相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备制造技术

本申请提供了一种相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备。该相变材料包括M

【技术实现步骤摘要】
相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备


[0001]本申请涉及数据存储领域，具体涉及一种相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备。

技术介绍

[0002]进入信息时代，数据信息呈指数型增长，传统的存储器已无法满足人们对于海量数据的存储需求。相变存储器(phase change memory，PCM)是一种基于硫系化合物的新型非易失性固态存储器，存储信息的原理是根据其非晶态和晶态之间转变的电阻率的显著差异进行存储。与其他非易失性存储器相比，相变存储器是可扩展的，并且具有低功耗，低成本等优点，因此相变存储器在未来有望成为新一代的存储器。
[0003]目前最主流最成熟的相变材料体系是Ge
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Sb
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Te体系，已开发的相变存储器就是基于Ge
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Sb
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Te合金进行研究的。随着存储技术朝着低时延、高稳定性、高密度发展，对存储材料提出了更高的要求。随着人们对存储需求的提高，Ge
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Sb
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Te体系材料暴露出以下缺点，1)该体系的相变存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相变材料，其特征在于，所述相变材料包括M
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Bi
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Se三元合金材料，所述M选自碳族元素或硼族元素。2.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于，所述M选自碳族元素C、Si、Ge、Sn、Pb、Ge及硼族元素B、Al、Ga、In中的至少一个。3.根据权利要求2所述的相变材料，其特征在于，通过对所述相变材料施加电压，所述相变材料在低组态与高阻态之间转换，其中，所述高阻态的电阻率与所述低组态的电阻率的差值至少为两个数量级。4.根据权利要求2或3所述的相变材料，其特征在于，所述相变材料包括Ge
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Bi
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Se，按原子百分比计，所述Ge的原子个数百分含量x为0％＜x≤50％，所述Bi的原子个数百分含量y为5％≤y≤80％，所述Se的原子个数百分含量z为20％≤z＜95％，其中，x+y+z＝1。5.根据权利要求4所述的相变材料，其特征在于，所述相变材料为Ge2Bi2Se5、Ge1Bi2Se4或Ge1Bi4Se7中的至少一种。6.根据权利要求2或3所述的相变材料，其特征在于，所述相变材料包括Pb
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Bi
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Se，按原子百分比计，所述Pb的原子个数百分含量x为0％＜x≤50％，所述Bi的原子个数百分含量y为5％≤y≤80％，所述S...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭艳蓉，李响，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：