一种涉及金属检测晶片制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及晶片技术领域，本发明专利技术提供了一种涉及金属检测晶片制备方法及应用，使用不同的二维电材料，(包括硅，钛，镓，石墨烯(Gr)40，41、黑磷(BP)13和硒化钯(PdSe2)42，43纳米片)作为活性热电材料来制造晶片的基本材料，其方法为：使用Lumerical FDTD解决方案和HEAT包对手性等离子体超材料的响应和光热效应进行了模拟；模拟结构由硅基板、SiO(厚度为28nm)、金背板(厚度为20nm)、AlO介电空间层(20

【技术实现步骤摘要】
一种涉及金属检测晶片制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及晶片
，具体涉及一种涉及金属检测晶片制备方法及应用。

技术介绍

[0002]在实际生产中，由于受检测手段的限制，再加上工艺因素的复杂性，很难把材料性能同成品率和电路性能直接对应起来，为此，本专利技术提出一种涉及金属检测晶片制备方法及应用来解决上述问题。

技术实现思路

[0003]为克服现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种涉及金属检测晶片制备方法及应用，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为达到所述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种涉及金属检测晶片制备方法，使用不同的二维电材料，(包括硅，钛，镓，石墨烯(Gr)40，41、黑磷(BP)13和硒化钯(PdSe2)42，43纳米片)作为活性热电材料来制造晶片的基本材料，其方法为：
[0005]使用Lumerical FDTD解决方案和HEAT包对手性等离子体超材料的响应和光热效应进行了模拟；
[0006]模拟结构由硅基板、SiO2(厚度为28nm)、金背板(厚度为20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种涉及金属检测晶片制备方法，其特征在于，使用不同的二维电材料，(包括硅，钛，镓，石墨烯(Gr)40，41、黑磷(BP)13和硒化钯(PdSe2)42，43纳米片)作为活性热电材料来制造晶片的基本材料，其方法为：使用LumericalFDTD解决方案和HEAT包对手性等离子体超材料的响应和光热效应进行了模拟；模拟结构由硅基板、SiO2(厚度为28nm)、金背板(厚度为20nm)、Al2O3介电空间层(20
‑
20nm)、金天线(厚度为15nm)和空气组成。使用公式计算功率密度吸收：Pabs＝1/2ωε”|E|2，其中ω是光频率，ε”是介电函数的虚部；即(1)在边界处的顶面应用了10W/(m2·
K)的对流。Au纳米结构和Al2O3；(2)在Au与Al2O3、Au与SiO2、SiO2与Si之间的界面上设置10W/m2的热流密度，模拟固体界面的弱热流；(3)模拟域下边界温度固定为室温(293K)。为了模拟大尺寸(4平方毫米)装置的温度分布，使用带有传热模块的COMSOL Multiphysics软件；作为晶片制造的第一步，首先将20nm厚的金薄膜和典型厚度(20
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20nm)的Al2O3电介质空间层沉积到使用28nm热SiO2生长的重p掺杂硅晶片上使用电子束蒸发；然后，使用标准电子束光刻在芯片上形成电极和金纳米天线阵列图案，然后热沉积5nm厚的Cr和50nm厚的Au并进行剥离过程(将样品浸入丙酮中1小时)，此后，二维热电材料，如钛，镓，硅晶，石墨烯(Gr)、黑磷(BP)和PdSe2纳米片被机械地从它们的块体晶体上剥...

【专利技术属性】
技术研发人员：遆好伟，
申请(专利权)人：深圳市元素电子测试有限公司，
类型：发明
国别省市：