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本发明涉及晶片技术领域，本发明提供了一种涉及金属检测晶片制备方法及应用，使用不同的二维电材料，(包括硅，钛，镓，石墨烯(Gr)40，41、黑磷(BP)13和硒化钯(PdSe2)42，43纳米片)作为活性热电材料来制造晶片的基本材料，其方法为...该专利属于深圳市元素电子测试有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市元素电子测试有限公司授权不得商用。
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本发明涉及晶片技术领域，本发明提供了一种涉及金属检测晶片制备方法及应用，使用不同的二维电材料，(包括硅，钛，镓，石墨烯(Gr)40，41、黑磷(BP)13和硒化钯(PdSe2)42，43纳米片)作为活性热电材料来制造晶片的基本材料，其方法为...