磁性存储单元及其制造方法技术

技术编号:38905290 阅读:32 留言:0更新日期:2023-09-22 14:23
本申请实施例提供一种磁性存储单元及其制造方法,包括磁性隧道结以及电极层,磁性隧道结包括沿垂直方向顺序堆叠的自由层、势垒层以及参考层。电极层包括第一部分和第二部分,第一部分包括在第一方向上相对的两个第一侧面以及在垂直方向上相对的第一表面和第二表面,第一表面与磁性隧道结连接,第二表面与第二部分连接,第一表面沿第一方向的尺寸小于第二表面沿第一方向的尺寸,第一侧面连接在第一表面与第二表面之间,第一侧面与第二表面之间的夹角为锐角,第二表面沿第一方向的尺寸小于第二部分沿第一方向的尺寸,第二部分沿第一方向的尺寸大于沿第二方向的尺寸,电极层具有沿第一方向上的张应力或压应力,以固定自由层的易磁化轴于第二方向。易磁化轴于第二方向。易磁化轴于第二方向。易磁化轴于第二方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:向清懿叶力
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1