【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其操作方法
[0001]本专利技术涉及一种传感器，尤其涉及一种图像传感器及其操作方法。
技术介绍
[0002]一般来说，传统的图像传感器当中须设置有多个选择晶体管、多条选择信号线、多条偏置信号线以及多条重置信号线，以分别用于提供偏置电压以及重置电压。并且，从制造工艺的角度来看，选择晶体管将会占有图像传感器的像素阵列的电路空间，并且选择信号线、偏置信号线以及重置信号线将会横跨图像传感器的像素阵列，而导致图像传感器的填充系数(fill factor)下降，以及绿平衡(Gb/Gr Balance)不佳。
技术实现思路
[0003]本专利技术是针对一种图像传感器及其操作方法，可实现图像传感器具有较高的填充系数(fill factor)，并可具有良好的绿平衡(Gb/Gr Balance)效果。
[0004]根据本专利技术的实施例，本专利技术的图像传感器包括第一像素电路、第一列读出电路以及第二列读出电路。第一像素电路包括第一像素单元、第一传送晶体管、第一重置晶体管、第一读出晶体管以及第一电容。第一列读...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：第一像素电路，包括：第一像素单元；第一传送晶体管，其中所述第一传送晶体管的第一端耦接第一浮动扩散节点，并且所述第一传送晶体管的第二端耦接所述第一像素单元；第一重置晶体管，耦接所述第一浮动扩散节点；第一读出晶体管，其中所述第一读出晶体管的控制端耦接所述第一浮动扩散节点；以及第一电容，耦接在斜坡信号以及所述浮动扩散节点之间；第一列读出电路，包括第一电路节点；以及第二列读出电路，包括偏压晶体管，其中所述第一重置晶体管的第一端以及所述第一读出晶体管的第一端耦接所述第一电路节点，并且所述第一读出晶体管的第二端耦接所述偏压晶体管。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述读出晶体管的第一端耦接所述第一电路节点，并且所述读出晶体管的第一端为漏极端。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述斜坡信号为上斜坡信号或下斜坡信号。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一传送晶体管、所述第一重置晶体管以及所述第一读出晶体管分别为N型晶体管。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述列读出电路还包括：第一晶体管，其中所述第一晶体管的第一端耦接第一工作电压，并且所述第一晶体管的第二端耦接所述第一电路节点以及第一输出端；以及第二晶体管，其中所述第二晶体管的第一端耦接所述第一电路节点以及所述第一输出端，并且所述第二晶体管的第二端耦接第二工作电压。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，还包括：第二像素电路，包括：第二像素单元；第二传送晶体管，其中所述第二传送晶体管的第一端耦接第二浮动扩散节点，并且所述第二传送晶体管的第二端耦接所述第二像素单元；第二重置晶体管，耦接所述第二浮动扩散节点；以及第二读出晶体管，其中所述第二读出晶体管的控制端耦接所述第二浮动扩散节点，其中所述第一列读出电路还包括第二电路节点，其中所述第二重置晶体管的第一端以及所述第二读出晶体管的第一端耦接所述第二电路节点，并且所述第二读出晶体管的第二端耦接所述偏压晶体管。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述列读出电路还包括：第三晶体管，其中所述第三晶体管的第一端耦接所述第一工作电压，并且所述第一晶体管的第二端耦接所述第二电路节点以及第二输出端；以及第四晶体管，其中所述第四晶体管的第一端耦接所述第二电路节点以及所述第二输出端，并且所述第四晶体管的第二端耦接所述第二工作电压。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第一晶体管的控制端耦接所述第三晶体管的控制端，并且所述第二晶体管的控制端以及所述第四晶体管的控制端耦接下拉控制信号。9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第一晶体管以及所述第三晶体管分别为P型晶体管，并且所述第二晶体管以及所述第四晶体管分别为N型晶体管。10.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述列读出电路还包括：第五晶体管，其中所述第五晶体管的第一端耦接所述第一晶体管的第二端；以及第六晶体管，其中所述第六晶体管的第一端耦接所述第三晶体管的第二端，其中所述第五晶体管的控制端耦接所述第六晶体管的控制端。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：印秉宏，王佳祥，王昱翔，
申请(专利权)人：广州印芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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