【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于摄像元件用光电转换元件的材料及摄像元件用光电转换元件。
技术介绍
1、摄像元件用光电转换元件在移动电话、照相机等用途中使用，其开发正在积极地进行。
2、近年来市场对摄像元件用光电转换元件的要求日益提高，要求暗电流、外部量子效率、响应速度均优异的材料。在该状况下，对于作为新材料的母核的各种多环式化合物的可能性，持续进行探索、研究。作为多环式化合物，专利文献1中公开了以苯并噻吩并苯并噻吩为母核的衍生物。另外，在专利文献2中，除了苯并噻吩并苯并噻吩以外，还公开了各种母核。专利文献3中公开了未取代的二苯并[g,p]
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2015/163349号
6、专利文献2：国际公开第2020/022421号
7、专利文献3：日本特开2010-258438号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的在于，对于各种多环式的化合物作为新材料的母核的可能性，在继续探索、研究的过程中，提出使用了具有该新母核的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料和摄像元件用光电转换元件。
3、本专利技术的另一个方式的目的在于，提供一种有助于制作暗电流低、外部量子效率高的摄像元件用光电转换元件的摄像元件用光电转换元件材料、用于摄像元件用光电转换元件的传输材料和用于摄像元件用光电转换元件的空穴传输材料。另外，本专利技术的另一
4、然而，专利文献3中记载了在光电转换层与上部电极之间使用未取代的二苯并[g,p]作为结晶层。但是，在专利文献3中，完全没有提及二苯并[g,p]的分子结构上的特征、含有二苯并[g,p]的非晶膜。此外，专利文献3中记载的二苯并[g,p]未提供任何提高摄像元件用光电转换元件的性能的见解。
5、用于解决技术问题的技术方案
6、根据本专利技术的一个方式，提供了一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，该材料包含分子结构中具有湾形(cove)区域的骨架、且该骨架可以被取代的化合物，其中，作为该化合物，不包含二苯并[g,p]
7、根据本专利技术的另一实施方式，提供上述骨架由下述式(1)所表示的用于摄像元件用光电转换元件的材料。
8、[化1]
9、
10、式(1)中，
11、x1～x4各自独立地表示氢原子或取代基；
12、x1～x4不会相互键合而形成环；
13、多个x1～x4相同或不同；
14、z1～z8各自独立地表示氮原子、或者可具有取代基的碳原子；
15、z1～z8中，至少六个为可具有取代基的碳原子；
16、多个z1～z8相同或不同；
17、z1～z8中的任一者在为具有取代基的碳原子的情况下，可键合于与该碳原子相邻的1个或2个z1～z8中的任一个碳原子上的取代基从而形成环。
18、根据本专利技术的另一实施方式，提供上述实施方式的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其为用于摄像元件用光电转换元件的传输材料或用于摄像元件用光电转换元件的电荷阻挡材料。
19、根据本专利技术的另一实施方式，提供上述实施方式的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其为用于摄像元件用光电转换元件的空穴传输材料或用于摄像元件用光电转换元件的电子阻挡材料。
20、根据本专利技术的另一实施方式，提供包含上述实施方式的用于摄像元件用光电转换元件的材料的摄像元件用光电转换元件。
21、专利技术效果
22、根据本专利技术的一个方式，能够提供有助于制作暗电流和外部量子效率优异的摄像元件用光电转换元件的用于摄像元件用光电转换元件的材料、用于摄像元件用光电转换元件的空穴传输材料和用于摄像元件用光电转换元件的电子阻挡材料。
23、根据本专利技术的其他实施方式，能够提供暗电流和外部量子效率优异的摄像元件用光电转换元件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其特征在于，包含在分子结构中具有湾形(Cove)区域的骨架、且该骨架被取代或未被取代的化合物，其中，作为该化合物，不包含未取代的二苯并[g,p]
2.根据权利要求1所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，所述骨架由下述式(1)所表示：
3.根据权利要求2所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，Z1～Z8中的至少7个为具有或不具有取代基的碳原子。
4.根据权利要求2所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，Z1～Z8为具有或不具有取代基的碳原子。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，X1和X2为氢原子。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，Z3和Z4为具有或不具有取代基的碳原子，Z3和Z4的取代基相互键合而形成环。
7.一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其特征在于，包含下述式(2A)～(5B)中的任一者所表示的化合物：
8.根据权利要求7所述的用于摄像元件用光
9.根据权利要求1～8中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，分子量为1500以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，分子量为1000以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，HOMO值为5.0eV～6.5eV。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，带隙为2.5eV～4.0eV。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，LUMO值为2.0eV～3.5eV。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，玻璃化转变温度为100℃以上。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，玻璃化转变温度为110℃以上。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，玻璃化转变温度为130℃以上。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，所述材料为用于摄像元件用光电转换元件的传输材料、或用于摄像元件用光电转换元件的电荷阻挡材料。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，所述材料为用于摄像元件用光电转换元件的空穴传输材料、或用于摄像元件用光电转换元件的电子阻挡材料。
19.一种摄像元件用光电转换元件，其特征在于，包含权利要求1～18中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料。
20.根据权利要求19所述的摄像元件用光电转换元件，其中，所述用于摄像元件用光电转换元件的材料的蒸镀膜为非晶层。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其特征在于，包含在分子结构中具有湾形(cove)区域的骨架、且该骨架被取代或未被取代的化合物，其中，作为该化合物，不包含未取代的二苯并[g,p]
2.根据权利要求1所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，所述骨架由下述式(1)所表示：
3.根据权利要求2所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，z1～z8中的至少7个为具有或不具有取代基的碳原子。
4.根据权利要求2所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，z1～z8为具有或不具有取代基的碳原子。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，x1和x2为氢原子。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，z3和z4为具有或不具有取代基的碳原子，z3和z4的取代基相互键合而形成环。
7.一种用于摄像元件用光电转换元件的材料，其特征在于，包含下述式(2a)～(5b)中的任一者所表示的化合物：
8.根据权利要求7所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，所述电荷传输性取代基各自独立地为：
9.根据权利要求1～8中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，分子量为1500以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的用于摄像元件用光电转换元件的材料，其中，分子量为1000以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：森中裕太，荘野智宏，高桥泰裕，野村桂甫，冈田壮史，小野洋平，田中刚，
申请(专利权)人：东曹株式会社，
类型：发明
国别省市：
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