Cr-Si系膜制造技术

Cr

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Cr
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Si系膜


[0001]本专利技术涉及TCR的绝对值小、且在各温度下TCR的变化小的Cr
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Si系膜。

技术介绍

[0002]近年来，CrSi2这样的Cr
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Si系材料(硅化物)由于其特性而在半导体、太阳能电池等中被用作膜(Cr
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Si系膜)。Cr
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Si系材料能够通过结晶相的状态取得半导体特性和金属特性，因此电阻率温度变化(TCR)小，被用于各种传感器。该各种传感器例如在电气产品、汽车等温度在从室温到高温(150℃以下)的范围内变化的环境下使用。因此，从提高检测精度的观点出发，Cr
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Si系膜优选在从室温到高温的所有温度下为相同的电阻率(即，期望在从室温到高温的温度范围内，电阻率的值的变动小)。
[0003]例如在专利文献1中公开了加热处理后的片材电阻的变化的特征(倾向)根据Cr与Si的组成比而变化。具体而言，报告了如下内容：使用包含40wt％以上的Cr的靶成膜的Cr
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Si膜即使不添加N2，电阻的热稳定性也高，与此相应地，使用Cr为30wt％以下的靶成膜的Cr
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Si膜在不添加N2的条件下电阻变动大，但通过添加N2，能够改善该变动。但是，在专利文献1中并未明确能够使TCR接近0(即，减小TCR的绝对值)的组成范围。
[0004]另外，在专利文献2中，测定了由含有30wt％的Cr的Cr
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Si系的溅射靶形成的膜的物性，但关于TCR，仅测定了20℃的电阻率和120℃的电阻率。然而，已知一般的Cr
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Si系膜相对于温度呈曲线状的电阻率变化，仅在20℃和120℃这两点的TCR中，作为实际传感器使用时的评价是不充分的，无法掌握温度变化中的TCR的变化行为。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2010
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278479号公报专利文献2：日本特开2002
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367803号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0006]本专利技术的目的在于提供一种Cr
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Si系膜，其包含铬(Cr)和硅(Si)，TCR的绝对值小，并且在各温度下TCR的变化小。用于解决技术问题的手段
[0007]本专利技术人等对包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr
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Si系膜进行了研究，结果通过设为最佳的组成比而得到TCR小且在各温度下TCR的变化小的Cr
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Si系膜，从而完成了本专利技术。
[0008]即，本专利技术如权利要求所述，本专利技术的主旨如下。(1)一种Cr
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Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr
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Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。(2)根据(1)所述的Cr
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Si系膜，其中，所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的
最大值与最小值之差为100ppm/℃以下。(3)根据(1)或(2)所述的Cr
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Si系膜，其中，所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的Cr
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Si系膜，其中，所述温度范围内以10℃为间隔测定的平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的Cr
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Si系膜，其中，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.3～0.5。(6)根据(1)～(5)中任一项所述的Cr
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Si系膜，其还含有氮(N)。(7)根据(6)所述的Cr
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Si系膜，其特征在于，Si
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N＝25wt％～75wt％。(8)根据(1)～(7)中任一项所述的Cr
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Si系膜的制造方法，其特征在于，通过溅射法用以铬和硅作为主要成分的溅射靶进行成膜。(9)根据(8)所述的Cr
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Si系膜的制造方法，其中，将通过溅射法成膜的Cr
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Si系膜进一步在非氧气氛下、800℃以下进行加热处理。专利技术效果
[0009]本专利技术的Cr
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Si系膜在40℃～150℃的温度范围内的TCR的绝对值小，因此在用作电阻器的情况下，在上述温度范围内的任何温度带下都显示出稳定的电阻率，能够供给高精度的传感器。
附图说明
[0010]图1是示出实施例1的Cr
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Si系膜的电阻率与温度的关系的图表。图2是示出比较例1的Cr
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Si系膜的电阻率与温度的关系的图表。
具体实施方式
[0011]以下，详细地说明本专利技术。需要说明的是，在本说明书中，2个数值之间的“～”表示以“～”的该2个数值作为上下限的范围，例如“30℃～150℃”或“30～150℃”是指“30℃以上且150℃以下”。另外，在本说明书中，“wt％”是指“质量％”。
[0012]本专利技术为一种Cr
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Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr
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Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。
[0013]本专利技术涉及Cr
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Si系膜，是所谓的以硅化铬为基体(母相、主相)的硅化物膜，进而是硅化铬膜。本专利技术的Cr
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Si系膜只要以硅化铬为基体则亦可包含Cr、Si以外的元素。
[0014]本专利技术的Cr
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Si系膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75。Cr/(Cr+Si)优选为0.3～0.7，特别优选为0.3～0.5。Cr比(即，Cr/(Cr+Si))多于0.75时，TCR变大；Cr比少于0.25时，TCR变小。Cr/(Cr+Si)中的“Cr”是指Cr的含量(wt％)，“Si”是指Si的含量(wt％)。
[0015]本专利技术的Cr
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Si系膜在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。将“40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR(以下也称为“TCR
t”，将“100℃下的TCR
t”等分别称为“TCR
100”等。)”是指在40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃或150℃的各温度下的TCR的绝对值。
[0016]TCR(ppm/℃)是根据Cr
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Si系膜在各温度下的电阻率R(Ω
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种Cr
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Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr
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Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。2.根据权利要求1所述的Cr
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Si系膜，其中，在所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的最大值与最小值之差为100ppm/℃以下。3.根据权利要求1或2所述的Cr
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Si系膜，其中，在所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的Cr
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Si系膜，其中，在所述温度范围内以10℃为间隔测定的平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且5...

【专利技术属性】
技术研发人员：原浩之，召田雅实，增田彩花，
申请(专利权)人：东曹株式会社，
类型：发明
国别省市：