于第二半导体层
。
[0009]在一些实施方式中，第二电子元件为发光二极管
。
第二电子元件的半导体层包括第一半导体层
、
第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层
。
第二电子元件的第一电极电连接于第二电子元件的第一半导体层
。
第二电子元件的第二电极电连接于第二电子元件的第二半导体层
。
[0010]在一些实施方式中，第一电子元件的第一半导体层与第二电子元件的第一半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的一者，第一电子元件的第二半导体层与第二电子元件的第二半导体为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的另一者
。
[0011]在一些实施方式中，第二电子元件为驱动元件
。
[0012]在一些实施方式中，驱动元件为高电子迁移率晶体管
。
第二电子元件进一步包括第三电极
。
第三电极电连接于第二电子元件的半导体层中的一者
。
第二电子元件的第一电极为源极与漏极中的一者
。
第二电子元件的第二电极为源极与漏极中的另一者
。
第三电极为栅极
。
[0013]在一些实施方式中，第一半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的一者，第二半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的另一者
。
[0014]在一些实施方式中，系链为从绝缘层延伸出的部位，且连接至锚结构
。
[0015]在一些实施方式中，系链连接第一电子元件的顶面
、
第二电子元件的顶面以及锚结构的顶面
。
[0016]本公开的另一方面涉及一种发光面板包括电路基材
、
第一电子元件
、
第二电子元件
、
绝缘层以及导电层
。
电路基材具有多个接垫
。
第一电子元件包括垂直堆叠的多个半导体层
、
第一电极以及第二电极
。
第一电子元件的第一电极电连接于接垫中的第一者
。
第二电子元件包括垂直堆叠的多个半导体层
、
第一电极以及第二电极
。
第二电子元件的第二电极电连接于接垫中的第二者
。
绝缘层沿着第一电子元件的下表面与多个侧壁与第二电子元件的下表面与多个侧壁延伸
。
导电层至少部分位于绝缘层中，并电连接第一电子元件的第二电极与第二电子元件的第一电极
。
[0017]在一些实施方式中，第一电子元件与第二电子元件具有连续的未掺杂半导体层
。
[0018]在一些实施方式中，第一电子元件为发光二极管
。
第一电子元件的半导体层包括第一半导体层
、
第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层
。
第一电子元件的第一电极电连接于第一半导体层
。
第一电子元件的第二电极电连接于第二半导体层
。
[0019]在一些实施方式中，第二电子元件为发光二极管
。
第二电子元件的半导体层包括第一半导体层
、
第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层
。
第二电子元件的第一电极电连接于第二电子元件的第一半导体层
。
第二电子元件的第二电极电连接于第二电子元件的第二半导体层
。
[0020]在一些实施方式中，第一电子元件的第一半导体层与第二电子元件的第一半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的一者，第一电子元件的第二半导体层与第二电子元件的第二半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的另一者
。
[0021]在一些实施方式中，第二电子元件为驱动元件
。
[0022]在一些实施方式中，驱动元件为高电子迁移率晶体管
。
第二电子元件进一步包括第三电极
。
第三电极电连接于第二电子元件的半导体层中的一者与电路基材的接垫中的一者
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光电子装置，包含：一第一电子元件，包含垂直堆叠的多个半导体层
、
一第一电极以及一第二电极；一第二电子元件，包含垂直堆叠的多个半导体层
、
一第一电极以及一第二电极；一绝缘层，沿着该第一电子元件的一下表面与多个侧壁与该第二电子元件的一下表面与多个侧壁延伸；一导电层，至少部分位于该绝缘层中，并电连接该第一电子元件的该第二电极与该第二电子元件的该第一电极；一锚结构，侧向地与该第一电子元件与该第二电子元件分开，且该锚结构包含垂直堆叠的多个半导体层；以及一系链，连接该第一电子元件
、
该第二电子元件以及该锚结构
。2.
如权利要求1所述的发光电子装置，其中该第一电子元件与该第二电子元件具有连续的一未掺杂半导体层
。3.
如权利要求1所述的发光电子装置，其中该第一电子元件为一发光二极管，该第一电子元件的该些半导体层包含一第一半导体层
、
一第二半导体层以及位于该第一半导体层与该第二半导体层之间的一主动层，其中该第一电子元件的该第一电极电连接于该第一半导体层，该第一电子元件的该第二电极电连接于该第二半导体层
。4.
如权利要求3所述的发光电子装置，其中该第二电子元件为一发光二极管，该第二电子元件的该些半导体层包含一第一半导体层
、
一第二半导体层以及位于该第一半导体层与该第二半导体层之间的一主动层，其中该第二电子元件的该第一电极电连接于该第二电子元件的该第一半导体层，该第二电子元件的该第二电极电连接于该第二电子元件的该第二半导体层
。5.
如权利要求4所述的发光电子装置，其中该第一电子元件的该第一半导体层与该第二电子元件的该第一半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的一者，该第一电子元件的该第二半导体层与该第二电子元件的该第二半导体为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的另一者
。6.
如权利要求3所述的发光电子装置，其中该第二电子元件为一驱动元件
。7.
如权利要求6所述的发光电子装置，其中该驱动元件为一高电子迁移率晶体管，该第二电子元件进一步包含一第三电极，电连接于该第二电子元件的该些半导体层中的一者，其中该第二电子元件的该第一电极为一源极与一漏极中的一者，该第二电子元件的该第二电极为该源极与该漏极中的另一者，该第三电极为一栅极
。8.
如权利要求6所述的发光电子装置，其中该第一半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的一者，该第二半导体层为
n
型掺杂与
p
型掺杂中的另一者
。9.
如权利要求1所述的发光电子装置，其中该系链为从该绝缘层延伸出的一部位，且连接至该锚结构
。10.
如权利要求1所述的发光电子装置，其中该系链连接该第一电子元件的一顶面
、
该第二电子元件的一顶面以及该锚结构的一顶面
。11.
一种发光面板，包含：一电路基材，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕宏，黄宇薪，李佳安，陈映羽，林冠亨，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：