一种单侧放电等离子体发射极的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，该方法包括如下步骤：提供刚性绝缘板；用真空镀膜方法在所述刚性绝缘板上沉积一层相对交叉梳状的具有第一厚度的金属材料；通过电化学沉积方法在所述具有第一厚度的金属材料上面再次沉积金属材料，使其厚度增加到第二厚度，从而形成梳式电极组。本发明专利技术的单侧放电等离子体发射极的制备方法所使用的都是普通化工设备，所选材料市场上随处可得，因此加工工艺比较简单，制作成本低。本发明专利技术制备的单侧放电等离子体发射极能够产生单侧表面等离子体，用于对包括具有导电性质的所有材料进行表面刻蚀处理。进行表面刻蚀处理。进行表面刻蚀处理。

【技术实现步骤摘要】
一种单侧放电等离子体发射极的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，该单侧放电等离子体发射极能够在单侧表面产生均匀等离子体，从而具有对较大厚度材料料的表面进行改性处理的能力。

技术介绍

[0002]传统的体相介质阻挡放电的放电电极，主要都采用在两个相对的金属体之间插入绝缘层，等离子体放电在金属体之间产生。这一对金属体无论什么形状，都是首先把他们制作成一定的形状，然后将它们固定在刚性支撑体上。这样的结构只能在体相中放电，是无法在单独的侧面放电的。这种缺点使得传统介质阻挡放电等离子体无法处理较厚的材料。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，该单侧放电等离子体发射极能够在单侧表面产生均匀等离子体，从而能够对较大厚度材料的表面进行改性处理。
[0004]本专利技术的技术方案如下。
[0005]本专利技术第一方面提供了一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，包括如下步骤：
[0006]提供刚性绝缘板；
[0007]用真空镀膜方法在所述刚性绝缘板上沉积一层相对交叉梳状的具有第一厚度的金属材料；
[0008]通过电化学沉积方法在所述具有第一厚度的金属材料上面再次沉积金属材料，使其厚度增加到第二厚度，从而形成梳式电极组。
[0009]优选地，所述刚性绝缘板为矩形，并且其尺寸小于500mm
×
500mm，厚度小于1cm。
[0010]优选地，刚性绝缘板的尺寸为260mm
×
220mm，厚度0.5mm。
[0011]优选地，所述刚性绝缘板由陶瓷材料制成。
[0012]优选地，所述第一厚度小于100纳米。
[0013]优选地，所述第二厚度小于100微米。
[0014]优选地，所述第二厚度为60微米。
[0015]优选地，所述金属材料为银。
[0016]本专利技术第二方面提供了一种梳式电极组，所述梳式电极组包括至少一组根据本专利技术第一方面中任一项所述的方法制备的单侧放电等离子体发射极。
[0017]本专利技术第三方面提供了一种单侧放电等离子体发射装置，包括等离子体电源、正极导线、负极导线，以及本专利技术第二方面所述的梳式电极组。
[0018]通过以上技术方案，本专利技术能够取得如下的有益技术效果。
[0019]本专利技术的单侧放电等离子体发射极的制备方法所使用的都是普通化工设备，所选
材料市场上随处可得，因此加工工艺比较简单，制作成本低。
[0020]本专利技术的方法制备的单侧放电等离子体发射极在辅助设备的配合下，能够在产生高能量的单侧表面等离子体。产生的等离子体能对任何材料，包括具有导电性质的所有材料，进行表面刻蚀处理。这在工、农业生产中特别是在国防工业中将起到非常重要的作用。
附图说明
[0021]图1是根据本专利技术的方法制备的单侧表面等离子体发射极示意图；
[0022]图2是根据本专利技术的一种单侧放电等离子体发射极的制备方法流程图。
[0023]图中各个附图标记的含义如下：
[0024]0‑
01、正极超薄梳式电极；0
‑
02、负极超薄梳式电极；0
‑
03、超薄刚性绝缘板。
具体实施方式
[0025]以下基于实施例对本专利技术进行描述，但是本专利技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。为了避免混淆本专利技术的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。
[0026]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0027]除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]实施例1
[0029]附图1所示的是一种用于产生单侧放电等离子体发射极，包括正极超薄梳式电极0
‑
01、负极超薄梳式电极0
‑
02，以及超薄刚性绝缘板0
‑
03。
[0030]所述正极超薄梳式电极0
‑
01与所述负极超薄梳式电极0
‑
02相对交叉，并且分别与高频高压正极导线、高频高压负极导线相连接。
[0031]在一优选的实施方式中，所述正极超薄梳式电极0
‑
01与所述负极超薄梳式电极0
‑
02具有相同的齿宽与齿间距，并且齿间距大于齿宽。所述正极超薄梳式电极0
‑
01与所述负极超薄梳式电极0
‑
02相交叉时，一方的齿位于另一方的齿间空间内，并且居中地布置，由此形成间隔的正极与负极。
[0032]实施例2
[0033]附图2所示的是一种单侧放电等离子体发射极的制备方法的流程图，包括如下步骤：
[0034]提供刚性绝缘板；所述刚性绝缘板为矩形，尺寸小于500mm
×
500mm，厚度小于1cm。
[0035]用真空镀膜方法在所述刚性绝缘板上沉积一层相对交叉梳状的具有第一厚度的金属材料；
[0036]通过电化学沉积方法在所述具有第一厚度的金属材料上面再次沉积金属材料，使其厚度增加到第二厚度，从而形成梳式电极组。
[0037]在一优选的实施方式中，刚性绝缘板的尺寸为260mm
×
220mm，厚度0.5mm。
[0038]在一优选的实施方式中，所述刚性绝缘板由陶瓷材料制成。
[0039]在一优选的实施方式中，所述第一厚度小于100纳米。
[0040]在一优选的实施方式中，所述第二厚度小于100微米。
[0041]在一优选的实施方式中，所述金属材料为银。
[0042]实施例3
[0043]本实施例提供一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，包括如下步骤：
[0044]提供刚性绝缘板；在一优选的实施方式中，所述刚性绝缘板为矩形，尺寸小于300mm
×
300mm，厚度约0.5cm。
[0045]用真空镀膜方法在所述刚性绝缘板上沉积一层相对交叉梳状的具有第一厚度的金属材料。在一优选的实施方式中，所述第一厚度约50纳米。
[0046]通过电化学沉积方法在所述具有第一厚度的金属材料上面再次沉积金属材料，使其厚度增加到第二厚度，从而形成梳式电极组。在一优选的实施方式中，所述第二厚度为60微米。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供刚性绝缘板；用真空镀膜方法在所述刚性绝缘板上沉积一层相对交叉梳状的具有第一厚度的金属材料；通过电化学沉积方法在所述具有第一厚度的金属材料上面再次沉积金属材料，使其厚度增加到第二厚度，从而形成梳式电极组。2.根据权利要求1所述的一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，其特征在于，所述刚性绝缘板为矩形，并且其尺寸小于500mm
×
500mm，厚度小于1cm。3.根据权利要求2所述的一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，其特征在于，刚性绝缘板的尺寸为260mm
×
220mm，厚度0.5mm。4.根据权利要求1所述的一种单侧放电等离子体发射极的制备方法，其特征在于，所述刚性绝缘板由陶瓷材料制成。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐子一，戴浩宇，杨林峰，贺增燚，江雷，
申请(专利权)人：北京蕴超仿生智能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：