用于硅片清洗的臭氧清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于硅片清洗的臭氧清洗装置。用于硅片清洗的臭氧清洗装置，包括：工艺箱，工艺箱具有工艺槽，工艺槽用于存储臭氧溶液，存储有硅片的花篮放置在工艺槽内；至少一个液体管道，液体管道的第一端与工艺槽连通且连通位置高于工艺槽内的花篮的高度；臭氧溶解装置，臭氧溶解装置用于增加液体中臭氧的浓度，臭氧溶解装置设置在液体管道上，且液体管道的第二端与工艺槽的底部连通，以用于使工艺槽内的液体经液体管道流到臭氧溶解装置内，在臭氧溶解装置中增加臭氧后流入到工艺槽内。本实用新型专利技术解决了现有技术中臭氧清洗装置存在臭氧浓度低的问题。存在臭氧浓度低的问题。存在臭氧浓度低的问题。

【技术实现步骤摘要】
用于硅片清洗的臭氧清洗装置


[0001]本技术涉及太阳能电池生产设备
，具体而言，涉及一种用于硅片清洗的臭氧清洗装置。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池制造技术的不断发展，由于臭氧具有氧化能力强、制造成本低、对环境友好等优点，故臭氧清洗体系逐渐替代了传统的RCA清洗体系。但是现有臭氧清洗装置中，通常采用主槽和副槽的结构形式，其中，副槽位于主槽的下方，主槽用于清洗硅片，主槽和副槽通过循环管路连接。在工作时，副槽的溶液通过循环泵泵送到主槽，主槽内的液面不断升高，同时副槽内的液面不断下降，主槽液面达到溢流位置后，溶液通过溢流口回落到副槽。
[0003]由于主槽内液面和副槽内液面存在明显的高度差，主槽内的溶液到达溢流位置后，在重力的影响下，主槽的溶液以类似瀑布的形式回落到副槽内，导致溶解在溶液中的臭氧气体析出，使副槽内的溶液的臭氧浓度下降，进而导致主槽内的臭氧浓度不能达到一个较高的水平，无法适应光伏、半导体行业对高浓度臭氧的使用需求。
[0004]也就是说，现有技术中臭氧清洗装置存在臭氧浓度低的问题。/>
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，包括：工艺箱(10)，所述工艺箱(10)具有工艺槽(11)，所述工艺槽(11)用于存储臭氧溶液，存储有硅片的花篮(20)放置在所述工艺槽(11)内；至少一个液体管道(30)，所述液体管道(30)的第一端(31)与所述工艺槽(11)连通且连通位置高于所述工艺槽(11)内的花篮(20)的高度；臭氧溶解装置(40)，所述臭氧溶解装置(40)用于增加液体中臭氧的浓度，所述臭氧溶解装置(40)设置在所述液体管道(30)上，且所述液体管道(30)的第二端(32)与所述工艺槽(11)的底部连通，以用于使所述工艺槽(11)内的液体经所述液体管道(30)流到所述臭氧溶解装置(40)内，在所述臭氧溶解装置(40)中增加臭氧后流入到所述工艺槽(11)内。2.根据权利要求1所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述臭氧清洗装置还包括液位传感器(50)，所述液位传感器(50)设置在所述工艺箱(10)上，以检测所述工艺槽(11)内的液位高度，所述液位传感器(50)位于所述液体管道(30)的第一端(31)的上方，所述液位传感器(50)与所述臭氧溶解装置(40)信号连接以调节所述臭氧溶解装置(40)的启闭状态。3.根据权利要求2所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述液位传感器(50)与所述工艺槽(11)内的花篮(20)的高度差大于等于2厘米且小于等于10厘米。4.根据权利要求2所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述工艺箱(10)具有溢流排液口(12)，所述溢流排液口(12)位于所述液位传感器(50)的上方且与所述液位传感器(50)间隔设置。5.根据权利要求4所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述溢流排液口(12)与所述液位传感器(50)的高度差大于等于2厘米且小于等于10厘米。6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述臭氧溶解装置(40)在所述液体管道(30)上相对于所述第一端(31)靠近所述第二端(32)。7.根据权利要求1至5中任一项所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述臭氧清洗装置还包括网板(60)，所述网板(60)可拆卸地设置在所述工艺槽(11)内，所述网板(60)将所述工艺槽(11)分为位于所述网板(60)上方的反应槽(111)和位于所述网板(60)下方的混液槽(112)，所述液体管道(30)的第一端(31)与所述反应槽(111)连通，所述液体管道(30)的第二端(32)与所述混液槽(112)连通。8.根据权利要求7所述的用于硅片清洗的臭氧清洗装置，其特征在于，所述臭氧清洗装置还包括匀流管(70)，所述匀流管(70)具有多个匀流孔(71)，所述匀流管(70)位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林鹏飞，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：