基于氧化镓的柔性高集成器官损伤记忆系统及其制备方法技术方案

技术编号:39403823 阅读:29 留言:0更新日期:2023-11-19 15:55
本发明专利技术公开了一种基于氧化镓的柔性高集成器官损伤记忆系统及其制备方法,属于半导体技术领域

【技术实现步骤摘要】
基于氧化镓的柔性高集成器官损伤记忆系统及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
,具体涉及一种基于氧化镓的柔性高集成器官损伤记忆系统及其制备方法


技术介绍

[0002]一氧化碳
(CO)
是一种常见的无色

无味的有毒气体,主要产生于许多工业过程和燃烧反应中

较高浓度的一氧化碳会使人出现不同程度症状,危害人体的脑







肺及其他器官组织

同时,人体组织不仅在短时暴露于高浓度有害气体时会产生急性的负面影响,长期的反复地暴露于有害气体环境中,也会对人体器官组织产生潜在的危害

[0003]近年来,由于氧化镓
(Ga2O3)
材料具有较大的介电常数

良好的热稳定性和化学稳定性

优异的电学性能以及良好的气体传感性能等材料特性,基于此制成的氧化镓气体传感器引起了研究者的浓厚兴趣并经历了快速发展
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于氧化镓的柔性高集成器官损伤记忆系统,其特征在于,该系统包括不止一个传感记忆单元,所述传感记忆单元是由通过导线连接的氧化镓气体传感器和氧化镓忆阻器组成;所述氧化镓气体传感器

氧化镓忆阻器均构筑为三明治构型,该三明治构型上下层为电极层,中间层为氧化镓;所述传感记忆单元集成于柔性衬底上
。2.
如权利要求1所述的柔性高集成器官损伤记忆系统,其特征在于,所述氧化镓气体传感器和氧化镓忆阻器的上

下电极层均为图案化金属薄膜;所述氧化镓气体传感器和氧化镓忆阻器中间层均为氧化镓材料
。3.
如权利要求2所述的柔性高集成器官损伤记忆系统,其特征在于,所述氧化镓气体传感器的氧化镓材料表面溅射一层纳米贵金属颗粒修饰层,用于提高氧化镓气体传感器的传感性能
。4.
如权利要求1所述的柔性高集成器官损伤记忆系统,其特征在于,所述导线是铜线,将氧化镓气体传感器底电极和氧化镓忆阻器顶电极连接起来
。5.
如权利要求2所述的柔性高集成器官损伤记忆系统,其特征在于,所述氧化镓忆阻器表面设有一层
10

15 nm
厚的氧化铝涂层作为封装层,用于避免气体对氧化镓忆阻器信号的干扰
。6.
一种基于氧化镓的柔性高集成器官损伤记忆系统的制备方法,其特征在于,该制备方法包括:
S1
:提供该系统的柔性衬底层,厚度为
10~100 μ
m

S2
:通过掩膜或光刻结合真空蒸镀技术,在所述柔性衬底层上同时获得氧化镓气体传感器和氧化镓忆阻器的图案化金属底电极;
S3
:通过挤压印刷技术或机械剥离技术,在柔性衬底上获得氧化镓薄膜;
S4
:在氧化镓气体传感器的氧化镓表面磁控溅射一层
10~15 nm
厚的贵金属修饰层,用于调节氧化镓气体传感器的气体吸附
/
解吸能力,增强传感特性;
S5
:通过掩膜或光刻结合真空蒸镀技术,在柔性衬底层上同时获得氧化镓气体传感器和氧化镓忆阻器的图案化金属顶电极;
S6
:将铜线的一端连在氧化镓气体传感器的底电极上,另一端连在氧化镓忆阻器的顶电极上,用于传输检测到的气体信号;
S7
:在氧化镓忆阻器表面沉积
10~15 nm
厚的氧化铝涂层或聚合物涂层,用来避免气体对氧化镓忆阻器信号的干扰
。7.
如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述柔性衬底层为聚对苯二甲酸乙二醇酯
...

【专利技术属性】
技术研发人员:王海婷付博徐子朋潘宇航张溢博
申请(专利权)人:青岛科技大学
类型:发明
国别省市:

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