一种低挥发高导热硅油及其制备方法技术

本发明专利技术属于硅油领域，尤其涉及一种低挥发高导热硅油及其制备方法。本发明专利技术提供的低挥发高导热硅油的成分包括：羟基封端的含T7‑

【技术实现步骤摘要】
一种低挥发高导热硅油及其制备方法


[0001]本专利技术属于硅油领域，尤其涉及一种低挥发高导热硅油及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅油是一类具有各种不同粘度、无毒、无嗅、无腐蚀、不易燃烧的聚硅氧烷液体油状物。硅油具有许多特殊性能，如温粘系数小、耐高低温、抗氧化、闪点高、挥发性小、绝缘性好、表面张力小、对金属无腐蚀、无毒等。由于这些特性使得硅油在工农业生产各部门，国防工业，科学研究及医疗卫生等部门，都得了极其广泛的应用。它广泛用于电气绝缘、脱模、消泡、阻尼、防震、滚压、防尘、防水、高低湿润等方面。
[0003]甲基苯基硅油作为最常见的导热介质，得到了广泛应用。但在某些应用场合例如电动汽车电池组冷却系统中，对于导热介质的低挥发性和高导热性都提出了更高的要求，如何进一步降低甲基苯基硅油类导热介质的挥发性并提升其导热性能，是本领域亟待解决的技术难题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种低挥发高导热硅油及其制备方法，本专利技术提供的硅油产品具有较低的挥发性和较高的导热率。
[0005]本专利技术提供了一种低挥发高导热硅油，所述低挥发高导热硅油的成分包括：羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油，和苯基甲基硅油；
[0006]所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油具有下式结构：
[0007][0008]其中，R1为甲基和/或乙基，n为聚合度。
[0009]优选的，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油的数均分子量为6000～15000。
[0010]优选的，所述苯基甲基硅油的数均分子量为200～300。
[0011]优选的，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油和苯基甲基硅油的质量比为(5～50):100。
[0012]本专利技术提供了一种上述技术方案所述的低挥发高导热硅油的制备方法，包括以下步骤：
[0013]将苯基甲基硅油和羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油进行混合，得到低挥发高导热硅油。
[0014]优选的，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油按照以下步骤进行制备：
[0015]a)T7‑
POSS与二甲基二烷氧基硅烷在溶剂中进行反应，得到T7‑
POSS有机硅；
[0016]所述T7‑
POSS的化学结构为：
[0017][0018]所述二甲基二烷氧基硅烷为二甲基二甲氧基硅烷和/或二甲基二乙氧基硅烷；
[0019]所述T7‑
POSS有机硅的化学结构为：
[0020][0021]其中，R0和R1独立的选自甲基和/或乙基；
[0022]b)在酸存在条件下，所述T7‑
POSS有机硅与羟基硅油在溶剂中进行反应，得到羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油。
[0023]优选的，步骤a)中，所述反应的温度为50～80℃。
[0024]优选的，步骤a)中，所述T7‑
POSS按照以下步骤进行制备：
[0025]a
’
)在催化剂存在条件下，三甲氧基甲基硅烷和/或三甲氧基乙基硅烷在溶剂中进行反应；反应结束后，进行酸化处理，得到T7‑
POSS。
[0026]优选的，步骤a
’
)中，所述催化剂为氢氧化锂；所述反应的温度为60～100℃；所述酸化处理采用的酸化试剂为盐酸；所述酸化处理的温度为10～40℃。
[0027]优选的，步骤b)中，所述酸为盐酸；所述反应的温度为30～60℃。
[0028]与现有技术相比，本专利技术提供了一种低挥发高导热硅油及其制备方法。本专利技术提供的低挥发高导热硅油的成分包括：羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油，和苯基甲基硅油。本专利技术以苯基甲基硅油作为基础油，适量添加羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油，利用T7‑
POSS优异的耐热性与导热性，在提高体系热导率以及耐高温性能的同时，进一步降低体系的挥发性能。实验结果表明：本专利技术提供的硅油产品的挥发性(250℃，24h)≤0.1％，导热系数≥1.8W/m.k。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0030]图1是本专利技术实施例提供的羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油的合成路线图；
[0031]图2是本专利技术实施例提供的急速升温实验结果图。
具体实施方式
[0032]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]本专利技术提供了一种低挥发高导热硅油，所述低挥发高导热硅油的成分包括：羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油，和苯基甲基硅油。
[0034]在本专利技术提供的低挥发高导热硅油中，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油具有下式结构：
[0035][0036]其中，R1为甲基(
‑
CH3)和/或乙基(
‑
C2H5)，n为聚合度。
[0037]在本专利技术提供的低挥发高导热硅油中，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油的数均分子量优选为6000～15000，具体可为6000、6500、7000、7500、8000、8500、9000、9500、10000、10500、11000、11500、12000、12500、13000、13500、14000、14500或15000。
[0038]在本专利技术提供的低挥发高导热硅油中，所述苯基甲基硅油的数均分子量优选为200～300，具体可为200、210、220、230、240、250、260、270、280、290或300。
[0039]在本专利技术提供的低挥发高导热硅油中，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油和苯基甲基硅油的质量比优选为(5～50):100，具体可为5:100、70:100、10:100、12:100、15:100、17:100、20:100、23:100、25:100、27:100、30:100、32:100、35:100、37:100、40:100、42:100、45:100、47:100或50:100。
[0040]本专利技术还提供了一种上述技术方案所述的低挥发高导热硅油的制备方法，包括以下步骤：
[0041]将苯基甲基硅油和羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油进行混合，得到低挥发高导热硅油。
[0042]在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低挥发高导热硅油，其特征在于，所述低挥发高导热硅油的成分包括：羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油，和苯基甲基硅油；所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油具有下式结构：其中，R1为甲基和/或乙基，n为聚合度。2.根据权利要求1所述的低挥发高导热硅油，其特征在于，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油的数均分子量为6000～15000。3.根据权利要求1所述的低挥发高导热硅油，其特征在于，所述苯基甲基硅油的数均分子量为200～300。4.根据权利要求1所述的低挥发高导热硅油，其特征在于，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油和苯基甲基硅油的质量比为(5～50):100。5.一种权利要求1～4任一项所述的低挥发高导热硅油的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将苯基甲基硅油和羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油进行混合，得到低挥发高导热硅油。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述羟基封端的含T7‑
POSS的有机硅油按照以下步骤进行制备：a)T7‑
POSS与二甲基二烷氧基硅烷在溶剂中进行反应，得到T7‑
POSS有机硅；...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓鹏飏，郑春柏，
申请(专利权)人：长春中科赫帝森材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：