DDR5温度传感器的测试系统、方法、计算机设备及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了DDR5温度传感器的测试系统、方法、计算机设备及存储介质，该方法包括：通过UART串口向测试模块发出测试信号，以使FPGA模组根据所述测试信号进行初始化配置；利用FPGA模组对温度控制装置和DDR5测试装置进行在位判断，并根据在位判断结果进行初始化配置，然后在判定温度控制装置和DDR5测试装置均在位后确认开始测试；控制温度控制装置启动，以及向DDR5测试装置发布相应的总线命令，以使DDR5测试装置进行TS寄存器转换；获取温度控制装置的第一温度数据以及DDR5测试装置的第二温度数据；对第一温度数据和第二温度数据进行对比分析，并输出测试结果。本发明专利技术基于FPGA搭配温度控制装置实现温度传感器的脱机测试，可实现FPGA的统一控制，从而提高温度采集的准确性。从而提高温度采集的准确性。从而提高温度采集的准确性。

【技术实现步骤摘要】
DDR5温度传感器的测试系统、方法、计算机设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及传感器测试
，特别涉及DDR5温度传感器的测试系统、方法、计算机设备及存储介质。

技术介绍

[0002]DDR5是一种计算机内存规格，相比DDR4，DDR5的DIMM(双列直插式存储模块)上所需的和数据传输相关的关键芯片更多，其中包括寄存时钟驱动器(RCD)、数据缓冲器(DB)和串行检测集线器(SPD Hub)，而服务器级的内存模组还需要在两端添加温度传感器(TS)。
[0003]现有的温度传感器必须经过服务器的测试才能获知其温度探测性能，而服务器或者CPU能够使用温度传感器返回的当前温度的信息管理风扇速度/噪声以及DRAM(动态随机存取内存)刷新率来提高性能或保留时间，并且可以用于限制带宽，例如可以选择节流带宽以减少热量。而在DDR5内存条的量产测试中，由于DDR5内存条都是在高温状态(60度以上)下进行的，如果温度传感器传输的温度错误，那么便会导致测试温腔的温度测试不准确，进而导致测试结果无效，增加测试成本，且长时间高温测试还会影响DDR5芯片寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种DDR5温度传感器的测试系统、方法、计算机设备及存储介质，旨在实现温度传感器的脱机测试，并提高测试准确性。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种DDR5温度传感器的测试系统，包括：
[0006]测试主机和测试模块，所述测试主机通过UART串口与所述测试模块连接；
[0007]所述测试模块包括FPGA模组、温度控制装置和DDR5测试装置，所述FPGA模组通过I2C和/或I3C总线分别与所述温度控制装置和DDR5测试装置连接，所述温度控制装置设置有中空温腔，所述中空温腔的内壁设置有多个监测点，所述DDR5测试装置配置有TS温度模块和SPD温度模块，所述DDR5测试装置设置于所述中空温腔内。
[0008]第二方面，本专利技术实施例提供了一种DDR5温度传感器的测试方法，采用如第一方面所述的DDR5温度传感器的测试系统，该方法包括：
[0009]通过UART串口向测试模块发出测试信号，以使FPGA模组根据所述测试信号进行初始化配置；
[0010]利用所述FPGA模组对温度控制装置和DDR5测试装置进行在位判断，并根据在位判断结果进行初始化配置，然后在判定温度控制装置和DDR5测试装置均在位后确认开始测试；
[0011]当确认开始测试时，控制所述温度控制装置启动，以及向所述DDR5测试装置发布相应的总线命令，以使所述DDR5测试装置进行TS寄存器转换；
[0012]获取所述温度控制装置的第一温度数据以及所述DDR5测试装置的第二温度数据；
[0013]对所述第一温度数据和第二温度数据进行对比分析，并根据对比分析的结果输出关于DDR5温度传感器的测试结果。
[0014]第三方面，本专利技术实施例提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第二方面所述的DDR5温度传感器的测试方法。
[0015]第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第二方面所述的DDR5温度传感器的测试方法。
[0016]本专利技术实施例提供了一种DDR5温度传感器的测试系统、方法、计算机设备及存储介质，该方法包括：通过UART串口向测试模块发出测试信号，以使FPGA模组根据所述测试信号进行初始化配置；利用所述FPGA模组对温度控制装置和DDR5测试装置进行在位判断，并根据在位判断结果进行初始化配置，然后在判定温度控制装置和DDR5测试装置均在位后确认开始测试；当确认开始测试时，控制所述温度控制装置启动，以及向所述DDR5测试装置发布相应的总线命令，以使所述DDR5测试装置进行TS寄存器转换；获取所述温度控制装置的第一温度数据以及所述DDR5测试装置的第二温度数据；对所述第一温度数据和第二温度数据进行对比分析，并根据对比分析的结果输出关于DDR5温度传感器的测试结果。本专利技术实施例基于FPGA模组搭配温度控制装置实现温度传感器的脱机测试，DDR5测试装置上的TS温度模块支持I2C和I3C总线协议，同样温度控制装置的温度控制总线也采用了同类型支持I2C和I3C的红外温度采集器，如此便能够实现FPGA模组的统一控制，从而提高温度采集的准确性。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试系统的示意性框图；
