发光元件基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种发光元件基板及显示装置

【技术实现步骤摘要】
发光元件基板及显示装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件基板及显示装置
。

技术介绍

[0002]发光二极管显示面板包括驱动背板及转置于驱动背板上的多个发光二极管元件
。
继承发光二极管的特性，发光二极管显示面板具有省电
、
高效率
、
高亮度及反应时间快等优点
。
此外，相较于有机发光二极管显示面板，发光二极管显示面板还具有色彩易调校
、
发光寿命长
、
无图像烙印等优势
。
因此，发光二极管显示面板被视为下一世代的显示技术
。
[0003]在发光二极管显示面板的制造过程中，须依序将发光二极管晶片上的发光二极管元件转移至第一暂存基板，将第一暂存基板上的发光二极管元件转移至第二暂存基板，且将第二暂存基板上的发光二极管元件转移至驱动背板，方能完成发光二极管显示面板
。
一般而言，发光二极管元件由第一暂存基板转移到第二暂存基板后，须进行一干式蚀刻工序，以去除残留在发光二极管元件上的残胶
。
然而，在去除残胶时，发光二极管元件的电极内部的膜层会受到蚀刻气体的侵蚀而裂损，进而导致发光二极管显示面板的良率下降
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的其中一个目的在于提供一种良率高发光元件基板
。
[0005]本专利技术的另一个目的在于提供一种良率高显示装置
。
[0006]本专利技术的发光元件基板包括基板及设置于基板上的发光元件
。
发光元件包括第一半导体层
、
第二半导体层
、
主动层
、
第一电极
、
第二电极
、
第一焊料及第二焊料
。
第二半导体层设置于第一半导体层的对向
。
主动层设置于第一半导体层与第二半导体层之间
。
第一电极及第二电极分别电性连接至第一半导体层及第二半导体层
。
第一焊料及第二焊料分别设置于第一电极及第二电极上，且分别电性连接至第一电极及第二电极
。
第一电极包括第一下屏蔽图案
。
第一焊料包覆第一下屏蔽图案
。
第一焊料于基板上的投影面积大于第一下屏蔽图案于基板上的投影面积
。
[0007]本专利技术的显示装置包括驱动背板及发光元件
。
发光元件设置于驱动背板上，且电性连接至驱动背板
。
发光元件包括第一半导体层
、
第二半导体层
、
主动层
、
第一电极
、
第二电极
、
第一焊料及第二焊料
。
第二半导体层设置于第一半导体层的对向
。
主动层设置于第一半导体层与第二半导体层之间
。
第一电极及第二电极分别电性连接至第一半导体层及第二半导体层
。
第一焊料及第二焊料分别设置于第一电极及第二电极上，且分别电性连接至第一电极及第二电极
。
第一电极包括第一下屏蔽图案
。
第一焊料包覆第一下屏蔽图案
。
第一焊料于驱动背板上的投影面积大于第一下屏蔽图案于驱动背板上的投影面积
。
附图说明
[0008]图1为本专利技术一实施例的发光元件基板的剖面示意图
。
[0009]图2为本专利技术一实施例的发光元件基板的俯视示意图
。
[0010]图3为本专利技术另一实施例的发光元件基板的剖面示意图
。
[0011]图4为本专利技术另一实施例的发光元件基板的俯视示意图
。
[0012]图5为本专利技术又一实施例的发光元件基板的剖面示意图
。
[0013]图6为本专利技术又一实施例的发光元件基板的俯视示意图
。
[0014]图7为本专利技术一实施例的显示装置的剖面示意图
。
[0015]图8为本专利技术一实施例的显示装置的俯视示意图
。
[0016]图9为本专利技术又一实施例的发光元件基板的剖面示意图
。
[0017]图
10
为本专利技术又一实施例的发光元件基板的俯视示意图
。
[0018]图
11
为本专利技术再一实施例的发光元件基板的剖面示意图
。
[0019]图
12
为本专利技术再一实施例的发光元件基板的俯视示意图
。
[0020]图
13
为本专利技术另一实施例的显示装置的剖面示意图
。
[0021]图
14
为本专利技术另一实施例的显示装置的俯视示意图
。
[0022]附图标记如下：
[0023]10、10A、10B、10D、10E:
发光元件基板
[0024]10C、10F:
显示装置
[0025]100、100A、100B、100C:
基板
[0026]110A:
第一暂存基底
[0027]110B:
第二暂存基底
[0028]120A:
第一黏着层
[0029]120B:
第二黏着层
[0030]200:
发光元件
[0031]210:
第一半导体层
[0032]220:
第二半导体层
[0033]230:
主动层
[0034]240:
第一电极
[0035]242:
第一下屏蔽图案
[0036]242e1、252e1、260e1、270e1:
第一边缘
[0037]242e2、252e2、260e2、270e2:
