有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法技术

本发明专利技术提供一种有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法，包括：１）在制作好的阳极和汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为３－８微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，通过控制曝光量来控制光阻的曝光厚度，从而控制隔离柱的高度为２－５微米；２）然后将基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，通过控制曝光量来控制该光阻底部未曝光部分的厚度，从而控制绝缘层６０的高度为１－３微米；３）将曝光完成后的光阻显影、干燥、固膜。该方法采用一种光刻胶，一次涂覆，一次前烘、两次曝光、一次显影、一次后烘的方法，使得制作工序大大减少，并且相应的制作成本大大降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光装置，尤其涉及一种有机发光二极管及其绝缘层 (Insulator)和隔离柱(Rip)的制作方法。
技术介绍
近些年有机发光二极管的发光器件越来越受到人们的关注，这是因为其借助自发 光，消除了在液晶显示装置中必要的背光源，并且这样使其易于制作成更薄更轻便的显示 装置。另外，自发光0LED具有较高的清晰度和色彩饱和度。0LED除了具有阳极层和阴极层之外，还具有一个包含有机化合物的层，当对该有 机层施加一个电场时，电流激发其发光(电致发光)。有机化合物发出的冷光被分成从单重 态激发(荧光)回到基态的发光和从三重态激发(磷光)回到基态的发光。设在阳极和阴极之间的所有层一起构成有机发光构件，该有机发光构件至少包括 一个发光层，一个空穴注入层，一个电子注入层，一个空穴传输层等。0LED的基本结构是以 阳极层，发光层和阴极层顺序排列的片层。这种基本结构能够改变成以阳极、空穴注入层、 发光层、阴极层顺序排列的片层，或者以阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入 层和阴极层顺序排列的片层。请参阅图1及图2所示，其披露了 0LED的基本结构，其包括成型于玻璃基板10上 的阳极20、于该阳极20上依预定图案设置的像素定义层60即绝缘层、多个成形于该绝缘层 60上的隔离柱50、多个介于隔离柱50间的有机发光构造30、以及同时沉积于该隔离柱50 上的金属层70与该有机发光构造30上的阴极40，其中倒梯形的隔离柱50使阴极40之间 绝缘。公知的，将隔离柱50做成倒梯形结构在沉积阴极层的时候可有效防止隔离柱50上 面的金属层70与该阴极40的短路与干扰。其中由绝缘层来定义像素图案，该绝缘层将显示面板分割成一个个微小区间，空 穴传输层、有机发光层、电子传输层沉积在该区间中，形成一个个的发光单元即为像素。利 用隔离柱的高度差，将整板蒸镀其上的阴极分开，形成独立的阴电极图案。一般用IT0透明 电极做阳极，阴极一般用热蒸镀的方法沉积A1。通常绝缘层和隔离柱分开制做，并且两种光阻性质不同，先做好绝缘层，然后在绝 缘层上面做隔离柱。每层都必须要经过涂覆、前烘、曝光、显影、后烘等制程，工艺相当繁琐。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，该方 法有效的减少制作工序，降低生产成本。为了实现上述目的，本专利技术有机发光二极管的制作方法采用如下技术方案一种有机发光二极管的制作方法，其包括以下步骤第一步制作金属汇流电极和非金属阳极在镀有金属电极层和非金属透明导电层 的玻璃基板上面，均勻涂覆一层正性光阻，然后利用掩膜及微影图像转移技术，在该基板上面形成金属汇流电极的互补图案，利用该光阻图案作为掩膜，将没有被保护的金属层刻蚀 掉，然后将作为掩膜的光阻剥离，非金属阳极的制作过程同上，即先用光阻形成保护图案， 然后在蚀刻液中刻蚀，最后剥离光阻；第二步制作绝缘层和隔离柱在制作好的非金属阳极和金属汇流电极的玻璃基板 上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光， 控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度为2-5微米；然后将该玻璃基板翻转，用绝缘层的 曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底层未曝光部分的厚度，使绝缘层的高度为 1-3微米；曝光完成后对光阻进行显影、干燥、固膜；第三步沉积有机发光构件的各有机功能层采用真空热蒸镀的方法沉积有机发光 构件的各有机功能层，所述有机发光构件的各有机功能层至少包括一有机发光层；第四步蒸镀电子注入层和阴极采用真空热蒸镀的方法沉积电子注入层和阴极， 然后对该器件进行真空封装。所述金属电极层可为Cr或Mo/Al/Mo，刻蚀没有保护的Cr或Mo/Al/Mo所采用的蚀 刻液为1. 69-2.13wt. %的硝酸、9. 95-10. 