探针卡制造技术

本发明专利技术涉及一种探针卡

【技术实现步骤摘要】
探针卡


[0001]本专利技术有关于集成电路测试的装置，特别是关于一种探针卡
。

技术介绍

[0002]在集成电路测试方法中，针测是一种常见的方式，而用来执行针测的测试装置中，探针卡是最关键的组件之一
。
然而，随着集成电路上接触点的间距逐渐缩小，探针的间距也随着缩减，如此会造成在对集成电路进行检测时，探针之间的讯号会彼此干扰，进而影响量测的结果
。
[0003]为改善讯号干扰的问题，现有技术可见于专利技术专利第
TW I574013 B
号
、
专利技术专利第
TW I411785 B
号
、US8692570B2
等，前述案件均是将绝缘层与屏蔽层包覆于金属探针的外表面，以达到屏蔽的效果，然而，因为每个探针皆须覆盖绝缘层与屏蔽层，不仅耗时费工且生产成本较高，当探针故障或损坏时，亦会使更换探针的成本增加，且在每个探针的外表面覆盖绝缘层与屏蔽层，除了会影响探针本身的精确度，也会增加探针损坏的机率
。
[0004]另一方面，现有探针卡的屏蔽层是采取一般的金属材料，需要进一步将该屏蔽层连接至接地，才能达到屏蔽的效果，然而，接地会需要额外的线路及电路，亦增加了制造和整体结构上的复杂度
。
[0005]因此，如何简化探针卡的结构以及生产工序且同时达到屏蔽功效，乃本领域所属技术人员欲解决的问题
。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是为了解决习知具有屏蔽功能的探针卡中，需分别沉积屏蔽结构在各个探针上，且因接地而需要额外的线路及电路，而造成工序繁杂且成本偏高的问题
。
[0007]为达上述目的，本专利技术提供一种探针卡，包括一导引板以及一单层或多层的屏蔽结构
。
该导引板包括一上表面
、
一下表面以及至少一贯穿该上表面及该下表面之间的导引孔，该导引孔具有一内壁面
。
该屏蔽结构中至少一层为一电磁吸收材料或一电磁反射材料且未连接至接地，该屏蔽结构的各层是以一原子层沉积法或一原子层蚀刻法形成于该导引孔的该内壁面上且厚度分别小于
1000nm。
[0008]在一实施例中，该电磁吸收材料为铝
、
钨
、
白金
、
钛
、
金
、
铁或钴镍合金
。
[0009]在一实施例中，该电磁反射材料为氮化硅
(SiN)、
氮化铝
(AlN)、
氮化钛
(TiN)、
氮化钽
(TaN)、
一氧化钴
(CoO)、
氧化镍
(NiO)、
氧化铁
(Fe2O3)
或
CoTiO2。
[0010]在一实施例中，该电磁吸收材料或该电磁反射材料不连接至接地
。
[0011]在一实施例中，该屏蔽结构还包括至少一层的绝缘材料
。
[0012]本专利技术还提供一种探针卡，包括包括一导引板以及一多层的屏蔽结构
。
该导引板包括一上表面
、
一下表面以及至少一贯穿该上表面及该下表面之间的导引孔，该导引孔具有一内壁面
。
该屏蔽结构包括一沉积在该内壁面上的第一层
、
一沉积在该第一层上的屏蔽层以及一沉积在该屏蔽层上的第二层，该屏蔽层为一电磁吸收材料或一电磁反射材料，该
第一层及该第二层为相同或相异的一绝缘材料，该屏蔽结构的各层未连接至接地，该屏蔽结构的各层分别是以一原子层沉积法或一原子层蚀刻法形成且厚度分别小于
1000nm。
附图说明
[0013]图1，为本专利技术一实施例的探针卡的立体示意图
。
[0014]图2，为本专利技术一实施例的探针卡的局部放大立体示意图
。
[0015]图3，为图2沿
A
‑
A
的剖面示意图
。
[0016]图4，为图2的俯视示意图
。
具体实施方式
[0017]本文所使用的术语仅是基于阐述特定实施例的目的而并非限制本专利技术
。
除非上下文另外指明，否则本文所用单数形式“一”及“该”也可能包括复数形式
。
[0018]本文所使用的方向性用语，例如上
、
下
、
左
、
右
、
前
、
后及其衍生词或同义词，乃涉及附图中的组件的方位，并非限制本专利技术，除非上下文另外明确记载
。
[0019]有关本专利技术的详细说明及
技术实现思路
，现就配合图式说明如下：
[0020]参阅图1至图4，本专利技术揭示一种探针卡，特别是关于一种具备屏蔽功能但不用接地，且毋须在各个探针上形成屏蔽层的探针卡，该探针卡包括一导引板
10
以及至少一屏蔽结构
20。
该导引板
10
包括一上表面
11、
一下表面
12
以及至少一导引孔
13
，该导引孔
13
贯穿该上表面
11
及该下表面
12
，提供至少一探针
(
图未示
)
穿过，且该导引孔
13
包括一内壁面
131。
其中，该导引孔
13
可按照应用需求而依照一数组或一图案设置在该导引板
10
上
。
本实施例中，该导引孔
13
的一截面为圆形，在其他实施例中，该导引孔
13
的该截面可为其他形状，如三角形
、
方形
、
五角形或其他多边形等
。
[0021]本专利技术中，该屏蔽结构
20
可以为一单层或多层，该屏蔽结构
20
的各层是以一原子层沉积法
(Atomic Layer Deposition,ALD)
或一原子层蚀刻法
(Atomic Layer Etching,ALE)
形成于该导引孔
13
的该内壁面
131
上，各层的厚度小于
1000nm
，透过该原子层沉积法或该原子层蚀刻法，可以在微小的该导引孔
13
内产生极薄且均匀的多层膜，而可以不沉积在探针上
。
该屏蔽结构
20
中至少一层为一电磁吸收材料或一电磁反射材料，除了该电磁吸收材料及该电磁反射材料之外，在某些实施例中，该屏蔽结构
20
可进一步包括至少一层的绝缘材料，由绝缘性较佳
(
介电常数较低
)
的材料沉积形成
。
本专利技术的该屏蔽结构
20<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种探针卡，其特征在于，包括：导引板，包括上表面
、
下表面以及至少一个贯穿该上表面及该下表面之间的导引孔，该导引孔具有内壁面；以及单层或多层的屏蔽结构，该屏蔽结构中至少一层为电磁吸收材料或电磁反射材料，且该屏蔽结构没有连接至接地，该屏蔽结构的各层以原子层沉积法或原子层蚀刻法形成于该导引孔的该内壁面上且厚度分别小于
1000
纳米
。2.
根据权利要求1所述的探针卡，其特征在于，该电磁吸收材料为铝
、
钨
、
白金
、
钛
、
金
、
铁或钴镍合金
。3.
根据权利要求1所述的探针卡，其特征在于，该电磁反射材料为氮化硅
、
氮化铝
、
氮化钛
、
氮化钽
、
一氧化钴
、
氧化镍
、
氧化铁或
CoTiO2。4.
根据权利要求1所述的探针卡，其特征在于，该电磁吸收材料或该电磁反射材料不连接至接地
。5.
根据权利要求1所述的探针卡，其特征在于，该屏蔽结...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁肇诚，吕理宏，王怀义，蔡龙泉，
申请(专利权)人：宝虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：