一种探针用校准片制造技术

本发明专利技术公开了一种探针用校准片，属于测试技术领域，该校准片上设置有若干负载；每个负载均包括两部分对称结构，每部分结构均包括信号

【技术实现步骤摘要】
一种探针用校准片


[0001]本专利技术属于测试
，具体涉及一种探针用校准片
。

技术介绍

[0002]传统的射频探针校准片常采用的两种方法是：
[0003]1、
单个电阻
50
欧母连接
signal
和
ground
；
[0004]2、
两个电阻
100
欧母并联连接
signal
和
ground。
[0005]这两种方法的校准片的常规性能优秀，但是当探针针尖间距
(pitch)
较大，超过
300
微米时，高频率性能表现不足，且电阻尺寸很小，加工难度大
。
传统形式的校准片方法已无法满足大间距探针
40GHz
以上和更高频率时高性能要求
。
[0006]在使用微波测量探针的测试系统中，探针针尖与被测器件端口相接触进行测试，探针内部同轴电缆的外导体与测试电路的地相接
。
最常使用的同轴线在片测试探针是
GSG
结构的，即中间为信号探针，两侧为接地探针
。
以一般的
GSG
信号形式的微波测量探针为例，三个针尖接触测试点的位置会影响校准及测试结果，当
GSG
间距超过
300
微米或者更大时，因为引入寄生参数过大，严重影响校准及测试结果，尤其是探针用校准片中负载
(load
或/>Termination)
的性能直接影响射频探针校准的效果，影响测试的精度
。
[0007]1、
单个电阻
50
欧母连接
signal
和
ground
；如图
1(
通常左右各一组，对称，图示为其中一个
)
，灰色为导体金，深色为薄膜电阻
。
[0008]2、
两个电阻
100
欧母并联连接
signal
和
ground。
如图
2(
通常左右各一组，对称，图示为其中一个
)
，灰色为导体金，深色为薄膜电阻
。
通常为薄膜电路工艺实现
。
[0009]这两种方法的校准片，当探针针尖间距
(pitch)
较大，超过
300
微米时，高频率性能表现不足
。
传统形式的校准片负载，大间距时高频率段
、
尤其是毫米波段性能下降
。
[0010]这两种方法的校准片薄膜电阻尺寸小，甚至达到
0.02mm*0.04mm
，实现难度大
。

技术实现思路

[0011]针对现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术提出了一种探针用校准片及其校准方法，设计合理，克服了现有技术的不足，具有良好的效果
。
[0012]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0013]一种探针用校准片，该校准片上设置有若干负载；每个负载均包括两部分对称结构，每部分结构均包括信号
‑
导体金
、
地
‑
导体金
、
薄膜电阻
、
基板；信号
‑
导体金
、
地
‑
导体金和薄膜电阻均分布在基板上，薄膜电阻包括上下两部分结构，呈“非”字形状
。
[0014]优选地，基板采用抛光陶瓷基板，抛光陶瓷基板的厚度为
0.635mm。
[0015]优选地，薄膜电阻为
50
欧母
。
[0016]本专利技术所带来的有益技术效果：
[0017]本专利技术保证射频探针针尖间距
300
微米
‑
600
微米时实现回波损耗优于
‑
20dB
，实现高性能负载；电阻最小尺寸大于
0.09mm
，方便加工，对微带制作工艺要求低，提高成品率，降
低产品成本
。
附图说明
[0018]图1为单个电阻
50
欧母连接
signal
和
ground
的示意图；
[0019]图2为两个电阻
100
欧母并联连接
signal
和
ground
的示意图；
[0020]图3为负载局部示意图；
[0021]图4为校准片全局示意图；
[0022]图5为传统校准片的负载
(
左
)
与大间距探针针尖
(
右
)
对比图；
[0023]图6为大间距被测件接口
(
左
)
与探针针尖
(
右
)
对比图；
[0024]图7为大间距校准片负载
(
左
)
与探针针尖
(
右
)
尺寸对比图；
[0025]图8为大间距被测件
(
左
)
与探针针尖
(
右
)
对比图
。
具体实施方式
[0026]下面结合附图以及具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明：
[0027]实施例1：
[0028]如图3和图4所示，一种探针用校准片，该校准片上设置有若干负载；每个负载均包括两部分对称结构，每部分结构均包括信号
‑
导体金
、
地
‑
导体金
、
薄膜电阻
、
基板；信号
‑
导体金
、
地
‑
导体金和薄膜电阻均分布在基板上，薄膜电阻包括上下两部分结构，呈“非”字形状
。
[0029]基板采用抛光陶瓷基板，抛光陶瓷基板的厚度为
0.635mm。
[0030]薄膜电阻为
50
欧母
。
[0031]实施例2：
[0032]在上述实施例1的基础上，本专利技术还提到一种探针用校准片配套探针针尖，具体如下：
[0033]针尖为
GSG
结构形式，包括三个接触片，两侧为
G
，为地信号英文
GND
缩写
G
，中间
S
，是信号英文
Signal
的缩写
S。
[0034]接触片尺寸与校准片或者被测件尺寸接近，接触片的前端有
40
微米左右的触点，材料为砒铜或者类似金属材料
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种探针用校准片，其特征在于：该校准片上设置有若干负载；每个负载均包括两部分对称结构，每部分结构均包括信号
‑
导体金
、
地
‑
导体金
、
薄膜电阻
、
基板；信号
‑
导体金
、
地
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志刚，姜万顺，曹玉金，朱伟峰，石先宝，张枢，张文兴，
申请(专利权)人：中电科思仪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：