有机发光显示器修复方法技术

本发明专利技术提供了一种有机发光显示器修复方法，其能够减小电极等中被除去的面积，并防止显示质量下降。在有机发光显示器修复方法中，有机发光显示器包括有机发光器件，有机发光器件包括多个像素，多个像素中的每个在基板上均按顺序包括第一电极、包括发光层的有机层和第二电极，多个像素中的每个均从在其间夹有有机层的第一电极和第二电极彼此重叠的发光区发光，该方法包括以下步骤：将激光束施加至一直为亮点的像素的发光区的外围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地，涉及一 种适合于修复亮点缺陷像素(例如， 一直发光的像素)的有机发光 显示器修复方法。
技术介绍
在有机发光显示器中，除了仍不发光的所谓暗点之外，像素缺 陷还包括被称作亮点的缺陷。亮点的实例包括一直以最大强度发光 的像素、比其他像素发出更亮的光的像素(即使在正常操作期间， 仍然以例如20%以上的亮度发光的<象素)、以及在另一种颜色的影 响下发光的像素(例如，当像素被认为发出红光时发出蓝光的像 素)，并且在亮点出现在暗背景的情况下，最容易看见亮点。这种 亮点缺陷可能不是由有机发光器件引起的，并且因为TFT电路由于 用于驱动的TFT (薄膜晶体管)的缺陷而不能适当地工作，所以可 能会出现亮点缺陷。作为在现有技术中的亮点缺陷修复方法，已知将激光施加至亮 点像素的整个表面以除去有才几层或电才及的方法(例如，参见日本未审查专利申讳 ^开第2003-178871号和第2003-233329号)。例如，如图16A所示，有才几发光器4牛的正常4象素具有以下配置， 其中，在TFT基板810上按顺序层压第一电极813、有机层815、 第二电极816和保护层817，并且在保护层817上放置面对基板820。 如图16B所示，在出现亮点缺陷的情况下，例如，将激光束LB乂人 第二电极816的侧面施加至亮点像素的整个表面以除去第二电极 816的施加激光部分并阻断电流，从而停止像素的发光操作(像素 变为暗点)。
技术实现思路
然而，在现有技术将激光施加至亮点像素的整个表面的方法 中，除去了有一几层或电才及的施加5敫光部分，所以l象素中的施加纟敫光 部分的配置不同于像素中未施加激光部分的配置。在正常像素中， 外部光纟皮第二电极816和第一电才及813反射，并且在通过激光照射 变为暗点的像素中，如图16C所示，除去了第二电才及816的施加激 光部分，所以反射率发生改变。因此，通过外部光的反射变为暗点 的4象素的可见度不同于正常<象素的可见度，乂人而显示质量下降。鉴于以上问题，期望提供一种，其能 够减小电才及等中4皮除去的面积，并防止显示质量下降。才艮据本专利技术的实施例，提供了 一种有才几发光显示器修复方法， 该有机发光显示器包括有机发光器件，有机发光器件包括多个像 素，多个像素中的每个在基板上均按顺序包括第一电极、包括发光 层的有机层和第二电极，多个像素中的每个均从在其间夹有有机层的第 一 电极和第二电极彼此重叠的发光区发光，该方法包括以下步骤将激光束施加至一直为亮点的像素的发光区的外围。在根据本专利技术实施例的中，由于将激 光束施加至 一 直为亮点的像素的发光区的外围，所以除去了第 一 电 才及或第二电4及的施加激光束部分。因此，由于电流不会在发光区中 流动，所以像素的发光纟喿作停止。此外，由于激光束^皮施加至发光 区的外围，所以减小了第一电才及或第二电才及中净皮除去的面积，并且 由于发光区中的第 一 电4及和第二电才及仍然^f呆留而没有^皮除去，所以 <象素通过外部光的反射的可见度4艮少不同于 <象素周围的正常^f象素 的可见度。因此，防止了显示质量的下降。在根据本专利技术实施例的中，由于将激 光束施加至 一直为亮点的像素的发光区外围，所以能够减小电极等 中#皮除去的面积。因此，能够防止显示质量的下降，显示质量的下去而改变。具体地，当显示器的尺寸增大，以及发光区的尺寸与显 示器的尺寸成比例地增大时，能够减小电极中被除去的面积与发光 区的面积之比，并且能够获得更显著的改进显示质量的效果。才艮据以下描述将更加全面地了解本专利技术的其他及另外的目的、 特征和优点。