一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器制造技术

本发明专利技术涉及阻变存储器技术领域，具体地说是一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，包括封装外壳及设置在其内部的存储器本体，所述封装外壳的内壁对称开设有限位槽，所述封装外壳的内壁对称开设有缓冲槽，所述限位槽内滑动连接有第一磁块，所述存储器本体的外壁均固定连接有磁板，通过使存储器本体利用第一磁块与磁板之间相斥的磁力悬浮在封装外壳的内部的，所以当封装外壳震动时，封装外壳无法有效的将震动传递给存储器本体，以此完成存储器本体的减震防护，降低存储器本体因震动导致其内部的电子元件及电极线过应力而损坏这一问题发生的概率。发生的概率。发生的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器


[0001]本专利技术涉及阻变存储器
，具体地说是一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器。

技术介绍

[0002]21世纪，随着大数据时代的到来，科技的进步和应用产生了人类社会中常人无法想象的数据量。与此同时，人类社会当中的数据量与日俱增，不断激增的数据存储需求与当前有限的存储设备能力存在矛盾，因此科学家们开始寻求新材料、新机制、新结构的存储技术来化解当前的这一矛盾。在这一社会背景下，铁电随机存储器，相变随机存储器，磁阻随机存储器以及阻变随机存储器等半导体存储器件应运而生。
[0003]而其中阻变存储器(RRAM)是利用脉冲电压对存储单元进行写入和消除，进而导致记忆单元电阻改变，这就是电脉冲诱使阻变效应，其原理利用一些薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态(高阻态(HR低阻态(LRS))之间的相互转换来实现数据存储，根据电阻转换所需外加电压极性的不同，RRAM器件的电阻转变特性可以分为两种切换模式，单极转换和双极转换，阻变存储器作为下一代存储器的有力竞争者，相对于其他存储器，RRAM具有更低的功耗和小型化潜力，采用十字交叉阵列集成的方式可以将存储单元面积做到4F”(F为特征尺寸)，会极大地提升阻变存储器的集成密度并降低成本，同时，采用十字交叉阵列结构还可以讲一步地实现三维的多层堆叠集成，这样每人存储单元的面积可以减小到4F“NC为十字交叉阵列的层数。
[0004]但是其在使用受到撞击或者在运输时，由于其封装外壳只能对内部的电子元件起到单一的承托作用，无法对其进行防护，这就导致当其受到撞击或在运输时产生震动时，易导致其内部的电子元件或电极线过应力断裂、损坏，从而导致阻变存储器的性能下降或失效。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本专利技术提供如下技术方案：一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，包括封装外壳及设置在其内部的存储器本体，所述封装外壳的内壁对称开设有限位槽，所述封装外壳的内壁对称开设有缓冲槽，所述限位槽内滑动连接有第一磁块，所述存储器本体的外壁均固定连接有磁板，且所述第一磁块和所述磁板相对的一端与所述磁板和所述第一磁块相对的一端的磁力为相斥设置，所述缓冲槽的内壁滑动连接有配重环，所述缓冲槽的内壁固定连接有连通管，且所述缓冲槽与所述限位槽的内部通过连通管连通，且所述缓冲槽的底部内壁固定连接有对称设置的支撑弹簧，且所述支撑弹簧的顶部与所述配重环的底部固定连接。
[0006]优选的，所述缓冲槽的内圈壁顶部固定连接有封板，且所述封板的顶部开设有将其贯穿的第一气孔，且所述封板的顶部固定连接有第一气垫，且所述第一气垫将所述第一气孔覆盖，且所述第一气垫的一侧可被向上掀开，所述封装外壳的外壁开设有与所述缓冲
槽的内部上侧连通的第二气孔，且所述缓冲槽的内壁设置有第二气垫，所述第二气垫将所述第二气孔覆盖，且所述第二气垫的一侧可被向所述缓冲槽内部掀开。
[0007]优选的，所述缓冲槽及所述限位槽的内部充满液压油。
[0008]优选的，所述连通管的内部为中空设置，且所述连通管靠近所述缓冲槽的一端与所述缓冲槽内部连通，且所述连通管的内圈壁对称开设有分别与所述限位槽、所述缓冲槽连通的连通孔，所述连通管的内圈壁滑动连接有密封柱，且所述密封柱靠近所述缓冲槽的一端开设有压缩槽，且所述压缩槽的内圈壁滑动连接有压缩板。
