显示面板、显示装置制造方法及图纸

本公开涉及显示技术领域，提出一种显示面板、显示装置，显示面板包括第一像素驱动电路，第一像素驱动电路包括低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，显示面板还包括：衬底基板、第一导电层、第三导电层，第一导电层包括第一栅线，第一栅线的部分结构用于形成低温多晶硅晶体管的栅极；第三导电层包括第二栅线，第二栅线的部分结构用于形成氧化物晶体管的栅极；其中，第一栅线在衬底基板正投影沿第一方向延伸，第二栅线在衬底基板正投影沿第一方向延伸，且第一栅线在衬底基板正投影与第二栅线在衬底基板正投影至少部分重合。该显示面板通过将第一栅线和第二栅线重叠设置，从而减小了第一像素驱动电路的布图面积。驱动电路的布图面积。驱动电路的布图面积。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置
[0001]本申请是申请日为2021年5月6日、中国申请号为202110491409.8、专利技术名称为“显示面板、显示装置”的专利技术申请的分案申请。


[0002]本公开涉及显示
，尤其涉及一种显示面板、显示装置。

技术介绍

[0003]相关技术中，为降低驱动晶体管在发光阶段的漏电流，像素驱动电路可以采用低温多晶氧化物(Low temperature polycrystalline oxide，LTPO)技术形成。通过LTPO技术形成显示面板中包括N型的氧化物晶体管和P型的低温多晶硅晶体管，氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管分别需要单独的栅线向其提供栅极驱动信号，从而该像素驱动电路具有较大的布图面积。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第一像素驱动电路，所述第一像素驱动电路包括低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，所述显示面板还包括：衬底基板、第一导电层、第三导电层，第一导电层位于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括第一栅线，所述第一栅线的部分结构用于形成所述低温多晶硅晶体管的栅极；第三导电层位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括第二栅线，所述第二栅线的部分结构用于形成所述氧化物晶体管的栅极；其中，所述第一栅线在所述衬底基板正投影沿第一方向延伸，所述第二栅线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸，且所述第一栅线在所述衬底基板正投影与所述第二栅线在所述衬底基板正投影至少部分重合。
[0006]本公开一种示例性实施例中，所述第一像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述第一像素驱动电路包括至少一个所述氧化物晶体管和至少一个所述低温多晶硅晶体管，至少一个所述氧化物晶体管包括第二晶体管，至少一个所述低温多晶硅晶体管包括第四晶体管，所述第四晶体管的第一极连接数据信号端，第二极连接所述驱动晶体管的第一极，所述第二晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接所述驱动晶体管的第二极；所述第一导电层包括至少一条所述第一栅线，至少一条所述第一栅线包括：第一栅极驱动信号线，所述第一栅极驱动信号线的部分结构用于形成所述第四晶体管的栅极；所述第三导电层包括至少一条所述第二栅线，至少一条所述第二栅线包括：第二栅极驱动信号线，所述第二栅极驱动信号线的至少部分结构用于形成所述第二晶体管的第一栅极。
[0007]本公开一种示例性实施例中，所述第一像素驱动电路用于驱动第一发光单元，至少一个所述氧化物晶体管包括第一晶体管，至少一个所述低温多晶硅晶体管包括第五晶体
管、第六晶体管，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接第二初始信号端，所述第五晶体管的第一极连接第一电源端，第二极连接所述驱动晶体管的第一极，第六晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，第二极连接所述第一发光单元；所述第一导电层包括至少一条所述第一栅线，至少一条所述第一栅线包括：使能信号线，所述使能信号线的部分结构用于形成所述第五晶体管、第六晶体管的栅极；所述第三导电层包括至少一条所述第二栅线，至少一条所述第二栅线包括：第三栅极驱动信号线，所述第三栅极驱动信号线的部分结构用于形成所述第一晶体管的第一栅极；所述第三栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合。
[0008]本公开一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：第二有源层、第二导电层，第二有源层位于所述第一导电层和所述第三导电层之间，所述第二有源层的部分结构用于形成所述第一晶体管和第二晶体管的沟道区；第二导电层位于所述第一导电层和所述第二有源层之间，所述第二导电层包括第三栅线和第四栅线，所述第三栅线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸，所述第四栅线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸；其中，所述第三栅线的部分结构用于形成所述第二晶体管的第二栅极，所述第三栅线在所述衬底基板正投影和所述第一栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第四栅线的部分结构用于形成所述第一晶体管的第二栅极，所述第四栅线在所述衬底基板正投影和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合。
[0009]本公开一种示例性实施例中，所述第一栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段与所述第二栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第三栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第三栅线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段和所述第一栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第四栅线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合。
[0010]本公开一种示例性实施例中，所述第一导电层还包括：第一导电部，所述第一导电部用于形成所述驱动晶体管的栅极，其中，所述第一导电部在所述衬底基板正投影位于所述第二栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影和所述第三栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影之间。
[0011]本公开一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：第一有源层、第二有源层，第一有源层位于所述衬底基板和所述第一导电层之间，所述第一有源层的部分结构用于形成所述低温多晶硅晶体管的沟道区；第二有源层位于所述第一导电层和所述第三导电层之间，所述第二有源层的部分结构用于形成所述氧化物晶体管的沟道区；其中，所述第一有源层在所述衬底基板正投影和所述第二有源层在所述衬底基板正投影至少部分重合。
[0012]本公开一种示例性实施例中，所述第一像素驱动电路用于驱动第一发光单元，所述第一像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述第一像素驱动电路包括至少一个所述氧化物晶体管和至少一个所述低温多晶硅晶体管，至少一个所述氧化物晶体管包括第一晶体管、第二晶体管，至少一个所述低温多晶硅晶体管包括第六晶体管；所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接第二初始信号端，所述第二晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接所述驱动晶体管的第二极，第六晶体管的第一极连接
