用于制造技术

本发明专利技术涉及用于

【技术实现步骤摘要】
用于MRAM的具有高面内磁化强度的进动自旋电流结构
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本案是分案申请
。
该分案的母案是申请日为
2018
年1月
22
日
、
申请号为
201880021758.X、
专利技术名称为“用于
MRAM
的具有高面内磁化强度的进动自旋电流结构”的专利技术专利申请案
。


[0003]本专利文档大体上涉及自旋转移力矩磁性随机存取存储器，且更特定来说，涉及磁性隧道结堆叠，所述磁性隧道结堆叠通过使用进动自旋电流结构而在磁性隧道结结构中具有性能经改进的自由层，所述进动自旋电流结构通过使用具有面心立方材料的材料而具有高面内各向异性
。

技术介绍

[0004]磁阻式随机存取存储器
(“MRAM”)
为通过磁性存储元件存储数据的非易失性存储器技术
。
这些元件为可保持磁化且被非磁性材料
(
例如非磁性金属或绝缘体
)<br/>分离的两个铁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种在衬底上制造磁性装置的方法，其包括：在第一平面中形成合成反铁磁性结构，所述合成反铁磁性结构包含磁性参考层，所述磁性参考层具有垂直于所述第一平面的磁化矢量且具有固定磁化方向；在第二平面中形成非磁性隧道势垒层，其安置在所述磁性参考层上方在第三平面中形成自由磁性层，其安置在所述非磁性隧道势垒层上方，所述自由磁性层具有垂直于所述第三平面的磁化矢量且具有能够从第一磁化方向进动到第二磁化方向的磁化方向，所述磁性参考层
、
所述非磁性隧道势垒层及所述自由磁性层形成磁性隧道结；在第四平面中形成非磁性间隔物，其安置在所述自由磁性层上方，所述非磁性间隔物包括
MgO
；在第五平面中形成进动自旋电流磁性层，其与所述自由磁性层物理分离且通过所述非磁性间隔物耦合到所述自由磁性层，所述进动自旋电流磁性层具有磁化矢量，所述磁化矢量具有位于所述第五平面中并能够在所述第五平面的任何磁方向上自由旋转的磁化分量，所述进动自旋电流磁性层包括
Fe
层
、Ru
层及面心立方
fcc
晶体结构层，所述
fcc
晶体结构层包含具有
fcc
晶体结构的材料，所述
Fe
层安置在所述非磁性间隔物上方，所述
Ru
层安置在所述
Fe
层上方，且所述
fcc
晶体结构层安置在所述
Ru
层上方；以及在第六平面中形成覆盖层，其位于所述进动自旋电流磁性层上方
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中电流被引导通过所述覆盖层
、
所述进动自旋电流磁性层
、
所述非磁性间隔物
、
所述自由磁性层
、
所述非磁性隧道势垒层及所述磁性参考层，其中所述电流的电子在所述进动自旋电流磁性层的磁方向上对准；且所述进动自旋电流磁性层的磁化方向自由地跟随所述自由磁性层的磁化方向的进动，从而致使自旋转移力矩辅助所述自由磁性层的所述磁化矢量的切换
。3.
根据权利要求1所述的方法，其中所述进动自旋电流磁性层的所述磁化矢量的磁化方向在所述第五平面中
。4.
根据权利要求1所述的方法，其中所述进动自旋电流磁性层的磁化方向具有在所述第五平面中的能够在所述第五平面中自由旋转的磁化分量
。5.
根据权利要求1所述的方法，其中所述进动自旋电流磁性层进一步包括
CoFeB
层，所述
CoFeB<...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：芯成半导体开曼有限公司，
类型：发明
国别省市：