[0009]优选的，所述连通管的内部端壁固定连接有阻力弹簧，且所述阻力弹簧的另一端与所述密封柱的一端固定连接。
[0010]优选的，所述磁板靠近所述存储器本体的一端均固定连接有隔磁片。
[0011]优选的，所述第一磁块靠近所述存储器本体的一端均固定连接有缓冲垫。
[0012]优选的，所述第二气孔的内圈壁均固定连接有熔喷布。
[0013]优选的，所述封装外壳的内壁固定连接有对称设置的第二磁块，且所述第二磁块和所述磁板相对的一端与所述磁板和所述第二磁块相对的一端的磁力为相斥设置。
[0014]本专利技术的技术效果和优点：
[0015]1、本专利技术通过使存储器本体利用第一磁块与磁板之间相斥的磁力悬浮在封装外壳的内部的，所以当封装外壳震动时，封装外壳无法有效的将震动传递给存储器本体，以此完成存储器本体的减震防护，降低存储器本体因震动导致其内部的电子元件及电极线过应力而损坏这一问题发生的概率。
[0016]2、本专利技术通过使第一磁块会自动根据封装外壳震动的力而进行与之相反的上下移动，以此保证第一磁块对磁板支撑的磁力保持在一定，从而降低磁板因第一磁块对其的磁力产生改变而在封装外壳的内部上下滑动，从导致其带动存储器本体在封装外壳的内部上下晃动，导致第一磁块对存储器本体的防护效果降低这一问题发生的概率。
[0017]本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解，本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本专利技术立体图；
[0020]图2是本专利技术的内部剖视图；
[0021]图3是图2中的A处局部放大图；
[0022]图4是本专利技术中磁板的结构图；
[0023]图5是本专利技术中连通管的内部结构图；
[0024]图6是本专利技术中封板的剖视图。
[0025]图中：1、封装外壳；2、存储器本体；3、限位槽；4、缓冲槽；5、第一磁块；6、磁板；7、配
重环；8、连通管；9、支撑弹簧；10、封板；11、第一气孔；12、第一气垫；13、第二气孔；14、第二气垫；15、连通孔；16、密封柱；17、压缩槽；18、压缩板；19、阻力弹簧；20、隔磁片；21、缓冲垫；22、熔喷布；23、第二磁块。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的说明，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，包括封装外壳(1)及设置在其内部的存储器本体(2)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内壁对称开设有限位槽(3)，所述封装外壳(1)的内壁对称开设有缓冲槽(4)，所述限位槽(3)内滑动连接有第一磁块(5)，所述存储器本体(2)的外壁均固定连接有磁板(6)，且所述第一磁块(5)和所述磁板(6)相对的一端与所述磁板(6)和所述第一磁块(5)相对的一端的磁力为相斥设置，所述缓冲槽(4)的内壁滑动连接有配重环(7)，所述缓冲槽(4)的内壁固定连接有连通管(8)，且所述缓冲槽(4)与所述限位槽(3)的内部通过连通管(8)连通，且所述缓冲槽(4)的底部内壁固定连接有对称设置的支撑弹簧(9)，且所述支撑弹簧(9)的顶部与所述配重环(7)的底部固定连接。2.根据权利要求1所述的一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，其特征在于：所述缓冲槽(4)的内圈壁顶部固定连接有封板(10)，且所述封板(10)的顶部开设有将其贯穿的第一气孔(11)，且所述封板(10)的顶部固定连接有第一气垫(12)，且所述第一气垫(12)将所述第一气孔(11)覆盖，且所述第一气垫(12)的一侧可被向上掀开，所述封装外壳(1)的外壁开设有与所述缓冲槽(4)的内部上侧连通的第二气孔(13)，且所述缓冲槽(4)的内壁设置有第二气垫(14)，所述第二气垫(14)将所述第二气孔(13)覆盖，且所述第二气垫(14)的一侧可被向所述缓冲槽(4)内部掀开。3.根据权利要求1所述的一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，其特征在于：所述缓冲槽(4)及所述限位槽(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金，汪海波，王宇辰，鲁世斌，宫大鹏，张忠祥，吴德涛，江俊林，
申请(专利权)人：淮北市欣然食品有限责任公司，
类型：发明
国别省市：