热炉管及热炉制造技术

本实用新型专利技术属于半导体生产技术领域，公开了热炉管及热炉。该热炉管一侧设置有进气结构，进气结构包括进气段、出气段和缓冲段，缓冲段设置于进气段与出气段之间，部分进气段、缓冲段和出气段均设置于热炉管的内腔中，另一部分进气段位于热炉管的外部，用于连接外部气源。本实用新型专利技术中将部分进气段、缓冲段和出气段均设置于热炉管的内腔中，能够通过热炉管对这部分气体进行预热，且缓冲段增加了预热的行程，使得经过进气结构输入的气体温度均匀，且与热炉内的温度保持一致，进而提升扩散效果，确保产品品质。确保产品品质。确保产品品质。

【技术实现步骤摘要】
热炉管及热炉


[0001]本技术涉及半导体生产
，尤其涉及热炉管及热炉。

技术介绍

[0002]半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过化学处理才能够应用到产品上，CVD技术是其中的一种处理方式，CVD即化学气相沉积，CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等，其中APCVD、LPCVD常用于低压工艺或者常压工艺，制备半导体工艺中的氧化层和非晶硅层，制作工艺通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行热反应来实现。
[0003]传统的LPCVD设备中，氧气的通入方式采用金属直通管放于炉管底部，从炉口进气炉尾出气。在通气过程中，特别是炉口和炉尾部分因为持续通氧带来的掉温和出口处氧气温度相较炉管温度偏低的情况，直接导致了炉口炉尾存在温度均匀性差的问题，间接影响加工材料的成膜质量和电性能参数，特别是在TBC工艺中，氧化层成膜质量的好坏影响突出。
[0004]因此，亟需一种热炉管及热炉以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种热炉管及热炉，该热炉管通过增加气体的预热长度使得气体与炉管内部的温度较为均匀，提升产品质量。
[0006]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]热炉管，所述热炉管包括炉管本体和进气结构，所述进气结构包括进气段、出气段和缓冲段，所述缓冲段设置于所述进气段与所述出气段之间，部分所述进气段、所述缓冲段和所述出气段均设置于所述炉管本体的内部，另一部分所述进气段位于所述炉管本体的外部，用于连接外部气源。
[0008]作为一种可选的技术方案，所述缓冲段为螺旋结构。
[0009]作为一种可选的技术方案，所述缓冲段包括多个依次首尾连通的连接段，每个所述连接段均与所述炉管本体的内壁相连接。
[0010]作为一种可选的技术方案，所述缓冲段包括相互连通的第一缓冲段和第二缓冲段，所述第一缓冲段通过结构件安装于所述炉管本体内壁上侧，且第一缓冲段与所述进气段连通；所述第二缓冲段设置于所述炉管本体的内底壁，且所述第二缓冲段与所述出气段连通。
[0011]作为一种可选的技术方案，所述热炉管的端部设置有端盖，所述进气段穿过所述端盖，所述端盖设有安装孔，所述进气段穿过所述安装孔，且通过限位件连接于所述安装孔中。
[0012]作为一种可选的技术方案，所述炉管本体的内部具有反应区和非反应区，所述缓
冲段位于所述非反应区，所述出气段延伸至所述反应区内。
[0013]作为一种可选的技术方案，所述出气段设置于所述炉管本体的底壁。
[0014]作为一种可选的技术方案，所述缓冲段的螺旋圈数为12圈至18圈，所述缓冲段的螺距为12mm
‑
18mm。
[0015]作为一种可选的技术方案，所述出气段呈直线结构或弯曲结构。
[0016]本技术还采用以下技术方案：
[0017]热炉，所述热炉具有炉腔，所述热炉包括如上所述的热炉管，多个所述热炉管均设置于所述炉腔内。
[0018]本技术的有益效果：
[0019]本技术公开一种热炉管，该热炉管一侧设置有进气结构，进气结构包括进气段、出气段和缓冲段，缓冲段设置于进气段与出气段之间，部分进气段、缓冲段和出气段均设置于热炉管的内腔中，另一部分进气段位于热炉管的外部，用于连接外部气源。本技术中将部分进气段、缓冲段和出气段均设置于热炉管的内腔中，能够通过热炉管对这部分气体进行预热，且缓冲段增加了预热的行程，使得经过进气结构输入的气体温度均匀，且与热炉内的温度保持一致，进而提升扩散效果，确保产品品质。
[0020]本技术还公开一种热炉，该热炉包括如上所述的热炉管，能够通过增加气体的预热行程，提升气体温度的均匀性，进而确保扩散效果，提升产品品质。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例的热炉管的主视图；
[0022]图2是本技术实施例的热炉管的俯视图；
[0023]图3是本技术实施例的进气结构的结构示意图；
[0024]图4是本技术实施例的反应区的示意图；
[0025]图5是本技术实施例的缓冲段另一结构的示意图；
[0026]图6是本技术实施例的进气段与限位件配合的示意图；
[0027]图7是本技术另一个实施例的热炉管的俯视图。
[0028]图中：
[0029]1、热炉管；
[0030]10、炉管本体；11、端盖；110、安装孔；12、反应区；
[0031]20、进气结构；21、进气段；22、出气段；23、缓冲段；230、第一缓冲段；231、第二缓冲段。
[0032]30、限位件。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0034]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连
接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0036]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0037]如图1至图3所示，本实施例公开一种热炉管1，该热炉管1包括炉管本体10和进气结构20，进气结构20包括进气段21、出气段22和缓冲段23，缓冲段23设置于进气段21与出气段22之间，部分进气段21、缓冲段23和出气段22均设置于炉管本体10的内部，另一部分进气段21位于炉管本体10的外部，用于连接外部气源。具体地，本实施例中，进气段21、出气段22和缓冲段23构成气体管路，位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.热炉管，其特征在于，所述热炉管(1)包括炉管本体(10)和进气结构(20)，所述进气结构(20)包括进气段(21)、出气段(22)和缓冲段(23)，所述缓冲段(23)设置于所述进气段(21)与所述出气段(22)之间，部分所述进气段(21)、所述缓冲段(23)和所述出气段(22)均设置于所述炉管本体(10)的内部，另一部分所述进气段(21)位于所述炉管本体(10)的外部，用于连接外部气源。2.根据权利要求1所述的热炉管，其特征在于，所述缓冲段(23)为螺旋结构。3.根据权利要求2所述的热炉管，其特征在于，所述缓冲段(23)包括多个依次首尾连通的连接段，每个所述连接段均与所述炉管本体(10)的内壁相连接。4.根据权利要求1所述的热炉管，其特征在于，所述缓冲段(23)包括相互连通的第一缓冲段(230)和第二缓冲段(231)，所述第一缓冲段(230)通过结构件安装于所述炉管本体(10)内壁上侧，且所述第一缓冲段(230)与所述进气段(21)连通；所述第二缓冲段(231)设置于所述炉管本体(10)的内底壁，且所述第二缓冲段(231)与所述出气段(22)...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁文杰，毛文龙，范伟，梁笑，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：