一种横向肖特基二极管器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种横向肖特基二极管器件及其制备方法，器件包括：高阻硅衬底层

【技术实现步骤摘要】
一种横向肖特基二极管器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种横向肖特基二极管器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]硅基材料为目前应用最为广泛的半导体材料，硅基集成电路以及分立器件在全球半导体产业市场中占有最大份额
。
目前主流的硅基二极管主要利用体掺杂，通过硅
pn
结或硅半导体与金属接触形成肖特基结，从而实现反向截止
、
正向导通等特性
。
硅基二极管器件以此为基础在过去数十年间实现了技术
、
性能等方面的极大飞跃，并成功建立起完善
、
成熟的技术和市场体系
。
[0003]在
III
‑
V
族化合物半导体的横向肖特基二极管中，通常利用半导体异质结在界面处形成的具有高迁移率
、
高面密度的二维电子气作为导电沟道，以异质结中禁带宽度较宽
、
击穿场强较高的材料作为势垒层，从而降低器件的漏电
、
提高器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种横向肖特基二极管器件，其特征在于，包括：高阻硅衬底层
(1)、
六方氮化硼势垒层
(2)、
阳极
(3)、
阴极
(4)
和钝化层
(5)
；所述六方氮化硼势垒层
(2)
位于所述高阻硅衬底层
(1)
的上表面；所述高阻硅衬底层
(1)
和所述六方氮化硼势垒层
(2)
的接触界面形成异质结，所述异质结界面存在二维电子气沟道；所述阳极
(3)、
所述阴极
(4)
位于所述六方氮化硼势垒层
(2)
的上表面；所述阳极
(3)
和所述高阻硅衬底层
(1)
形成肖特基接触；所述阴极
(4)
和所述二维电子气沟道形成欧姆接触；所述钝化层
(5)
，一部分位于所述阳极
(3)
和所述阴极
(4)
之间，另一部分延伸至所述阳极
(3)
的部分上表面和所述阴极
(4)
的部分上表面
。2.
根据权利要求1所述的一种横向肖特基二极管器件，其特征在于，所述高阻硅衬底层
(1)
的材料为非故意掺杂的高阻硅，所述高阻硅衬底层
(1)
的电阻率为
103～
106Ω
·
cm。3.
根据权利要求1所述的一种横向肖特基二极管器件，其特征在于，所述高阻硅衬底层
(1)
的厚度为1～
1000
μ
m。4.
根据权利要求1所述的一种横向肖特基二极管器件，其特征在于，所述六方氮化硼势垒层
(2)
的掺杂类型为
n
型掺杂
。5.
根据权利要求4所述的一种横向肖特基二极管器件，其特征在于，所述六方氮化硼势垒层
(2)
为全掺杂或调制掺杂，掺杂浓度为
10
18
～
10
21
cm
‑3。6.
根据权利要求1所述的一种横向肖特基二极管器件，其特征在于，所述六方氮化硼势垒层
(2)<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金风，张景豪，殷红，苏凯，许琦辉，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：