95wt. %的冰醋酸、70. 20-72. 93wt. %的磷酸及去 离子水的混合溶液，该硝酸、冰醋酸、磷酸及去离子水的体积比为3 15.2 76.8 5.0。所述非金属透明导电层的材料为ΙΤ0、ΙΖ0, GZO中一种，刻蚀非金属阳极所采用的 蚀刻液为18wt.%的盐酸、1.6wt. %的硝酸及去离子水的混合溶液，该盐酸、硝酸及去离子 水的混合溶液的体积比为1 0.08 1。所述剥离光阻所采用的剥离液为3_8wt. %的氢氧化钾水溶液。所述第二步中显影用显影液为2. 38wt. %的TMAH，显影时间为100-300秒，干燥为 在200-250°C环境下干燥20-50分钟。为了实现上述目的，本专利技术有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法采用如 下技术方案一种有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法，其包括以下步骤1)在制作好的非金属阳极和金属汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微 米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度 为2-5微米；2)然后将基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底 部未曝光部分的厚度，使绝缘层60的高度为1-3微米；3)将曝光完成后的光阻显影、干燥、固膜。所述将曝光完成后的光阻显影、干燥的步骤为选用2.38wt. %的TMAH显影液显 影100-300秒，然后用DI水清洗，在200-250°C干燥20-50分钟。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点采用一种光刻胶，一次涂覆，一次前烘、两 次曝光、一次显影、一次后烘的方法，使得制作工序大大减少，并且相应的制作成本大大降 低。附图说明图1为公知的OLED的侧视示意图；图2为公知的有机发光构件各层组成示意其中10为玻璃基板；20为阳极；30为有机发光构造；40为电子注入层和阴极；50 为隔离柱；60为绝缘层；70为金属层；301为空穴输运层；302为有机发光层；303为空穴/ 激子的阻隔层；304为电子输运层。 具体实施例方式本专利技术制作方法所制作的OLED的结构与公知的OLED的结构相同，其主要是提供 一种全新的有机电致发光二极管的制作方法，利用微影图像转移技术，绝缘层和隔离柱用 一种光刻胶，分两次曝光，一次显影制作而成，减少了制作工序、降低生产成本。请参阅图1及图2所示，为使本专利技术的内容更容易理解，以下举几个例子予以说 明。实施例1 本专利技术有机电致发光二极管的制作方法包括以下步骤第一步制作金属汇流电极和非金属透明阳极20 在清洗干净的镀有Mo/Al/Mo和 ITO双层透明导电膜的玻璃基板10上面涂覆正性光阻，然后利用微影图像转移技术，在该 玻璃基板10上面形成Mo/Al/Mo金属汇流电极的互补图案；利用该光阻形成的图案作为掩 膜，刻蚀没有被保护的Mo/Al/Mo导电层，蚀刻液采用1.69wt. %的硝酸、9. 95wt. %的冰醋 酸、70. 20wt. %的磷酸及去离子水的混合溶液，体积混合比为3 15. 2 76.8 5. 0 ；蚀刻 完成后将光阻剥离并形成Mo/Al/Mo汇流电极，剥离液选用3wt. %的氢氧化钾水溶液；ITO 阳极20的制作过程同上，蚀刻液选用18wt. %的盐酸、1.6wt. %的硝酸及去离子水的混合 溶液，体积混合比为1 0.08 1 ；第二步制作绝缘层60和隔离柱50 在制作好的阳极20和金属汇流电极上面涂覆 一层负性光阻，厚度为8微米，用隔离柱50的曝光掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：第一步制作金属汇流电极和非金属阳极：在镀有金属电极层和非金属透明导电层的玻璃基板上面，均匀涂覆一层正性光阻，然后利用掩膜及微影图像转移技术，在该基板上面形成金属汇流电极的互补图案，利用该光阻图案作为掩膜，将没有被保护的金属层刻蚀掉，然后将作为掩膜的光阻剥离，非金属阳极的制作过程同上，即先用光阻形成保护图案，然后在蚀刻液中刻蚀，最后剥离光阻；第二步制作绝缘层和隔离柱：在制作好的非金属阳极和金属汇流电极的玻璃基板上面涂覆一层负性光阻，厚度为３－８微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度为２－５微米；然后将该玻璃基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底层未曝光部分的厚度，使绝缘层的高度为１－３微米；曝光完成后对光阻进行显影、干燥、固膜；第三步沉积有机发光构件的各有机功能层：采用真空热蒸镀的方法沉积有机发光构件的各有机功能层，所述有机发光构件的各有机功能层至少包括一有机发光层；第四步蒸镀电子注入层和阴极：采用真空热蒸镀的方法沉积电子注入层和阴极，然后对该器件进行真空封装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]