聚倍半硅氧烷组合物和固化物制造技术

本发明专利技术提供能够提供耐热分解性以及对金属基材的密合性优异的固化物的固化性组合物。本发明专利技术涉及一种聚倍半硅氧烷组合物，其包含聚倍半硅氧烷以及选自由含磷化合物、三嗪硫醇化合物、沸点为230℃以上的含羟基化合物和沸点为230℃以上的含羧基化合物组成的组中的至少一种化合物，上述含磷化合物为选自由膦化合物、磷酸酯化合物、次膦酸酯化合物和膦酸酯化合物组成的组中的至少一种。合物组成的组中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚倍半硅氧烷组合物和固化物


[0001]本专利技术涉及聚倍半硅氧烷组合物
。
更详细地说，涉及能够提供耐热分解性以及对金属基材的密合性优异的固化物的聚倍半硅氧烷组合物及其固化物
。

技术介绍

[0002]聚倍半硅氧烷等硅系化合物通过具有有机官能团和陶瓷的物理性质能够赋予各种特性，作为电子
、
光电子器件
、
显示器领域等各种工业产品的原料被广泛使用
。
[0003]关于包含硅系化合物的固化性组合物，迄今为止已进行了各种研究
。
[0004]例如，专利文献1中公开了一种组合物，其包含含有烷基和芳基的硅系化合物
、
热活化缩合催化剂以及溶剂
。
[0005]另外，专利文献2中记载了一种交联性组合物，其包含具有
1000AMU
至
10000AMU
的重均分子量的含有烷基和芳基的第1含硅树脂
、
具有
900AMU
至
5000AMU
的重均分子量的含有芳基的第2含硅树脂
、
溶剂以及热活化催化剂
。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开
2014
‑
208838
号公报
[0009]专利文献2：日本特表
2018
‑
516998
号公报

