贯通电极基板制造技术

本发明专利技术提供一种具备与高密度化以及微细化相应的贯通电极，且能够减小高频下的传输损耗的贯通电极基板。本公开的贯通电极基板具备：基板，具有第一面及位于第一面的相反一侧的第二面，且设置有从第一面至第二面的贯通孔；以及贯通电极，位于基板的贯通孔。贯通孔的孔径根据所述基板的厚度方向上的位置而变化。贯通孔包括具有10μm以上的最小孔径的最小径部。贯通孔的最大孔径为60μm以下。贯通电极从贯通孔的侧面侧朝向贯通孔的中心侧依次具有密接层和导电层。基板在频率20GHz下的介电损耗角正切为0.0003以上且0.0005以下。耗角正切为0.0003以上且0.0005以下。耗角正切为0.0003以上且0.0005以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】贯通电极基板


[0001]本专利技术涉及具备贯通电极的贯通电极基板。

技术介绍

[0002]例如，如专利文献1所公开的那样，贯通电极基板具备：基板，包括第一面以及第二面；多个贯通孔，设置于基板；以及贯通电极，从基板的第一面侧到达第二面侧地设置于贯通孔的内部。这样的贯通电极基板一直以来用于各种各样的用途。例如，贯通电极基板被用于从智能手机那样的小型设备到大规模服务器那样的大型设备的各种电子设备。
[0003]贯通电极基板的贯通电极通常被分类为填充类型(也称为填充通孔)和非填充类型(也称为保形通孔)。在填充通孔中，在贯通孔整体填充导电性的材料。在保形通孔中，在贯通孔的侧面设置有导电性的材料，贯通孔的中心部呈中空状。
[0004]作为形成贯通电极的方法，例如已知有在贯通孔的侧面形成晶种层，通过电解镀覆法在晶种层上形成镀覆层的方法。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2018
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163986号公报

技术实现思路

[0008]‑‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种贯通电极基板，具备：基板，具有第一面及位于所述第一面的相反一侧的第二面，且设置有从所述第一面至所述第二面的贯通孔；以及贯通电极，位于所述基板的所述贯通孔，所述贯通孔的孔径根据所述基板的厚度方向上的位置而变化，所述贯通孔包括具有10μm以上的最小孔径的最小径部，所述贯通孔的最大孔径为60μm以下，所述贯通电极从所述贯通孔的侧面侧朝向所述贯通孔的中心侧依次具有密接层和导电层，所述基板在频率20GHz下的介电损耗角正切为0.0002以上且0.0005以下。2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其中，所述贯通孔在所述第一面与所述第二面之间具有构成所述最小径部的狭窄部，所述狭窄部中的孔径为10μm以上，所述第一面中的孔径为60μm以下，所述第二面中的孔径为60μm以下。3.根据权利要求1或2所述的贯通电极基板，其中，所述密接层包括钛Ti、氮化钛TiN或氧化锌ZnO中的任一种。4.根据权利要求1至3中任一项所述的贯通电极基板，其中，所述导电层包括铜Cu。5.根据权利要求1至4中任一项所述的贯通电极基板，其中，所述贯通孔的所述基板的所述第一面侧或所述基板的所述第二面侧由导电性材料密封。6.根据权利要求1至4中任一项所述的贯通电极基板，其中，所述贯通孔的内部由导电性材料填充，所述导电性材料在所述基板的所述第一面侧具有第一面侧凹部，所述导电性材料在所述基板的所述第二面侧具有第二面侧凹部，所述第一面侧凹部中的距所述基板的所述第一面的深度为0.1μm以上且5μm以下，所述第二面侧凹部中的距所述基板的所述第二面的深度为0.1μm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓持悟，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：