基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器制造技术

本发明专利技术涉及微波滤波器技术领域，尤其涉及基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，包括：金属层组，包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；第二金属层和第三金属层上设有若干个用于耦合的开槽口，第一金属层上设有第一输入端口、交指型槽线和第一输出端口；介质基板组，包括第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板，第一介质基板设于第一金属层和第二金属层之间，第二介质基板设于第二金属层和第三金属层之间，第三介质基板设于第三金属层和第四金属层之间；第一介质基板上设有第一谐振腔和第二谐振腔；第二介质基板设有第三谐振腔；第三介质基板设有第四谐振腔和第五谐振腔。第四谐振腔和第五谐振腔。第四谐振腔和第五谐振腔。

【技术实现步骤摘要】
基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器


[0001]本专利技术涉及微波滤波器
，尤其涉及基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器。

技术介绍

[0002]基片集成波导相比于矩形波导具有尺寸小、易于和平面电路集成等优点，但其本身仍是一种波导结构，其尺寸较之于平面结构仍显太大。在微波毫米波集成电路设计中，对小型化、高集成度的需求越来越多。
[0003]在IEEE Microwave and Wirel ess Component Letters第30卷中发表的滤波交叉器(Compact
‑
Balanced BPF and Filtering Crossover With Intrinsic Common
‑
Mode Suppression Using Single
‑
Layered SIW Cavity)采用了多层结构，滤波交叉特性也通过正交模方法实现，其公共谐振腔为TE102和TE201模，四周的四个谐振腔为TE102模，使用介电常数为2.2，厚度0.508mm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，其特征在于，包括：金属层组，包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层在内的四个金属层；其中，所述第二金属层和所述第三金属层上设有若干个用于耦合的开槽口，所述第一金属层上设有第一输入端口、交指型槽线和第一输出端口，所述第四金属层上设有第二输入端口、交指型槽线、第二输出端口；介质基板组，包括第一介质基板、第二介质基板和第三介质基板，其中所述第一介质基板设于所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述第二介质基板设于所述第二金属层和所述第三金属层之间，所述第三介质基板设于所述第三金属层和所述第四金属层之间；其中，所述第一介质基板上设有第一谐振腔和第二谐振腔；所述第二介质基板设有第三谐振腔；所述第三介质基板设有第四谐振腔和第五谐振腔。2.根据权利要求1所述基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，其特征在于:所述第一介质基板通过设置若干个金属化过孔以形成所述第一谐振腔和所述第二谐振腔；所述第二介质基板通过设置若干金属化过孔以形成第三谐振腔；所述第三介质基板通过设置若干金属化过孔以形成第四谐振腔和第五谐振腔；所述第一谐振腔的长边和所述第二谐振腔的长边相接，所述第四谐振腔的长边和第五谐振腔的长边相接。3.根据权利要求1所述基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，其特征在于:所述第一谐振腔、所述第二谐振腔、所述第四谐振腔、所述第五谐振腔的尺寸相同，长宽比例均为2.1:1。4.根据权利要求1所述基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，其特征在于:所述第一谐振腔、所述第二谐振腔与所述第四谐振腔、所述第五谐振腔关于Z轴旋转90
°
对称。5.根据权利要求1所述基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，其特征在于:所述第三谐振腔长宽比例为1:1。6.根据权利要求1所述基于小型化高频率选择性多层基片集成波导滤波交叉器，其特征在于:所述第二金属层上设置有四个大小相等所述开槽口，四个所述开槽口的长边均平行于所述第二金属层的长边，四个所述开槽口的对角线交点可围成一个矩形，每个所述开槽口均存在一个对角线交...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈玮，兰航，李振海，胡中，施俊威，陈凯，
申请(专利权)人：上海航天电子通讯设备研究所，
类型：发明
国别省市：