【技术实现步骤摘要】
晶圆的晶粒图像重构方法、电子设备及存储介质
[0001]本申请涉及半导体制造
,尤其涉及一种晶圆的晶粒图像重构方法
、
电子设备及存储介质
。
技术介绍
[0002]一片晶圆上可以制造几十万个晶粒,通常晶粒是规则的,所以晶粒可以在晶圆上紧密有序排列
。
当晶圆扫描到系统记录时,由于晶粒的数量庞大且晶粒可观测面积过小,故能够记录得到的只有晶粒的排列情况,记录的是晶粒的相对位置
。
[0003]要对晶粒进行检测,判断是否存在缺陷或者瑕疵,需要使用高清摄像头捕捉,此时只能捕捉到晶圆的一部分,要捕捉得到所有整个晶圆需要多次有序捕捉
。
由于每次捕捉图像会因为环境因素的影响导致捕捉到的局部图像存在角度偏移,故无法准确确定各晶粒在晶圆中的相对位置,从而对晶粒的检测结果造成影响
。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术
。
技术实现思路
[0005]本申请的主要目的在于提供一种晶圆的晶粒图像重构方法
、
电子设备及存储介质,旨在解决目前获取晶圆局部图像对晶粒进行检测时,可能影响晶粒检测结果的技术问题
。
[0006]为实现上述目的,本申请提出一种晶圆的晶粒图像重构方法,所述晶圆上不同区域的晶粒对应不同的局部图像,所述晶圆的晶粒图像重构方法包括以下步骤:对任意一局部图像,基于晶粒在所述局部图像中的第一图像阵列,对所述局部图像进行矫正得到矫正 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种晶圆的晶粒图像重构方法,其特征在于,所述晶圆上不同区域的晶粒对应不同的局部图像,所述晶圆的晶粒图像重构方法包括以下步骤:对任意一局部图像,基于晶粒在所述局部图像中的第一图像阵列,对所述局部图像进行矫正得到矫正局部图像,其中,所述第一图像阵列为晶粒在所述局部图像中的分布位置,且所述局部图像的矫正依据为所述第一图像阵列与所述局部图像的矩形边之间的偏移角度;将各所述局部图像的矫正局部图像进行组合得到完整晶圆图像;将所述完整晶圆图像中各晶粒与预设标准晶粒阵列中各晶粒进行关联
。2.
如权利要求1所述的晶圆的晶粒图像重构方法,其特征在于,所述局部图像为矩形,所述基于晶粒在所述局部图像中的第一图像阵列,对所述局部图像进行矫正得到矫正局部图像的步骤包括:确定所述局部图像中各所述晶粒的中心坐标,其中,所述中心坐标为晶粒几何中心点在所述局部图像的基础坐标系中的坐标数据,所述基础坐标系为将局部图像的相邻边作为横纵坐标轴构建得到;基于各所述中心坐标排列各所述晶粒得到所述第一图像阵列;根据所述第一图像阵列中的预设矫正单元确定所述第一图像阵列在所述局部图像中偏移的偏移角度,其中,所述预设矫正单元由所述第一图像阵列中一行晶粒组成或一列晶粒组成;基于所述偏移角度,向所述第一图像阵列在所述局部图像中偏移的反方向上,旋转所述局部图像得到所述矫正局部图像
。3.
如权利要求2所述的晶圆的晶粒图像重构方法,其特征在于,所述中心坐标包括横坐标和纵坐标,所述基于各所述中心坐标排列各所述晶粒得到所述第一图像阵列的步骤包括:从所述局部图像中获取任意一晶粒作为基准晶粒;获取所述局部图像中所述基准晶粒周边预设范围内的晶粒得到晶粒合集;将所述晶粒合集中纵坐标与所述基准晶粒纵坐标的差值小于预设差异阈值的晶粒,确定为与所述基准晶粒在所述第一图像阵列中处于同一行;将所述晶粒合集中横坐标与所述基准晶粒横坐标的差值小于所述预设差异阈值的晶粒,确定为与所述基准晶粒在所述第一图像阵列中处于同一列;返回执行所述从所述局部图像中获取任意一晶粒作为基准晶粒的步骤,直至确定所述局部图像中每个晶粒在所述第一图像阵列中的行和列
。4.
如权利要求2所述的晶圆的晶粒图像重构方法,其特征在于,所述根据所述第一图像阵列中的预设矫正单元确定所述第一图像阵列在所述局部图像中偏移的偏移角度的步骤包括:基于所述预设矫正单元中各晶粒的中心坐标拟合得到旋转基准直线;根据所述旋转基准直线与所述基础坐标系的坐标轴的夹角确定所述偏移角度
。5.
如权利要求1所述的晶圆的晶粒图像重构方法,其特征在于,所述将各所述局部图像的矫正局部图像进行组合得到完整晶圆图像的步骤包括:基于各所述矫正局部图像的局部图像获取时的位置,将各所述矫正局部图像组合得到
组合图像;对所述组合图像中重叠部分的晶粒进行去重得到所述完整晶圆图像
。6.
如权利要求5所述的晶圆的晶粒图像重构方法,其特征在于,所述对所述组合图像中重叠部分的晶粒进行去重得到所述完整晶圆图像的步骤包括:若所述重叠部分为两组连续的晶粒重叠,将两组晶粒中长度短的晶粒组作为目标组,将目标组中与另一晶粒组重叠的晶粒去除;若所述重叠部分为一组连续的晶粒与一组不...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘飞飞,肖俊河,刘斌,李杰,郭宇翔,
申请(专利权)人:珠海埃克斯智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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