第二边缘
[0038]242e3、252e3、260e3、270e3:
第三边缘
[0039]242e4、252e4、260e4、270e4:
第四边缘
[0040]242s、252s:
侧壁
[0041]244:
第一上屏蔽图案
[0042]246、256:
导电图案
[0043]250:
第二电极
[0044]252:
第二下屏蔽图案
[0045]254:
第二上屏蔽图案
[0046]260:
第一焊料
[0047]270:
第二焊料
[0048]280:
绝缘层
[0049]282:
第一接触窗
[0050]284:
第二接触窗
[0051]290:
外延层
[0052]292:
电性调整层
[0053]X1_n、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光元件基板，包括：一基板；以及一发光元件，设置于该基板上，其中该发光元件包括：一第一半导体层；一第二半导体层，设置于该第一半导体层的对向；一主动层，设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一第一电极及一第二电极，分别电性连接至该第一半导体层及该第二半导体层；一第一焊料及一第二焊料，分别设置于该第一电极及该第二电极上，且分别电性连接至该第一电极及该第二电极；其中，该第一电极包括一第一下屏蔽图案，该第一焊料包覆该第一下屏蔽图案，且该第一焊料于该基板上的一投影面积大于该第一下屏蔽图案于该基板上的一投影面积
。2.
如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一焊料具有相对的一第一边缘及一第二边缘，该第一焊料的该第一边缘及该第二边缘在一第一方向上依序排列；该第一下屏蔽图案具有相对的一第一边缘及一第二边缘，该第一下屏蔽图案的该第一边缘及该第二边缘在该第一方向上依序排列；该第一焊料的该第一边缘与该第一下屏蔽图案的该第一边缘在该第一方向上具有一距离，且该第一焊料的该第二边缘与该第一下屏蔽图案的该第二边缘在该第一方向上具有一距离
。3.
如权利要求2所述的发光元件基板，其中该第一焊料还具有一第三边缘及一第四边缘，该第一焊料的该第三边缘连接于该第一焊料的该第一边缘与该第二边缘之间，该第一焊料的该第四边缘连接于该第一焊料的该第一边缘与该第二边缘之间且设置于该第一焊料的该第三边缘的对向，该第一焊料的该第三边缘及该第四边缘在一第二方向上依序排列，该第一方向与该第二方向交错；该第一下屏蔽图案还具有一第三边缘及一第四边缘，该第一下屏蔽图案的该第三边缘连接于该第一下屏蔽图案的该第一边缘与该第二边缘之间，该第一下屏蔽图案的该第四边缘连接于该第一下屏蔽图案的该第一边缘与该第二边缘之间且设置于该第一下屏蔽图案的该第三边缘的对向，该第一下屏蔽图案的该第三边缘及该第四边缘在该第二方向上依序排列；该第一焊料的该第三边缘与该第一下屏蔽图案的该第三边缘在该第二方向上具有一距离，且该第一焊料的该第四边缘与该第一下屏蔽图案的该第四边缘在该第二方向上具有一距离
。4.
如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一焊料覆盖该第一下屏蔽图案的一侧壁
。5.
如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一电极还包括：一第一上屏蔽图案，位于该第一焊料与该第一下屏蔽图案之间，其中该第一上屏蔽图案包覆该第一下屏蔽图案，且该第一上屏蔽图案于该基板上的一投影面积大于该第一下屏蔽图案于该基板上的一投影面积
。6.
如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一电极还包括：一第一上屏蔽图案，位于该第一焊料与该第一下屏蔽图案之间，其中该第一上屏蔽图案覆盖该第一下屏蔽图案的一侧壁
。7.
如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第二电极包括：一第二下屏蔽图案，其中该第二焊料包覆该第二下屏蔽图案，且该第二焊料于该基板
上的一投影面积大于该第二下屏蔽图案于该基板上的一投影面积
。8.
如权利要求7所述的发光元件基板，其中该第二焊料具有相对的一第一边缘及一第二边缘，该第二焊料的该第一边缘及该第二边缘在一第一方向上依序排列；该第二下屏蔽图案具有相对的一第一边缘及一第二边缘，该第二下屏蔽图案的该第一边缘及该第二边缘在该第一方向上依序排列；该第二焊料的该第一边缘与该第二下屏蔽图案的该第一边缘在该第一方向上具有一距离，且该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：白佳蕙，曾文贤，郭建宏，陈韦洁，李冠谊，杨智钧，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：