[0019]图2为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试方法的流程示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试方法中步骤S202的子流程示意图；
[0021]图4为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试方法中步骤S203的子流程示意图；
[0022]图5为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试方法中步骤S203另一的子流程示意图；
[0023]图6为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试方法中步骤S205的子流程示意图；
[0024]图7为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试方法中步骤S205的另一子流程示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试系统的结构示意图；
[0026]图9为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试系统中温度控制装置的结构示意图；
[0027]图10为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试系统的剖面结构示意图；
[0028]图11为本专利技术实施例提供的一种DDR5温度传感器的测试系统中温度控制装置的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0031]还应当理解，在此本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DDR5温度传感器的测试系统，其特征在于，包括：测试主机和测试模块，所述测试主机通过UART串口与所述测试模块连接；所述测试模块包括FPGA模组、温度控制装置和DDR5测试装置，所述FPGA模组通过I2C和/或I3C总线分别与所述温度控制装置和DDR5测试装置连接，所述温度控制装置设置有中空温腔，所述中空温腔的内壁设置有多个监测点，所述DDR5测试装置配置有TS温度模块和SPD温度模块，所述DDR5测试装置设置于所述中空温腔内。2.一种DDR5温度传感器的测试方法，采用如权利要求1所述的DDR5温度传感器的测试系统，其特征在于，包括：通过UART串口向测试模块发出测试信号，以使FPGA模组根据所述测试信号进行初始化配置；利用所述FPGA模组对温度控制装置和DDR5测试装置进行在位判断，并根据在位判断结果进行初始化配置，然后在判定温度控制装置和DDR5测试装置均在位后确认开始测试；当确认开始测试时，控制所述温度控制装置启动，以及向所述DDR5测试装置发布相应的总线命令，以使所述DDR5测试装置进行TS寄存器转换；获取所述温度控制装置的第一温度数据以及所述DDR5测试装置的第二温度数据；对所述第一温度数据和第二温度数据进行对比分析，并根据对比分析的结果输出关于DDR5温度传感器的测试结果。3.根据权利要求2所述的DDR5温度传感器的测试方法，其特征在于，所述利用所述FPGA模组对温度控制装置和DDR5测试装置进行在位判断，并根据在位判断结果进行初始化配置，然后在判定温度控制装置和DDR5测试装置均在位后确认开始测试，包括：基于I2C总线，利用所述FPGA模组获取所述温度控制装置和DDR5测试装置的总线地址；判断所述温度控制装置的总线地址与预存地址是否一致，并当所述温度控制装置的总线地址与预存地址一致时，判定所述温度控制装置在位；根据所述DDR5测试装置的总线地址获取管脚信息，并根据管脚信息确认在位的温度模块；其中所述温度模块为TS温度模块或者SPD温度模块；当判定所述DDR5测试装置在位时，将所述FPGA模组与DDR5测试装置之间的执行总线切换为I3C总线。4.根据权利要求2所述的DDR5温度传感器的测试方法，其特征在于，所述当确认开始测试时，控制所述温度控制装置启动，以及向所述DDR5测试装置发布相应的总线命令，以使所述DDR5测试装置进行TS寄存器转换，包括：控制所述温度控制装置启动；按照预置升温策略控制所述温度控制装置加热至预设温度值；在达到预设温度值后，按照预置降温策略控制所述温度控制装置降温至室温；利用FPGA模组向所述温度控制装置发送控制指令，以使所述温度控制装置根据所述控制指令进入骤冷骤热模式；在所述温度控制装置进入骤冷骤热模式预设时间后，控制所述温度控制装置转为慢热模式，以使所述温度控制装置回归至室温。5.根据权利要求2所述的DDR5温度传感器的测试方法，其特征在于，所述当确认开始测试时，控制所述温度控制装置启动，以及向所述DDR5测试装置发布相应的总线命令，以使所
述DDR5...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏婷婷，黄秋容，杨海洋，
申请(专利权)人：南宁泰克半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：