一种非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法，包括如下步骤：采用含羟胺的溶液进行喷淋浸泡和清洗；采用异丙醇溶剂进行喷淋浸泡和清洗；采用去离子水进行喷淋浸泡和清洗；采用异丙醇溶剂进行喷淋浸泡和清洗；喷淋的压力为

【技术实现步骤摘要】
一种非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种芯片清洗方法，尤其涉及一种非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法
。

技术介绍

[0002]在非制冷红外焦平面探测器生产过程中，悬空的微桥结构是以聚酰亚胺为牺牲层，其在整个工艺过程中起支撑作用，辅助微桥结构顺利成型
。
在整体微桥结构工艺制造步骤完成以后，还需要对聚酰亚胺牺牲层进行释放工艺后，以去除原始支撑层聚酰亚胺，去除的工艺为释放工艺（释放：用氧等离子体对聚酰亚胺进行刻蚀的工艺过程），最后整体结构依靠两桥墩与微桥结构上的桥腿进行支撑，具体如图一示意图所示，微桥桥腿的线宽一般为
350nm
‑
200nm。
非制冷红外焦平面探测器的制造涉及到标准的
MEMS
制造工艺，在正常
MEMS
制造工艺流程下，经历过氧等离子体刻蚀以后都需要进行清洗，用以去除刻蚀后留下的聚合物残留
。
然而由于非制冷红外焦平面探测器微桥结构在经过释放工艺以后，为悬空结构，该微桥结构相对比较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法，待清洗的非制冷红外焦平面探测器的微桥结构包括经过释放工艺后形成微桥的悬空结构，其特征在于，包括如下步骤：采用含羟胺的溶液对所述非制冷红外焦平面探测器晶片先喷淋，喷淋的压力为
0.2Mpa
至
1Mpa
，然后采用含羟胺的溶液对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行浸泡，同时对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行第一次清洗；采用异丙醇溶剂对所述非制冷红外焦平面探测器晶片先喷淋，喷淋的压力为
0.2Mpa
至
1Mpa
，然后采用异丙醇溶剂对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行浸泡，同时对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行第二次清洗；采用去离子水对所述非制冷红外焦平面探测器晶片先喷淋，喷淋的压力为
0.2Mpa
至
1Mpa
，然后采用去离子水对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行浸泡，同时对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行第三次清洗；采用异丙醇溶剂对所述非制冷红外焦平面探测器晶片先喷淋，喷淋的压力为
0.2Mpa
至
1Mpa
，然后采用异丙醇溶剂对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行浸泡，同时对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行第四次清洗；对清洗后的所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行干燥
。2.
根据权利要求1所述非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法，其特征在于，对所述非制冷红外焦平面探测器晶片进行清洗时采用兆声清洗
。3.
根据权利要求2所述非制冷红外焦平面探测器微桥结构的清洗方法，其特征在于，通过控制喷淋的频率与喷液量来控制喷淋的压力大小
。4.
根据权利要求2所述非制冷红外焦平面探测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：左元呈，丁雪峰，解纯钢，包航，
申请(专利权)人：苏州零度感知科技有限公司，
类型：发明
国别省市：