一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法技术

本发明专利技术公开了一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，涉及空隙样品技术领域，包括：将中性液体填充入空隙样品的空隙内；待中性液体固化，固化后的中性液体为非晶体；在空隙样品上镀第一保护层，并使第一保护层完全覆盖空隙和固化后的中性液体；在第一保护层上镀第二保护层；沿空隙的轴向，采用聚焦离子束对空隙样品切片。本发明专利技术的技术效果在于它能有效防止空隙样品的空隙失真。隙样品的空隙失真。隙样品的空隙失真。

【技术实现步骤摘要】
一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法


[0001]本专利技术涉及空隙样品
，具体涉及一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法。

技术介绍

[0002]空隙样品是一种具有若干空隙的样品，包括经STI(浅槽隔离)刻蚀后的形貌片，单膜层的Ti/TiN(20nm)膜厚片等。
[0003]为了便于在电子显微镜下观察，一般需要采用聚焦离子束对空隙样品进行切片，但在切片时，聚焦离子束会一直撞击空隙内部，从而导致空隙的尺寸变大，进而导致空隙失真。

技术实现思路

[0004]针对上述技术问题，本专利技术提供了一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，它能有效防止空隙样品的空隙失真。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案为：
[0006]一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，包括：
[0007]将中性液体填充入空隙样品的空隙内；
[0008]待中性液体固化，固化后的中性液体为非晶体；
[0009]在空隙样品上镀第一保护层，并使第一保护层完全覆盖空隙和固化后的中性液体；
[0010]在第一保护层上镀第二保护层；
[0011]沿空隙的轴向，采用聚焦离子束对空隙样品切片。
[0012]可选的，所述中性液体为墨水或胶水。
[0013]可选的，所述第一保护层为碳膜保护层。
[0014]可选的，所述第二保护层为Pt保护层。
[0015]可选的，“将中性液体填充入空隙样品的空隙内”具体操作如下：在光学显微镜下，采用滴管将中性液体滴入空隙样品的待切片区域，在重力的作用下，中性液体自动填充入待切片区域的空隙内。
[0016]可选的，所述中性液体的PH值的范围为6.5
‑
8。
[0017]可选的，中性液体固化的等待时间的范围为10
‑
15min。
[0018]可选的，所述第二保护层完全覆盖所述第一保护层。
[0019]采用本专利技术提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：中性液体用于填充空隙，并固化为非晶体，便于在切片时减少聚焦离子束对空隙内部的撞击，从而防止空隙的尺寸变大，进而防止空隙失真，由于空隙样品一般为STI(浅槽隔离)刻蚀后的形貌片，单膜层的Ti/TiN(20nm)膜厚片等晶体，便于防止固化后的中性液体(非晶体)和空隙样品(晶体)产生叠加信息，从而便于得到空隙样品的真实信息，且中性液体能最大程度上减小
对空隙样品的损坏，需要说明的是，该中性液体的PH值不一定为7，具体可以在7的上下波动，其中，中性液体优选为墨水或胶水。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提出的空隙样品切片前的扫描电镜图；
[0021]图2为本专利技术实施例提出的未填充中性液体的空隙样品切片后的结构示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提出的填充中性液体的空隙样品切片后的结构示意图。
具体实施方式
[0023]为进一步了解本专利技术的内容，结合附图及实施例对本专利技术作详细描述。
[0024]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。本专利技术中所述的第一、第二等词语，是为了描述本专利技术的技术方案方便而设置，并没有特定的限定作用，均为泛指，对本专利技术的技术方案不构成限定作用。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。同一实施例中的多个技术方案，以及不同实施例的多个技术方案之间，可进行排列组合形成新的不存在矛盾或冲突的技术方案，均在本专利技术要求保护的范围内。
[0025]实施例1
[0026]结合附图1
‑
3，本实施例提供了一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，包括：
[0027]将中性液体填充入空隙样品的空隙内；
[0028]待中性液体固化，固化后的中性液体为非晶体；
[0029]在空隙样品上镀第一保护层，并使第一保护层完全覆盖空隙和固化后的中性液体；
[0030]在第一保护层上镀第二保护层；
[0031]沿空隙的轴向，采用聚焦离子束对空隙样品切片。
[0032]具体的，中性液体用于填充空隙，并固化为非晶体，便于在切片时减少聚焦离子束对空隙内部的撞击，从而防止空隙的尺寸变大，进而防止空隙失真，由于空隙样品一般为STI(浅槽隔离)刻蚀后的形貌片，单膜层的Ti/TiN(20nm)膜厚片等晶体，便于防止固化后的中性液体(非晶体)和空隙样品(晶体)产生叠加信息，从而便于得到空隙样品的真实信息，且中性液体能最大程度上减小对空隙样品的损坏，需要说明的是，该中性液体的PH值不一
定为7，具体可以在7的上下波动，其中，中性液体优选为墨水或胶水；第一保护层用于防止在聚集离子束的作用下，空隙样品内部的原子的三维周期性平移排列遭到破坏，从而防止空隙样品非晶化，第一保护层优选为碳膜保护层；第二保护层用于防止在聚集离子束的作用下，空隙样品内部的原子的三维周期性平移排列遭到破坏，从而防止空隙样品非晶化，并配合第一保护层，进行双层保护作用，第二保护层优选为Pt保护层；需要注意的是，第一保护层可以为碳膜保护层或Pt保护层，第二保护层也可以为碳膜保护层或Pt保护层，换言之，第一保护层和第二保护层可以均为碳膜保护层，第一保护层和第二保护层也可以均为Pt保护层，第一保护层和第二保护层也可以其中一层为碳膜保护层，另一层为Pt保护层，优选地，第一保护层为碳膜保护层，第二保护层为Pt保护层；聚焦离子束用于将空隙样品切割成薄片样品，从而便于采用电子显微镜观察；如图2，未填充中性液体的空隙样品切片后，空隙样品的空隙的尺寸变大，空隙呈现粗短形，导致空隙失真，如图3，填充中性液体的空隙样品切片后，空隙样品的空隙的尺寸基本不变，空隙呈现细长形，保证空隙不失真。
[0033]进一步的，中性液体为墨水或胶水。
[0034]具体的，墨水和胶水均便于使得中性液体的固化速度快。
[0035]进一步的，第一保护层为碳膜保护层。
[0036]具体的，碳膜保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，其特征在于，包括：将中性液体填充入空隙样品的空隙内；待中性液体固化，固化后的中性液体为非晶体；在空隙样品上镀第一保护层，并使第一保护层完全覆盖空隙和固化后的中性液体；在第一保护层上镀第二保护层；沿空隙的轴向，采用聚焦离子束对空隙样品切片。2.根据权利要求1所述的一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，其特征在于，所述中性液体为墨水或胶水。3.根据权利要求1所述的一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，其特征在于，所述第一保护层为碳膜保护层。4.根据权利要求1所述的一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，其特征在于，所述第二保护层为Pt保护层。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的一种基于聚焦离子束的空隙样品切片方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王义林，郭智慧，
申请(专利权)人：镇江乐华电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：