一种光电二极管的暗电流仿真方法、系统和电子设备技术方案

本申请涉及TCAD仿真技术领域，公开了一种光电二极管的暗电流仿真方法、系统和电子设备。该方法包括基于待仿真光电二极管的工艺平台参数，输入到TCAD仿真工具中构造光电二极管仿真模型；删除光电二极管仿真模型中的阴阳极电极，并在原有的阴阳极电极对应的位置区域施加扫描电压，以通过TCAD仿真工具仿真出电流

【技术实现步骤摘要】
一种光电二极管的暗电流仿真方法、系统和电子设备


[0001]本申请涉及TCAD仿真
，尤其涉及一种光电二极管的暗电流仿真方法、系统和电子设备。

技术介绍

[0002]随着通信技术、互联网技术得发展。网络所带给人得信息量越来越大，越来越多得信息以图形、声音、图像、动画的形式传输。人们越来越多的通过视觉信息来获取所需要得知识。因此，有着图像采集、转换作用的图像传感器，对传媒、网络等多个行业得发展至关重要。图像传感器的目的是为了将拍摄的图像转换成电信号，以利于远距离传输。图像传感器的感光单元是基于半导体材料实现的，如光电二极管等，其本质是利用Si(硅)等材料的光电转换功能，把照射到硅材料上的可见光等波段的光转换为电信号。
[0003]进一步地，暗电流作为无光照情况下，在外加偏置电压下的电流，能够反应光电二极管的噪声水平，最终对器件的信噪比产生重大影响，影响器件性能。在仿真光电二极管的暗电流时，器件级仿真电流值在1e
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～1e
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A水平，任何不当的仿真参数设置或者不必要的网格本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管的暗电流仿真方法，其特征在于，包括：获取待仿真的光电二极管器件的工艺平台参数；将所述工艺平台参数输入至TCAD仿真工具中，构造光电二极管仿真模型；删除所述光电二极管仿真模型中的阴阳极电极，并在原有的所述阴阳极电极对应的位置区域施加扫描电压，以通过所述TCAD仿真工具仿真生成电流
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电压曲线；基于所述电流
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电压曲线，得到不同偏置电压下的暗电流。2.根据权利要求1所述的光电二极管的暗电流仿真方法，其特征在于，所述将所述工艺平台参数输入至TCAD仿真工具中，构造光电二极管仿真模型，包括：基于所述工艺平台参数，在TCAD仿真工具中，设置所述待仿真的光电二极管的硅衬底层；在所述硅衬底层上方设置浅沟道隔离区域；在所述浅沟道隔离区域两侧分别设置N阱区、P阱区、P+注入区、N+注入区；其中，所述P+注入区和所述N+注入区均设置于所述N阱区和所述P阱区的上方，且所述P+注入区和所述N+注入区的上边沿与所述浅沟道隔离区域的上边沿对齐；在所述浅沟道隔离区域、所述P+注入区和所述N+注入区的上方设置预设面积的光电感光区域；其中，所述光电感光区域内填充有富硅氧化物；在所述光电感光区域内蚀刻掉富硅氧化物，并电沉积金属作为阴阳极电极，进而形成光电二极管仿真模型。3.根据权利要求2所述的光电二极管的暗电流仿真方法，其特征在于，所述在所述光电感光区域内蚀刻掉富硅氧化物，并电沉积金属作为阴阳极电极，包括：将所述光电感光区域内且分别位于所述P+注入区上方和所述N+注入区上方的区域作为目标区域；刻蚀掉所述目标区域内的富硅氧化物，将经过蚀刻处理后的目标区域作为阴阳极电极接触区域；在所述阴阳极电极接触区域内电沉积金属，得到金属沉积层，并将所述金属沉积层定义为阴极电极或阳极电极；其中，所述阳极电极位于所述P+注入区的上方，所述阴极电极位于所述N+注入区的上方。4.根据权利要求2所述的光电二极管的暗电流仿真方法，其特征在于，所述浅沟道隔离区域为多个间隔预设距离的倒梯形区域，且所述倒梯形区域内部填充有预设隔离氧化物；其中，每个所述倒梯形区域的深度范围为0.3～0.5um。5.根据权利要求4所述的光电二极管的暗电流仿真方法，其特征在于，所述在所述浅沟道隔离区域两侧分别设置N阱区、P阱区、P+注入区、N+注入区，包括：每两个所述倒梯形区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹东，温传敬，
申请(专利权)人：深圳市汇春科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：