技术实现思路
<br/>[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]但是，现有的包含硅系化合物的固化性组合物的热分解温度还不能说足够高，根据用途，其耐热分解性有时不充分
。
另外，所得到的固化物还存在对基材
、
特别是对金属基材的密合性低的问题
。
因此，为了使上述固化性组合物能够更广泛用于各种用途，需要提高耐热分解性
、
对金属基材的密合性
。
[0012]本专利技术是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种能够提供耐热分解性以及对金属基材的密合性优异的固化物的固化性组合物
。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本专利技术人对包含聚倍半硅氧烷的组合物进行了各种研究，结果发现，通过包含聚倍半硅氧烷和特定化合物，上述特定化合物作为催化剂发挥作用，进而还作为耐热提高剂发挥作用，所得到的固化物的热分解温度提高，可提高耐热分解性
。
另外，本专利技术人发现，由这样的组合物得到的固化物对金属基材的密合性也特别优异，从而完成了本专利技术
。
[0015]即，本专利技术涉及一种聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，其包含聚倍半硅氧烷以及选自由含磷化合物
、
三嗪硫醇化合物
、
沸点为
230℃
以上的含羟基化合物和沸点为
230℃
以上的含羧基化合物组成的组中的至少一种化合物，上述含磷化合物为选自由膦化合物
、
磷酸酯化合物
、
次膦酸酯化合物和膦酸酯化合物组成的组中的至少一种
。
[0016]上述聚倍半硅氧烷优选为包含下述通式
(1)
所表示的基本骨架的化合物
。
[0017][R1SiO
1.5
]n
ꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0018](
式中，
R1表示碳原子数1～
10
的烷基
、
芳基或含有乙烯基骨架的基团
。
上述碳原子数1～
10
的烷基和芳基可以具有取代基
。n
个
R1可以相同
、
也可以不同
。)
[0019]上述聚倍半硅氧烷中，作为上述通式
(1)
的
R1，优选具有碳原子数1～
10
的烷基和芳基
。
[0020]上述聚倍半硅氧烷中，作为上述通式
(1)
的
R1，优选具有碳原子数3～
10
的烷基和芳基
。
[0021]上述聚倍半硅氧烷中，作为上述通式
(1)
的
R1，优选具有甲基
、
碳原子数3～
10
的烷基和芳基
。
[0022]上述聚倍半硅氧烷中，作为上述通式
(1)
的
R1，优选具有碳原子数3～
10
的烷基
、
芳基和含有乙烯基骨架的基团
。
[0023]上述碳原子数3～
10
的烷基的碳量为上述聚倍半硅氧烷的总碳量的3质量％以上
。
[0024]上述聚倍半硅氧烷优选在聚倍半硅氧烷的全部结构单元
100mol
％中含有
40mol
％以上的下述通式
(1
’
)
所表示的结构单元
。
[0025][R1SiO
1.5
]ꢀꢀꢀꢀ
(1
’
)
[0026](
式中，
R1表示碳原子数1～
10
的烷基
、
芳基或含有乙烯基骨架的基团
。
该碳原子数1～
10
的烷基和芳基可以具有取代基
。)
[0027]上述聚倍半硅氧烷优选进一步包含下述通式
(2)
所表示的基本骨架
。
[0028][R2R3SiO
1.0
]m
ꢀꢀꢀꢀ
(2)
[0029](
式中，
R2和
R3相同或不同，表示碳原子数1～
10
的烷基
、
芳基
、
含有乙烯基骨架的基团或
‑
OR4。
该碳原子数1～
10
的烷基和芳基可以具有取代基
。R4表示氢原子
、
烷基
、
芳基或乙酰基
。m
个
R2和
R3各自可以相同
、
也可以不同
。)
[0030]上述膦化合物优选沸点为
100℃
以上
。
[0031]上述聚倍半硅氧烷组合物优选进一步包含受阻酚系抗氧化剂
。
[0032]上述聚倍半硅氧烷组合物优选为光学材料用组合物
。
[0033]上述聚倍半硅氧烷组合物优选为低介电材料用组合物
。
[0034]本专利技术还涉及一种固化物，其是将上述聚倍半硅氧烷组合物固化而成的
。
[0035]专利技术的效果
[0036]本专利技术的聚倍半硅氧烷组合物能够提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，该组合物包含：聚倍半硅氧烷；以及选自由含磷化合物
、
三嗪硫醇化合物
、
沸点为
230℃
以上的含羟基化合物和沸点为
230℃
以上的含羧基化合物组成的组中的至少一种化合物，该含磷化合物为选自由膦化合物
、
磷酸酯化合物
、
次膦酸酯化合物和膦酸酯化合物组成的组中的至少一种
。2.
如权利要求1所述的聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚倍半硅氧烷为包含下述通式
(1)
所表示的基本骨架的化合物，
[R1SiO
1.5
]
n
(1)
式中，
R1表示碳原子数1～
10
的烷基
、
芳基或含有乙烯基骨架的基团，该碳原子数1～
10
的烷基和芳基具有或不具有取代基，
n
个
R1相同或不同
。3.
如权利要求2所述的聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚倍半硅氧烷中，作为所述通式
(1)
的
R1，具有碳原子数1～
10
的烷基和芳基
。4.
如权利要求2所述的聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚倍半硅氧烷中，作为所述通式
(1)
的
R1，具有碳原子数3～
10
的烷基和芳基
。5.
如权利要求2所述的聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚倍半硅氧烷中，作为所述通式
(1)
的
R1，具有甲基
、
碳原子数3～
10
的烷基和芳基
。6.
如权利要求2所述的聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚倍半硅氧烷中，作为所述通式
(1)
的
R1，具有碳原子数3～
10
的烷基
、
芳基和含有乙烯基骨架的基团
。7.
如权利要求4～6中任一项所述的聚倍半硅氧烷组合物，其特征在于，所述碳原子数3～
10
的烷基的碳量为所述聚倍半硅氧烷的总碳量的3质量％以上
...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村润一，前田顺启，
申请(专利权)人：株式会社日本触媒，
类型：发明
国别省市：