一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明专利技术提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明专利技术提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属电容器制备
，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]在国防工业技术上，晶界层电容器的应用越来越广泛，与MLCC多层陶瓷电容器相比，不存在介质层间的电流回路，所以具有很低的ESR(等效串联电阻)和ESL(等效串联电感)，特别适用于雷达、导航、卫星通讯等高频使用领域。
[0003]晶界层陶瓷材料由于采用SrTiO3基材料，同时采用AB位精确化学掺杂替代的工艺，具有相对较高的介电常数、稳定的温度特性及优越的微波特性等特点。但是，目前国内晶界层陶瓷材料老化后各项性能明显下降，使用时可靠性存在问题，大大制约了晶界层电容器在雷达、导航、卫星通讯等高频的领域的应用。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用，本专利技术提供的电容器材料具有老化后容量，损耗以及绝缘电阻变化小，从而具有更高的高温度稳定性、使用可靠性。
[0005]为了实现上述专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，其特征在于，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一晶界扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二晶界扩散层。2.根据权利要求1所述的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，其特征在于，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述第二半导体化SrTiO3单晶片的厚度独立的为0.10～0.50mm。3.根据权利要求1所述的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层的厚度为500～2500nm。4.根据权利要求1所述的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层包括Li2O、Bi2O3、PbO、CuO、Fe2O3和B2O3中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，其特征在于，所述第一晶界扩散层和第二晶界扩散层为半导体化SrTiO3单晶掺杂金属氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯毅龙，卢振亚，吕明，曾石稳，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：