附图说明图1是4安顺， 步骤的示图2是示出了图1所示的^f象素驱动电路的实例的示图图3是示出了图1和图2步骤之后的步骤的截面图4是示出了在图3步骤之后的步骤中所使用的修复设备的整 体配置的示图5A和图5B是图4所示的4务复i殳备的侧:规图和俯^L图6是用于描述使用图4和图5所示的修复设备的修复方法的 平面图7是用于描述图6所示的修复方法的截面图8是示出了用于激光照射的掩模的平面图9是示出了使用图8所示的掩模施加激光的方法的截面图10是示出了包括根据上述实施例的显示器的模块的示意性 配置的平面图11是示出了才艮据上述实施例的显示器的应用实例1的外部 透牙见图12A和图12B是示出了分别从正面和背面观察的应用实例2 的外部透一见图13是示出了应用实例3的外部透视图14是示出了应用实例4的外部透^L图15A、图15B、图15C、图15D、图15E、图15F和图15G分别是在打开状态下的应用实例5的正—见图和侧-见图、以及在关闭状态下的应用实例5的正S见图、左侧;f见图、右侧一见图、俯一见图和仰 牙见图；以及图16A、图16B和图16C是用于描述现有技术中的修复方法的 示图。具体实施例方式以下，将参考附图详细描述优选实施例。图1 ~图10按顺序示出了根据本专利技术实施例的包括修复方法 的有机发光显示器(下文中简称为显示器)的制造方法的步骤。首 先，如图1所示，作为用于视频显示的驱动器的信号线驱动电路120 和扫描线驱动电路130形成在在由玻璃、硅(Si)晶片、树脂等制 成的基板11上的显示区110周围，以及像素驱动电路140形成在显 示区110中。如后所述，显示区110是其中发出红光的有机发光器 件IOR、发出绿光的有机发光器件10G和发出蓝光的有机发光器件 10B以矩阵形式布置的区i^。有4几发光器件IOR、 10G和10B均构 成一个子^象素，并且^f皮此相邻的有4几发光器件IOR、 10G和10B的 组合构成一个^f象素。图2示出了像素驱动电路140的实例。像素驱动电路140是包 括驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2、在驱动晶体管Trl和写入晶 体管Tr2之间的电容器(保持电容器)Cs、以及在第一电源线(Vcc) 和第二电源线(GND )之间串联连接至驱动晶体管Trl的有机发光 驱动器10R (或10G或10B )的有源驱动电3各，以及像素驱动电^各 140形成在稍后将描述的第一电才及13的下层中。驱动晶体管Trl和 写入晶体管Tr2均由薄膜晶体管(TFT)配置，以及驱动晶体管Trl 和写入晶体管Tr2的配置可以是(例如)反交错型(所谓的底栅型) 或交错型(顶栅型)的，并且不被具体限制。在像素驱动电3各140中，多条4言号线120A沿列方向布置，以 及多条扫描线130A沿行方向布置。每条信号线120A和每条扫描 线130A的交点对应于有才几发光器件10R、10G和10B中的一个(子 像素)。每条信号线120A连接至信号线驱动电路120,并且将图像 信号从信号线驱动电路120通过信号线120A提供给写入晶体管Tr2 的源才及。每条扫描线130A连4lr至扫描线驱动电i 各130,并且顺序 地将扫描信号从扫描线驱动电路130通过扫描线130A提供给写入 晶体管Tr2的4册才及。接下来，以下将参考图3描述构成一个子像素的有机发光器件 IOR(或IOG或10B)的制造步骤。如图3所示，像素驱动电3各140 的驱动晶体管Trl形成在基板11上。换句话说，在基板11上形成 栅极31,并且在栅极31上形成由例如多晶硅制成的半导体薄膜33, 其中，在4册本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器修复方法，所述有机发光显示器包括有机发光器件，所述有机发光器件包括多个像素，所述多个像素中的每个在基板上均按顺序包括第一电极、包括发光层的有机层和第二电极，所述多个像素中的每个均从在其间夹有所述有机层的所述第一电极和所述第二电极彼此重叠的发光区发光，所述方法包括以下步骤：　将激光束施加至一直为亮点的像素的发光区的外围。

【技术特征摘要】
JP 2007-9-5 2007-2298481. 一种有机发光显示器修复方法，所述有机发光显示器包括有机发光器件，所述有机发光器件包括多个像素，所述多个像素中的每个在基板上均按顺序包括第一电极、包括发光层的有机层和第二电极，所述多个像素中的每个均从在其间夹有所述有机层的所述第一电极和所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤卷宏史，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]