发光元件及包含其的发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光元件及包含其的发光装置，其中该发光元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、发光层、第一电极、第二电极以及多层膜。第二型半导体层重叠于第一型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电连接第一型半导体层，且位于第一型半导体层的靠近第二型半导体层的一侧。第二电极电连接第二型半导体层，且位于第二型半导体层的背离第一型半导体层的一侧。多层膜位于第一型半导体层的背离第二型半导体层的表面，且具有凸出部，其中凸出部凸出于第一型半导体层的侧表面。一型半导体层的侧表面。一型半导体层的侧表面。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及包含其的发光装置


[0001]本专利技术涉及一种光电元件及包含其的光电装置，且特别是涉及一种发光元件及包含其的发光装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(micro
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LED)因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，而适用于构建micro
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LED发光装置，例如micro
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LED显示装置。然而，由于micro
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LED的半导体层的折射率(约为2.4)与出光介质的折射率(例如空气的折射率为1)差异较大，造成micro
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LED发出的光容易在出光表面发生全反射，导致micro
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LED的光取出效率(light extraction efficiency，LEE)难以提高。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种发光元件，具有提高的光取出效率。
[0004]本专利技术提供一种发光装置，具有提高的光取出效率。
[0005]本专利技术的一个实施例提出一种发光元件，包括：第一型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：第一型半导体层；第二型半导体层，重叠于所述第一型半导体层；发光层，位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；第一电极，电连接所述第一型半导体层，且位于所述第一型半导体层的靠近所述第二型半导体层的一侧；第二电极，电连接所述第二型半导体层，且位于所述第二型半导体层的背离所述第一型半导体层的一侧；以及多层膜，位于所述第一型半导体层的背离所述第二型半导体层的表面，且具有凸出部，其中所述凸出部凸出于所述第一型半导体层的侧表面。2.如权利要求1所述的发光元件，其中所述多层膜包括至少两种材料层的交替叠层，且所述至少两种材料层的折射率彼此不同。3.如权利要求2所述的发光元件，其中所述至少两种材料层的折射率各自介于所述第一型半导体层的折射率与空气的折射率之间。4.如权利要求2所述的发光元件，其中所述至少两种材料层的材料选自氟化铝、氟化镁、氧化硅、氟化镧、氟化钆、氧化铝、氧化钇、氮化硅、氧化铪、五氧化二钽、氧化锆、五氧化二铌以及二氧化钛。5.如权利要求1所述的发光元件，其中所述多层膜包括多个子层，且所述多个子层的厚度彼此不同。6.如权利要求1所述的发光元件，其中所述多层膜的所述凸出部与所述第一型半导体层的宽度比为5％至95％。7.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一型半导体层的背离所述第二型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈映羽，陈奕宏，李佳安，黄宇薪，林冠亨，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：