一种复合衬底及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种复合衬底及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种复合衬底及其制备方法、LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种复合衬底及其制备方法
、LED
芯片
。

技术介绍

[0002]目前手机用的背光源都是
LED
芯片，分为两种类型，一种是侧入式，另外一种是直下式
。
直下式亮度更高，且分辨率更高，是未来趋势，而
LED
大光角芯片，是其中最重要的技术之一
。LED
大光角芯片用在手机背光源有2个好处，第一，可以减少芯片的使用量，降低成本；第二，可以降低芯片的中心光强，让整个屏幕看起来亮度更均匀，屏幕更柔和
。
其中常用的技术方案是
POB
方案，即使用正装芯片封装在封装体中，做成灯珠，用在手机背光源
。
[0003]常规背光使用的正装
LED
芯片，由反射层
、
衬底
、
衬底
PSS、
外延层
、
芯片层组成
。
外延层由
N
型半导体
、
量子阱
、P
型半导体组成
。
反射层的作用是用来反射光，让光从芯片层这面出光和侧面出光
。
[0004]然而，目前的
LED
正装芯片，是靠光从芯片侧面出光来增加光角，但由于衬底底部是平的，只有超过一定角度的入射光照射到衬底的反射镜才能被重新反射，然后从芯片侧面出光，这种芯片的光角小，且侧面出光不够亮，从而光大部分聚集在芯片中心，导致芯片中心光强太强
。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种复合衬底及其制备方法
、LED
芯片，旨在解决现有技术中的由于衬底的局限性而导致芯片的光角小，且侧面出光不够亮，从而光大部分聚集在芯片中心，导致芯片中心光强太强的问题
。
[0006]本专利技术实施例是这样实现的：一方面，本专利技术提出一种复合衬底，包括第一图形化衬底
、
依次层叠在所述第一图形化衬底上的反射层
、
键合层以及第二图形化衬底；其中，所述第一图形化衬底的厚度小于所述第二图形化衬底的厚度，所述第一图形化衬底上的第一图形为周期性图形，周期性图形当中的每个第一图形的高度为4µ
m ~10
µ
m
，宽度为1µ
m ~4
µ
m。
[0007]进一步的，上述复合衬底，其中，相邻两个第一图形之间的间距为
0.5
µ
m ~4
µ
m。
[0008]进一步的，上述复合衬底，其中，所述第二图形化衬底上的第二图形为周期性图形，周期性图形当中的每个第二图形的高度为1µ
m ~2
µ
m
，宽度为2µ
m ~3
µ
m
，相邻两个第二图形之间的间距为
0.1
µ
m ~5
µ
m。
[0009]进一步的，上述复合衬底，其中，所述第一图形化衬底的厚度为
150
µ
m
ꢀ‑
200
µ
m
；所述第二图形化衬底的厚度为
400
µ
m ~550
µ
m。
[0010]进一步的，上述复合衬底，其中，所述反射层包括交替层叠的
SiO2层和
TiO2层
。
[0011]进一步的，上述复合衬底，其中，所述反射层的厚度为1µ
m ~6
µ
m。
[0012]进一步的，上述复合衬底，其中，所述键合层的厚度大于所述第一图形化衬底的厚
度，且所述键合层超过所述第一图形化衬底的第一图形的高度2µ
m ~5
µ
m。
[0013]进一步的，上述复合衬底，其中，所述复合衬底的厚度为
600
µ
m~700
µ
m。
[0014]另一方面，本专利技术提出一种复合衬底的制备方法，用于制备上述的复合衬底，所述方法包括：分别提供第一图形化衬底和第二图形化衬底；在所述第一图形化衬底上进行镀膜得到反射层，并在所述反射层上进行镀膜后抛光，以在所述反射层上形成键合层；通过所述键合层将所述第一图形化衬底与所述第二图形化衬底进行键合得到复合衬底
。
[0015]再一方面，本专利技术提出一种
LED
芯片，包括衬底，设置在所述衬底上的外延结构以及芯片结构；其中，所述衬底为上述任一项所述的复合衬底
。
[0016]本专利技术通过将衬底设置为第一图形化衬底
、
依次层叠在所述第一图形化衬底上的反射层
、
键合层以及第二图形化衬底组成的复合衬底；并且，将第一图形化衬底的厚度设置小于第二图形化衬底的厚度，第一图形化衬底上的图形为周期性图形，周期性图形当中的每个图形的高度为4µ
m ~10
µ
m
，宽度为1µ
m ~4
µ
m
，从而得到高宽比大的图形和反射层，其中，高宽比大的图形和反射层更容易发生光的反射，让光从芯片侧面出来，增大了芯片的光角，解决了现有技术中的由于衬底的局限性而导致芯片的光角小，且侧面出光不够亮，从而光大部分聚集在芯片中心，导致芯片中心光强太强的问题
。
附图说明
[0017]图1为本专利技术一实施例当中的复合衬底的结构示意图；图2为本专利技术一实施例当中的复合衬底的制备方法的流程图
。
[0018]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术
。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述
。
附图中给出了本专利技术的若干实施例
。
但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例
。
相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面
。
[0020]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件
。
当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件
。
本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的
。
[0021]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同
。
本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术
。
本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种复合衬底，其特征在于，包括第一图形化衬底
、
依次层叠在所述第一图形化衬底上的反射层
、
键合层以及第二图形化衬底；其中，所述第一图形化衬底的厚度小于所述第二图形化衬底的厚度，所述第一图形化衬底上的第一图形为周期性图形，周期性图形当中的每个第一图形的高度为4µ
m ~10
µ
m
，宽度为1µ
m ~4
µ
m
，相邻两个第一图形之间的间距为
0.5
µ
m ~4
µ
m。2. 根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述第二图形化衬底上的第二图形为周期性图形，周期性图形当中的每个第二图形的高度为1µ
m ~2
µ
m
，宽度为2µ
m ~3
µ
m
，相邻两个第二图形之间的间距为
0.1
µ
m ~5
µ
m。3.
根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述第一图形化衬底的厚度为
150
µ
m
ꢀ‑
200
µ
m
；所述第二图形化衬底的厚度为
400
µ

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，张亚，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：