【技术实现步骤摘要】
一种应用于太赫兹波段的可调谐电容器
[0001]本专利技术属于应用于太赫兹波段可调谐幅值和频率的电容器器件，其中涉及了基于铁电薄膜平面插指电容器的制备加工与太赫兹波段电容调谐的测试方法。
技术介绍
[0002]太赫兹(THz)技术作为新兴的研究领域，其受到研究人员的极大关注，主要是THz电磁波与微波、光波等波段的电磁波相比具有非常独特的性质：THz波的光子能量低，有很高的时间和空间相干性，可以进行亚皮秒、飞秒时间分辨的瞬态光谱研究等，在安检、医疗成像、通讯等方面有着极其重要的应用。太赫兹波段可调谐电容器在电路中能对太赫兹波幅值和频率起到调控作用，进而对太赫兹波段信号进行有效处理，而目前还未有采用铁电薄膜制备太赫兹可调谐电容器的研究。因此，研制一种基于铁电薄膜太赫兹波段可调控平面电容感对发展太赫兹器件有着十分重要的意义。
技术实现思路
[0003]本专利技术目的是提供一种基于铁电薄膜应用于太赫兹波段的可调谐电容器，该电容器由基片，铁电薄膜和插指型电极组成。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用的技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于太赫兹波段的可调谐电容器，其特征在于：制备的铁电薄膜平面电容器在太赫兹波段具有可调控性。2.根据权利要求1所述的铁电薄膜，其特征在于：用于制备平面电容器的材料为铁电薄膜，薄膜厚度为100~1500 纳米，其介电常数约为50~300。3.根据权利要求1所述的可调谐电容器，其特征在于：可调谐电容器电容为1~50 pF，太赫兹波段电容调谐率高于50%。4.根据权利要求1所述的铁电薄膜平面电容器可对太赫兹波幅值和频率进行调谐，其特征在于：平面电容器是插指金属电极和基片组成，基片材质为电阻率高于8000 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦雨欣，张晓渝，张金磊，张晋孔嘉，柯亮，缪姗桦，李晓婉，许帅，沈雨昕，马春兰，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：
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