声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备技术

本发明专利技术提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备，涉及声表面波谐振器横向模式仿真技术领域

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备


[0001]本专利技术涉及声表面波谐振器横向模式仿真
，具体而言，涉及一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备
。

技术介绍

[0002]现有技术中，一般会利用
COM
模型（
Coupling of Modes
）对声表面波谐振器进行仿真测试，
COM
模型假设声表面波谐振器中仅存在左向波和右向波，通过模拟左右向波在传播过程中的激发
/
耦合效应来模拟声表面波谐振器的谐振效应，然而，对于搭载有例如
TC
‑
SAW/TF
‑
SAW
等高性能声表面波器件的声表面波谐振器而言，这种高性能声表面波器件往往存在较强的横向模式，而传统的
COM
模型并不能准确表征出该横向模式，从而导致基于传统的
COM
模型设计出的声表面波滤波器通带产生凹坑，造成性能的严重下降
。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备，能够准确仿真出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，以此提高设计声表面波滤波器时的仿真精度
。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真方法，包括以下步骤：
S1.
获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
S2.
根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
S3.
根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
S4.
根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
S5.
将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用所述声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真
。
[0006]本专利技术的声表面波谐振器横向模式仿真方法，将各阶横向模式耦合到第二导纳中，使输入第二导纳得到的声表面波谐振器横向模式仿真模型能够准确表征出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，有利于保证基于声表面波谐振器横向模式仿真模型所设计出的声表面波谐振器拥有较好的性能
。
[0007]进一步的，步骤
S1
中的具体步骤包括：
S11.
根据以下公式计算所述传播声速：；其中，为第
n
阶横向模式的传播声速，为第一拟合参数，为横向模式对应的阶数，为第二拟合参数，为声表面波谐振器的相对膜厚
。
[0008]引入了与色散特性相关的拟合参数，以此综合考虑了其色散特性，可以更加准确地计算出各阶横向模式的传播声速
。
[0009]进一步的，步骤
S2
中的具体步骤包括：
S21.
根据以下公式计算所述谐振频率：；其中，为第
n
阶横向模式的谐振频率，为所述声表面波谐振器的孔径，为所述声表面波谐振器的基模频率
。
[0010]配合声表面波谐振器的导纳曲线图使用可以计算出各阶横向模式的传播声速，计算过程简单且便捷，运算量相对较少
。
[0011]进一步的，步骤
S3
中的具体步骤包括：
S31.
根据以下公式计算所述第一导纳：；；；；其中，为第
n
阶横向模式的第一导纳，为第
n
阶横向模式的第一导纳的实部，为第
n
阶横向模式的第一导纳的虚部，为第三拟合参数，为中间变量，为第四拟合参数，为预设的频率区间中的频率值
。
[0012]进一步的，步骤
S4
中的具体步骤包括：
S41.
根据以下公式计算所述第二导纳：；；基于现有的
COM
模型优化出
eCOM
模型，
eCOM
模型所采用的第二导纳中考虑到横向模式的影响，进而能够准确表征出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度
。
[0013]第二方面，本专利技术提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真装置，包括：第一获取模块，用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；第二获取模块，用于根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；第三获取模块，用于根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；第四获取模块，用于根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；输入模块，用于将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中
。
[0014]本专利技术提供的声表面波谐振器横向模式仿真装置可以准确表征出各阶横向模式，避免所设计出的声表面波滤波器通带产生凹坑，达到提高声表面波滤波器性能的效果
。
[0015]进一步的，第一获取模块在用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速的时候执行：
S11.
根据以下公式计算所述传播声速：
；其中，为第
n
阶横向模式的传播声速，为第一拟合参数，为横向模式对应的阶数，为第二拟合参数，为声表面波谐振器的相对膜厚
。
[0016]进一步的，第二获取模块在用于根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率的时候执行：
S21.
根据以下公式计算所述谐振频率：；其中，为第
n
阶横向模式的谐振频率，为所述声表面波谐振器的孔径，为所述声表面波谐振器的基模频率
。
[0017]第三方面，本专利技术提供一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述声表面波谐振器横向模式仿真方法中的步骤
。
[0018]第四方面，本专利技术提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述声表面波谐振器横向模式仿真方法中的步骤
。
[0019]由上可知，本专利技术提供的声表面波谐振器横向模式仿真方法，在传统的
COM
模型基础上，根据横向模式的谐振频率与声表面波谐振器孔径之间的关系，得到各阶横向模式的谐振频率，并由此获得第二导纳，相比于基于传统
COM
模型设计的声表面波谐振器的导纳，第二导纳中考虑了各阶横向模式的影响，使得本专利技术输入第二导纳得到的声表面波谐振器横向模式仿真模型能够准确表征出声表面波谐振器中的横向模式，有利于提高设计声表面波滤波器时的仿真精度，适用于搭载有例如
TC
‑
SAW/TF
‑
SAW
等高性能声表面波器件的声表面波谐振器，能够保证基于声表面波谐振器横向模式仿真模型所设计出的声表面波谐振器拥有较好的性能
。
[0020]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.
获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
S2.
根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
S3.
根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
S4.
根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
S5.
将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用所述声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真
。2.
根据权利要求1所述的声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，步骤
S1
中的具体步骤包括：
S11.
根据以下公式计算所述传播声速：；其中，为第
n
阶横向模式的传播声速，为第一拟合参数，为横向模式对应的阶数，为第二拟合参数，为声表面波谐振器的相对膜厚
。3.
根据权利要求2所述的声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，步骤
S2
中的具体步骤包括：
S21.
根据以下公式计算所述谐振频率：；其中，为第
n
阶横向模式的谐振频率，为所述声表面波谐振器的孔径，为所述声表面波谐振器的基模频率
。4.
根据权利要求3所述的声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，步骤
S3
中的具体步骤包括：
S31.
根据以下公式计算所述第一导纳：；；；；其中，为第
n
阶横向模式的第一导纳，为第
n
阶横向模式的第一导纳的实部，为第
n
阶横向模式的第一导纳的虚部，为第三拟合参数，为中间变量，为第四拟合参数，为预设的频率区间中的频率值
。5.
根据权利要求4所述的声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，步骤
S4...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，衣新燕，李建敏，
申请(专利权)人：广州市艾佛光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：