一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器制造技术

本发明专利技术涉及阻变存储器技术领域，具体地说是一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，包括封装外壳及设置在其内部的存储器本体，所述封装外壳的内壁对称开设有限位槽，所述封装外壳的内壁对称开设有缓冲槽，所述限位槽内滑动连接有第一磁块，所述存储器本体的外壁均固定连接有磁板，通过使存储器本体利用第一磁块与磁板之间相斥的磁力悬浮在封装外壳的内部的，所以当封装外壳震动时，封装外壳无法有效的将震动传递给存储器本体，以此完成存储器本体的减震防护，降低存储器本体因震动导致其内部的电子元件及电极线过应力而损坏这一问题发生的概率。发生的概率。发生的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器


[0001]本专利技术涉及阻变存储器
，具体地说是一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器。

技术介绍

[0002]21世纪，随着大数据时代的到来，科技的进步和应用产生了人类社会中常人无法想象的数据量。与此同时，人类社会当中的数据量与日俱增，不断激增的数据存储需求与当前有限的存储设备能力存在矛盾，因此科学家们开始寻求新材料、新机制、新结构的存储技术来化解当前的这一矛盾。在这一社会背景下，铁电随机存储器，相变随机存储器，磁阻随机存储器以及阻变随机存储器等半导体存储器件应运而生。
[0003]而其中阻变存储器(RRAM)是利用脉冲电压对存储单元进行写入和消除，进而导致记忆单元电阻改变，这就是电脉冲诱使阻变效应，其原理利用一些薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态(高阻态(HR低阻态(LRS))之间的相互转换来实现数据存储，根据电阻转换所需外加电压极性的不同，RRAM器件的电阻转变特性可以分为两种切换模式，单极转换和双极转换，阻变存储器作为下一代存储器的有力竞争者，相对于其他存储器，RRAM具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，包括封装外壳(1)及设置在其内部的存储器本体(2)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内壁对称开设有限位槽(3)，所述封装外壳(1)的内壁对称开设有缓冲槽(4)，所述限位槽(3)内滑动连接有第一磁块(5)，所述存储器本体(2)的外壁均固定连接有磁板(6)，且所述第一磁块(5)和所述磁板(6)相对的一端与所述磁板(6)和所述第一磁块(5)相对的一端的磁力为相斥设置，所述缓冲槽(4)的内壁滑动连接有配重环(7)，所述缓冲槽(4)的内壁固定连接有连通管(8)，且所述缓冲槽(4)与所述限位槽(3)的内部通过连通管(8)连通，且所述缓冲槽(4)的底部内壁固定连接有对称设置的支撑弹簧(9)，且所述支撑弹簧(9)的顶部与所述配重环(7)的底部固定连接。2.根据权利要求1所述的一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，其特征在于：所述缓冲槽(4)的内圈壁顶部固定连接有封板(10)，且所述封板(10)的顶部开设有将其贯穿的第一气孔(11)，且所述封板(10)的顶部固定连接有第一气垫(12)，且所述第一气垫(12)将所述第一气孔(11)覆盖，且所述第一气垫(12)的一侧可被向上掀开，所述封装外壳(1)的外壁开设有与所述缓冲槽(4)的内部上侧连通的第二气孔(13)，且所述缓冲槽(4)的内壁设置有第二气垫(14)，所述第二气垫(14)将所述第二气孔(13)覆盖，且所述第二气垫(14)的一侧可被向所述缓冲槽(4)内部掀开。3.根据权利要求1所述的一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，其特征在于：所述缓冲槽(4)及所述限位槽(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金，汪海波，王宇辰，鲁世斌，宫大鹏，张忠祥，吴德涛，江俊林，
申请(专利权)人：淮北市欣然食品有限责任公司，
类型：发明
国别省市：