所述驱动晶体管的第二极，第二极连接所述第一发光单元；所述第二有源层包括第一有源部，所述第一有源部包括第一子有源部、第二子有源部，以及连接于所述第一子有源部和第二子有源部之间的第三子有源部，所述第一子有源部用于形成所述第一晶体管的沟道区，所述第二子有源部用于形成第二晶体管的沟道区，且所述第一有源部在所述衬底基板正投影沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向相交；所述第一有源层包括第六有源部，所述第六有源部用于形成所述第六晶体管的沟道区；其中，所述第六有源部在所述衬底基板正投影与所述第一子有源部在所述衬底基板正投影至少部分重合。
[0013]本公开一种示例性实施例中，所述第一像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述第一像素驱动电路包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其中，所述显示面板包括第一像素驱动电路，所述第一像素驱动电路包括低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，所述显示面板还包括：衬底基板；第一导电层，位于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括第一栅线，所述第一栅线的部分结构用于形成所述低温多晶硅晶体管的栅极；第三导电层，位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括第二栅线，所述第二栅线的部分结构用于形成所述氧化物晶体管的栅极；其中，所述第一栅线在所述衬底基板正投影沿第一方向延伸，所述第二栅线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸，且所述第一栅线在所述衬底基板正投影与所述第二栅线在所述衬底基板正投影至少部分重合。2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述第一像素驱动电路包括至少一个所述氧化物晶体管和至少一个所述低温多晶硅晶体管，至少一个所述氧化物晶体管包括第二晶体管，至少一个所述低温多晶硅晶体管包括第四晶体管，所述第四晶体管的第一极连接数据信号端，第二极连接所述驱动晶体管的第一极，所述第二晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接所述驱动晶体管的第二极；所述第一导电层包括至少一条所述第一栅线，至少一条所述第一栅线包括：第一栅极驱动信号线，所述第一栅极驱动信号线的部分结构用于形成所述第四晶体管的栅极；所述第三导电层包括至少一条所述第二栅线，至少一条所述第二栅线包括：第二栅极驱动信号线，所述第二栅极驱动信号线的至少部分结构用于形成所述第二晶体管的第一栅极。3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一像素驱动电路用于驱动第一发光单元，至少一个所述氧化物晶体管包括第一晶体管，至少一个所述低温多晶硅晶体管包括第五晶体管、第六晶体管，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接第二初始信号端，所述第五晶体管的第一极连接第一电源端，第二极连接所述驱动晶体管的第一极，第六晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，第二极连接所述第一发光单元；至少一条所述第一栅线包括：使能信号线，所述使能信号线的部分结构用于形成所述第五晶体管、第六晶体管的栅极；至少一条所述第二栅线包括：第三栅极驱动信号线，所述第三栅极驱动信号线的部分结构用于形成所述第一晶体管的第一栅极；所述第三栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合。4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：第二有源层，位于所述第一导电层和所述第三导电层之间，所述第二有源层的部分结构用于形成所述第一晶体管和第二晶体管的沟道区；
第二导电层，位于所述第一导电层和所述第二有源层之间，所述第二导电层包括第三栅线和第四栅线，所述第三栅线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸，所述第四栅线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸；其中，所述第三栅线的部分结构用于形成所述第二晶体管的第二栅极，所述第三栅线在所述衬底基板正投影和所述第一栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第四栅线的部分结构用于形成所述第一晶体管的第二栅极，所述第四栅线在所述衬底基板正投影和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合。5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段与所述第二栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第三栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第三栅线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段和所述第一栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合；所述第四栅线在所述衬底基板正投影在其延伸方向上的任意分段和所述使能信号线在所述衬底基板正投影至少部分重合。6.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一导电层还包括：第一导电部，所述第一导电部用于形成所述驱动晶体管的栅极，其中，所述第一导电部在所述衬底基板正投影位于所述第二栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影和所述第三栅极驱动信号线在所述衬底基板正投影之间。7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：第一有源层，位于所述衬底基板和所述第一导电层之间，所述第一有源层的部分结构用于形成所述低温多晶硅晶体管的沟道区；第二有源层，位于所述第一导电层和所述第三导电层之间，所述第二有源层的部分结构用于形成所述氧化物晶体管的沟道区；其中，所述第一有源层在所述衬底基板正投影和所述第二有源层在所述衬底基板正投影至少部分重合。8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一像素驱动电路用于驱动第一发光单元，所述第一像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述第一像素驱动电路包括至少一个所述氧化物晶体管和至少一个所述低温多晶硅晶体管，至少一个所述氧化物晶体管包括第一晶体管、第二晶体管，至少一个所述低温多晶硅晶体管包括第六晶体管；所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接第二初始信号端，所述第二晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，第二极连接所述驱动晶体管的第二极，第六晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，第二极连接所述第一发光单元；所述第二有源层包括第一有源部，所述第一有源部包括第一子有源部、第二子有源部，以及连接于所述第一子有源部和第二子有源部之间的第三子有源部，所述第一子有源部用于形成所述第一晶体管的沟道区，所述第二子有源部用于形成第二晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振华，徐映嵩，冯靖伊，袁长龙，曹席磊，胡耀，唐国强，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：